Т1эобретение относится к радиоэлект ронной технике и может быть использовано преимущественно дпя изготовпёния низковольтных кеоамнческих конденсаторов. . Известны матерналы апя изготовления сегнетокерамическнх конценсапгоров на основе титанета бартя 1 . Оцнако они, как , не могут обеспечить получение материала с диэлектрической нроницаемостью более ЗООО. Техническим решением, наяболее близким к предлагаемому, является материал, в котсфый вхоцят следукяцие компоненты, вес.%: Титанат бария92,7-,0 Ниобат бария3,0-7,2 Алюминат лантана0,3-0,8{2. Величина диэлектрической прюницаемоо ти этого материеига относительно невелика и составляет 15ОО. Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости. Это достигается тем, что сегнетоэпектрический керамический материал, пре мушеста&нго пяя изготовления низковольтных Еерамячесаих конденсаторов, ооаержвшяй тяТЁяат и ниобап бецяя, дополввтеяыю содержит оксиды лантана и титане при следующем соотношен Ш компонентов, вес.%: Титанат берия94,6-96,4 Нробат бария2,5-4,9 Оксид лантана0,О5-О,3 Оксид титгшаО,45-О,8 Предлагаемь4 матери ал получают следующим образом. Порошки исходных компонентов в требуемом количее ве измельчают и перемешивают в вибро лельннце, после чего в смесь добшпяю пластификатор (поливиниловый спирт или парафин) и прессуют заготовки, либо готовят шликер и отливают керамическую пленку, уплотняют ее и оформляют заготовки в виде.пакетов монолитных конденсаторов. Заготовки обжигают в печах пря 135О-1450°С в течение 2 ч и получают пакеты монолитных конденсаторов ifta керамическое тело, на поверхность которого наносят обкладки пу тем вжигания серебряной пасты или элекГ рохимическим никелированием. Пример. Загружают в вибромел ницу в виде порошков следующие компонен ты, вес,%: титанат бария (удельная поверх ность не менее 10 м /г) - 94,6; ниобат бария - 4,9; оксид лантана - О,05; оксид титана - 0,45, Характеристики материала в этом случае следующие: диэлектрическая проницаемость 50ОО-55ОО, изменение емкости в интервале температур «минус 60 Тгпюс составляет-47 - -35%, тангенс угла диэлектрических потерь 0,5-0,7% при 1 кГц, удельное сопротивление Ом.см. Пример 2. В вибромельницу в ни- де порошков загружают следующие компоненты, вес.%:титанат бария (удельная поверхносгь не менее 1О м /г) - 96 ,-4; ниобат бария - 2,5; оксид лантана О,3; оксид титана - 0,8. Характеристики материала: диэлектрическая проницаемость 5400-6ООО, изм& нение емкости в интервале температур минус 60 -i-плюс составляет - 38 - 12%, тангенс угла диэлектрических потерь 0,7-1,0, удельное сопротивление 1О -10 Ом.см, Пример 3-(по среднему значению Загружают в вибромельницу в виде порои ков следующие компоненты, вес.%; титанат бария (удельная поверхность не менее .10 мЧг) - 96,3;ниобат барИя - 3,0; оксид лантана - О,1; оксид титана - 0,6. Характеристики материала: диэлектрическая проницаемость 5800-6100, иэмеНение емкости, в интервале температур минус 85°С составляет -42 -25%, тангенс угла диэлектрических потерь 0,5-0,7, удельное сопротивление .смГ Как видно из приведенных данных, величина диэлектрической проницаемося-и 5ООО-6ООО, Конденсаторы, изготовляемые из этого материала, имеют.стабильность емкости :+5О% в интервале температур минус 60 - плюс . формула изобретения Сегнетоэлектрический керамичесжий материал, п{зе мущественно для -изготовления низковольтных керамических конденсаторбв, содержащий титанат бария и ниобаг бария, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости материала, он дополнительно содержит оксиды лантана и титана при следующем сротнощении компонентов, вес.%:. Титанат бария94,6-96,4 Ниобат бария2,5-4,9 Оксид лантанаО,О5-О,3 Оксид титанаО,45-О,8 Источники информации, принятые во внимание лри экспертизе 1.Патент США № 3352697, кл. 106-39, опублик/1967. 2.Авторское свидетельство СССР . NO 47О506, кл. С 04 В 35/00, 1975.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1981 |
|
SU975680A1 |
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала | 1982 |
|
SU1028644A1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1982 |
|
SU1085964A1 |
Сегнетоэлектический керамический материал | 1977 |
|
SU697462A1 |
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1992 |
|
RU2035435C1 |
Сегнетокерамический материал | 1978 |
|
SU692812A1 |
Сегнетокерамический материал | 1973 |
|
SU470506A1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1981 |
|
SU962263A1 |
Шихта для сегнетоэлектрического керамического материала | 1981 |
|
SU948973A1 |
Сегнетоэлектрический материал | 2022 |
|
RU2786939C1 |
Авторы
Даты
1980-06-25—Публикация
1978-11-27—Подача