Способ определения концентрации микрочастиц в фоторезистах Советский патент 1982 года по МПК G01N21/00 

1

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть исиользовано для контроля Качества фоторезистивных материалов, прИМеняемых пр:и изготовлеии.и полупр01водн1иковых приборов.

Известен споооб для контроля степени очистки фотореэистов, оонованный на нанссеиии на окисленную Кремниевую подложку фоторезиста, проведении нроцесса фотолитографии HpiH исключении ошерации экспойирования, помещении нодложки в контактное устройство фотоелОбм вверх, наложении на подложку фотобумаги, смоченной дистиллироеаиной водой, подаче иапряже-ния в течение опре.а;еленного врслюи.и, проявлении фотобумаги, закреплении, промывании, сушке 1.

В этом способе подсчитывают кол.ичество отпечатков проколов в слое фоторезиста.

Недостатками этого сиособа являются низкая точность (), а также н изкая экспрессность.

Известен также способ определения концентрации микрочастиц в фоторезистах, осН01ван1ный на освещении кюветы с фоторезистом коллимированным излучен ием и измерении потока излучения, прощедн его через кювету с фоторезистом 2.

Недостатком этого способа является низкая экспресоность, так как измерения необходимо пр01изво дить в 25-30 точках с последующей обработкой дан;ых на ЭВМ, на что потребуется 15-20 мин.

Целью 1изобретен1 я является повыщоние

точности и эксдрессности.

Поставленная цель достигается тем, что в известно способе определения концентрации М:нкрочастнц в фоторезистах, основанном на освещении кюветы с фоторезистом

коллимированным излучением н измере1гии потока излучения, лрощедщего через кювету с фоторезистом, измеряют поток излучения, рассеянный в направлении 4+0, от оси прямопрошедщего потока в телесном углс 0,015±0,005 стерадиап, и по отношению рассеянного н ирямопрошедшего потоков определяют концентрацию МИкрочастиц. На чертеже представлен градуировочпый график зависамостп отношения потоков излучения рассеянного в направлении -у 4° в телесном угле Асо 0,015 стерадиан п пряf(Y)

мопронюдшего через фоторезист зависимости от концентрации микрочастиц в фоторезисте Ло.

Выбор направления наблюдения рассеянного излучения в интервале у 4+0,5° и в телесном угле ,015+0,005 стерадиан обусловлен тем, что для н ,0075 стерадиан не прослеживается корреляцня

f(}

отношения (.;V)Для -у 3° II Aio 0,0075 стерадиан-гт - 0,4, т. с. знач1пх.1ыю выше. Пример. Фоторезисты р;;-чл;14111)1л марок номещают и . Толщина сло.ч t);.i торезнста в кювете 1 см. OciseiHaiOi фогорсзиет нзлученне; : лазера ЛГ-Зб Л с длино полны /. 632,8 нм и рас: однмост,к) -- 2, измеряют потоки нрям()1;)О1Псд111сг(; 4cpe:i фоторезист пзлучення /(0) и рассеянного F{y) J3 нанранлении 4 в телесном уг.ле 0,015 раднап. По отнонк-нпю нотокоп /(у)/ iF(0) нз градунр0 ючного 1рафнк;1 ои)сделяюг концентрацню lacTjui, в фоторезнскАа. При построении г|П дунр|С;1)Ч1()го гра фика значения конн,ентраднн определялис, но известному снособу. Для этого измерялнсь ирямоирошедн 1 Й через (Ьоторсзнсг поток F(Q) и яркость рассеянно1ч:1 и лучелля P(Y) в 25-30 равпоотетоянлих точках в интервале 0,5-6,5, затем рассчнтыва.1ась иа ЭВМ функция расиределения чаетнд ио размерам /(г) но алго)нт.1У V 3,4/|) s(y} 7::(Y) X(Y) - .,,, (с. Y) -2.-1)у1 (р, у);, (| Y Здееь л - д.тина г.о.тиы ) показатель нре.ломления фогорсзис; /. 0,6328 мкм; ti - 1,139; -у и ., рассеяння в фоюрезиете и г вететвеино, 1, и Yj - - фмпчиии ьес Пеймаиа иерво1-о порядка. Коицеитрания чаетин о;1редс.-|ял; eooTHOHieinui:

Значения 7(0), /(у) и jVo, нолучонные предлагаемым ciiocoGo-T и по алгоритму (1)- -(2), а отиогнтсльные :i()i u HiHOети )еделе1И1я кочдент;)ании ЛЛц/Лу д, ряда образной фс/горезисто; 1рн1;еден л и Таблннс 1 lorpeiHiioci онределення кс)нне1гграцнн 11редла1-аемым сиособом «5 . Псн() л/ед;агас: :ого счособа ii()3)iOJiiri VKciijiecciio оире.де.тить коннентрадню микрочаст и фоторезисте, ири этом 1И)емеин1)1е за1раты сокращаются в 3-4 раза по cjiaiii-icjiino е прототипом и составляют 3 -5 мии. Сиособ янл ;стси 11)остым с гочки зроиия те.И1Гчееко)1 реа.тизацн) н может бьггь иеио.тьзован в заводекой .лаборатории для контроля xaaccTiui очнстки фотор/езиетов, а с/;едовательио, новьииення качеетва и нродеита .1хода изде.тий М 1крочлектроинкн. Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и я слюсоо (;11риделе1П1я К()ице1ггран, мнкрочаетин в фоторезнетах, основанный на ос;;еи1еннн кю15е:чл е фо орезистом ко.ттнмированным излучеиие:, и из.;е ктп1и потока из.1учення, ирглиедн1его че1)С;3 кювет} е фоторезнстом, о т ;i н ч а ю Hi, и ii с я -IXXM, что, с де.:1ью иовьпнемия точноети и ксиресеноели, 11з. ноток к ;1учеиия, раесеянный в направлении 4 0,5 ol оси нpя ;oнpoиleдшего HOT(jKa в Ie.ieeiiOM yr.ie 0,015 ;-0,005 1 iio от()И С11ию рассеяшюго и лаи-гч i:uтo oв с:1;)еделяк)Т коил К)О;аетид. уСЛ031 Н ТлЛ;- - 06 1 -78. 5;| i-Hii; ;,ui с1П1-РН-7, н. 4.8. ;.И :;фрИ ; К. ;. ii Колмаков II. В. «Выра )(.)в aacTinr иу ) .-Jii.HieiiiiSiM 1 идикат)неa;ib:x г.хов/. 1131кстия ЛП (л (,Р, сер. с15илмча (|)(:р1 и океана, ;. 3, Л; 12,И)о7, е. 127.

J x/J7 o)