Сегнетокерамический материал Советский патент 1975 года по МПК C04B35/468 

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано при производстве керамических низковольтных конденсаторов.

Известен сегнетокерамический материал на основе титаната бария.

Однако этот материал имеет сравнительно низкую диэлектрическую проницаемость.

С целью повышения диэлектрической проницаемости сегнетокерамического материала он дополнительно содержит ниобат бария и алюминат лантана при следующем соотношении компонентов, вес. %:

Титанат бария92,7-96,0

Ниобат бария3,0-7,2

Алюминат лантана0,3-0,8.

Сегнетокерамический материал имеет величину диэлектрической .проницаемости не менее 1500 при 1 КГЦ и 25°С. Конденсаторы, изготовленные из нового материала, имеют стабильность емкости ±15% в интервале рабочих температур от -60° до -|-85°С.

Изготовление керамических низковольтных конденсаторов осуществляется по обычной керамической технологии - смешением исходных компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 1220- 1270°С.

Предмет изобретения

Сегнетокерамический материал, преимущественно для изготовления низковольтных конденсаторов, на основе титаната бария, отличающийся тем, что, с целью .повышения диэлектрической проницадмости, он дополнительно содержит ниобат бария и алюминат лантана при следующем соотношении компонентов, вес. %:

92,7-96,0 3,0-7,2 0,3-0,8.