1
Изобретение относится к антикоррозионным покрытиям для металлов, преимущественно для. стали и сплавов и может быть использовано для эмсширования химических аппаратов и как Электрой зол яцион.ное .антикоррозионное и жаростойкое покрытие для различных датчиков и деталей электроники. .
Известен состав стеклокристаллической эмали, содержащий вес.%: 310261,3-76; В20,,3-3,2; МоО.о,0,20,4; СаО 0,2-1,4; 8-9,6,- Kzp 0,8-1,6; 0,5-1,6, BaO 9,918,7, MnD 1,4-3,2 l .
Состав имеет температуру обжига 840-930 0.
Наиболее близким к предлагаемому является состав стеклокристаллической эмали, содержащий, вес.%: ,5-6,5/siOa 53-75; .сгаОзО,22,5; MgO 1,0-16; ОаО.. 2-1,6/ ZnO 1-8; Li2.O 1,5-10,5; NiO 0,2-8;Ыа2О 1-14,KiO 0,5-4,0 2.
Недостатками известных составоз являются высокий коэффициент температурно-линейного расширения (КТЛР) (120-130) Ю и высокая температура обжит а покрытия 950-1050 С, что не позволяет использовать эту
эмаль для покрытия углеродистых конл струкционных сталей, так как несоответствие КТЛР стали и покрытия приводит к облетанию покрьтия, а температура обжига намного превосходит ту, при которой начинается интенсивное окисление углеродистой стали.
Цель изобретения - снижение коэф фициента термического расширения
0 и температуры обжига.
Поставленная цель достигается тем, что стеклокристаллическое эмалевое покрытие, включающее SiO2/ СаО, NagO, ZnO, KjO, NIO, MgO, 5 LiiO, дополнительно содержит CaFj
при следующем соотношении компонентов вес.%:.. SiO 2 65,9-70; СаО 4,6-5; 0,6-1; ZnO 3,6-4,6; K,jO 2,83,6;- PaOj 1,8-2,2,.СГ20з 0,3-1; NiO 1,3-1,5; MgO 2,7-3,7; Li,O 8,1-9,3;
0 CaFa3,l-3,4.
В табл. 1 приведены примеры эмалевого покоытия. -,
Таблица,
Продолжение табл. 1
Технология приготовления предлагаемого покрытия включает следующие стадии.
1) Варки литийсодержащего стекла, имеющего состав, вес.%: SiO 76;
zno 6f 12;к2.о з; РгО з. варку
ведут при 1450-1550 С в течение 3-4ч, Расплав вырабатывают в воду для получения ФРИТТЫ.
2)Варка пироксенового стекла, имеющего состав, вес.%: SiO 56,9;
MgO 10,9; CaO 16,9; NiO 5,2; Li,0 1, Na.O 2,7; K,O 4 , i; , 8. Варку ведут при 1380-1400°С в течение 3-4ч с перемешиванием после 2-х часов варки. Расплав вырабатывают грануляцией на воду.
3)Приготовление шликера, -имеющего состав, вес.ч.:
Фритта литийсодержащего
70 стекла
Фритта пироксенового
30 стекла 3-4 CaFQ.
Дисперсионная среда (водная или органическая , например бутило100вый спирт) Шликер размалывают в шзровой мельнице в течение 16-18 ч, фильтруют от посторонних включений через капроновое сито и наносят на изделия методо облива, пульверизации или электрофореза. Покрытие сушат и обжиггиот при 840-860°С. При этом получсцот гладкое прочное эмалевое покрытие, в котором в качестве основных фаз присутствуют -кварц и пироксен.
В табл. 2 приведены свойства известного и предлагаемого составов.
Таблица 2
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Грунтовая эмаль | 1980 |
|
SU887496A1 |
Фритта для грунтового эмалевого покрытия | 1980 |
|
SU925890A1 |
Фритта для грунтового эмалевого покрытия | 1981 |
|
SU1014807A1 |
Эмаль | 1979 |
|
SU798062A1 |
Грунтовая эмаль | 1979 |
|
SU783253A1 |
Эмалевый шликер | 1990 |
|
SU1728148A1 |
Масса для получения эмалевогопОКРыТия HA СТАли | 1978 |
|
SU796199A1 |
Силикатное эмалевое покрытие для внутренней защиты стальных трубопроводов | 2020 |
|
RU2769688C2 |
Жаростойкое полифункциональное покрытие | 2023 |
|
RU2812460C1 |
Эмалевый шликер | 1977 |
|
SU697416A1 |
0,5 0,1 0,05 0,02 H 1,2 0,8 15,0 15,4
Формула изобретения
Стеклокристаллическое эмалевое покрытие, включающее SiOj, СаО,, NanO, ZnO, KjO, PjOf , NiO, MgO, LijO, отличающееся тем.
0,1
0,1
0,02 . 0,02
0,8
0,8
16,0
15,8
что, с целью снижения коэффициентов термического расширения и температуры обжига, оно дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов, вес.%: SiOa 65,9-70; 65,СаО 4,6-Ь; NajiO 0,,6-i; ZnO 3,6-4,6; KjO 2,8-3,6; ,2; (),3- 1; NiO l,3-i;5,. MgO 2,7-3,7; 8,1-9,3; CaFa 3,1-3,4. ппиня. ,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 544239, кл. С ОЗ С 7/00. 1975 ,. 2- Авторское свидетельство СССР 405830, кл. С 03 С 7/04, 1971.
Авторы
Даты
1981-02-28—Публикация
1979-05-07—Подача