Диэлектрический материал Советский патент 1975 года по МПК C03C3/22 H01B3/08 H01L1/02 

Описание патента на изобретение SU466196A1

1

Предлагаемый диэлектрический материал предназначен для изоляции элементов интегральных схем.

Известен диэлектрический материал на основе кристаллического стекла, содержащего SiOa, ZnO, LiaO, К2О, PaOg.

Цель изобретения - улучшение адгезии к металлам и повышение коэффициента линейного термического расширения - достигается благодаря тому, что предлагаемый диэлектрический материал дополнительно содержит окись переходного металла, например хрома (Сг20з), при следуюш:ем количественном соотношении исходных компонентов (вес. %): SiOz50 -85

ZnO0,5-50

LiaO5 -35

KsO2-6

PaOs0,5-6

СггОз0,5- 5.

Диэлектрический материал получают следуюш,им образом.

Порошки исходных химически чистых компонентов Si02, ZnO, LiaCOs, КаСОз, (NH4)2HPO4, СгзОз смешивают в определенном соотношении для получения стекла состава SiOa - 82, ZnO - 5,5, Li20 - 12,5, К2О - 3,0, Р2О5 - 3,0, СгаОз - 0,8 вес. %, плавят нри 1400-1450°С в течение 1 часа.

Стекломассу отливают в виде образцов необходимой конфигурации или гранулируют.

Предлагаемый материал может быть иснользован для изоляции металлических элементов в штырьковых и плоских корпусах интегральных схем, а также для изготовления многослойных структур. В качестве проводников и металлических деталей могут быть использованы металлы и сплавы с высоким коэффициентом линейного термического расширения (медь, никель, 47НД и другие бескобальтовые сплавы).

Гранулят, приготовленный описанным способом, измельчают до удельной поверхности

7500 и на основе этого стекла и органической связки готовят шликер. Из шликера литьем под давлением получают изделия необходимой конфигурации. Заготовки собирают в графитовые формы и нагревают до 900-

1100°С для получения прочного изделия.

Изделия затем подвергают термообработке при 650-850°С в нейтральной или слабовосстановительной среде.

Предмет изобретения

Диэлектрический материал, преимуш,ественно для изоляции элементов интегральных схем, на основе кристаллического стекла, содержащего Si02, ZnO, Li2O, К20, Р2О5, о т л ичающийся тем, что, с целью улучшения

его адгезии к металлам и повышения коэффициента линейного термического расширения, он дополнительно содержит окись переходного металла, например хрома (СгдОз), при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес. %):

50 -85 0,5-50 5 -35 2-6 0,5- 6 0,5- 5.

Похожие патенты SU466196A1

название год авторы номер документа
Стекло для стеклокристаллического материала 1976
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Гребенткова Валентина Иосифовна
  • Батюня Людмила Павловна
  • Зюбрик Алексей Иванович
SU568607A1
ЛЕГКОПЛАВКОЕ СТЕКЛО 1973
  • В. И. Вахрамеев, Б. В. Фармаковский Е. В. Шувалов
SU374243A1
Стекло для изоляционного покрытия металла 1990
  • Бобкова Нинель Мироновна
  • Папко Людмила Федоровна
  • Зайдман Сергей Александрович
  • Ермолаева Лилия Ринатовна
SU1754682A1
Стекло для получения покрытий на керамических подложках 1975
  • Тарасов Борис Васильевич
  • Каплина Элли Николаевна
  • Артамонова Галина Ивановна
  • Жукова Татьяна Семеновна
  • Кузина Надежда Васильевна
SU550350A1
Стекло для ситаллоцемента 1989
  • Бобкова Нинель Мироновна
  • Папко Людмила Федоровна
SU1620427A1
ГЛАЗУРЬ 1973
  • Витель Г. В. Куколев, Г. Штефан, Г. Б. Обухова, В. К. Левитский А. Н. Сметанина
SU404795A1
Глазурь 1976
  • Штейнберг Юлия Григорьевна
  • Тюрн Эльви Юлиусовна
  • Макарова Валентина Николаевна
SU612907A1
ШЛИКЕР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЖАРОСТОЙКОГО СИТАЛЛОВОГО ПОКРЫТИЯ 2000
  • Зубехин А.П.
  • Манышева Е.А.
  • Попова Л.Д.
  • Волченко И.И.
RU2183598C2
Стеклокристаллическое эмалевоепОКРыТиЕ 1979
  • Евстишенкова Валентина Ефимовна
  • Марковская Елена Васильевна
  • Лавут Эдуард Иосифович
  • Ушаков Даниил Федорович
SU808403A1
Стекло для стеклокристаллического материала 1990
  • Щеглова Меланья Дмитриевна
  • Дворниченко Ирина Николаевна
  • Должикова Галина Валерьевна
  • Бенаи Анна Александровна
  • Городничая Валентина Сергеевна
  • Суслова Елена Павловна
  • Витко Ольга Ивановна
SU1717568A1

Реферат патента 1975 года Диэлектрический материал

Формула изобретения SU 466 196 A1

SU 466 196 A1

Авторы

Петрова Валентина Захаровна

Гребенькова Валентина Иосифовна

Поспелов Алексей Николаевич

Чеснаков Анатолий Анатольевич

Даты

1975-04-05Публикация

1973-02-14Подача