Полупроводниковый ключ Советский патент 1975 года по МПК H03K17/41 H03K17/60 

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике, может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной связи для коммутации высокочастотных импульсных сигналов в электрических цепях.

Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные входпой и выходной эмиттерные повторители, причем база транзистора выходного эмиттерного повторителя соединена с общей шиной через управляющий транзистор, база которого подключена к выходу предварительного усилителя, выполненного, нанример, на двух транзисторах, первый из которых включен по схеме эмиттерного иовторителя, второй - по схеме с общим эмиттером, а между эмиттером первого и базой второго транзистора включен диод.

Цель изобретения - повышение быстродействия устройства - достигается те.м, что в предлагаемый ключ дополнительно введен транзистор, коллектор которого подключен к эмиттеру транзистора выходного эмиттерного повторителя, э.миттер подключен ic общей шине, а база соединена с базой управляющего транзистора.

Схема полупроводникового ключа изображена на чертеже.

Входной и выходной эмиттерные повторители, которые ооразуют цепь прохождения сигнала, выполнеиы на транзисторах / и 2, резисторах 3-6, причем параллельио резистору 6 включен диод 7, а база транзистора 1 соединена со входной щиной через конденсатор 8. Базы управляющего транзистора 9 и дополнительного транзистора 10 через резисторы // и 12 соединены с выходом предварительного усилителя, содержащего транзисторы 13, 14, резисторы 15-18 и диоды 19-21.

При отсутствии на управляющем входе запреи1ающего сигнала транзисторы 13, 14 открыты, а транзисторы 9, 10 закрыты. Поступающие на вход сигналы в этом случае проходят на выход через открытые транзисторы 1 м 2 входного и выходного эмиттерного повторителей.

При поступлении на управляюицп вход запрещающего сигнала низкого уровня, транзисторы 13 и 14 закрываются, а транзисторы

9и 10 открываются. При этом траизистор 9 щуь:тирует эмиттерно-базовый переход транзистора 2, что приводит к его выключению, а транзистор 10 щунтирует резистор 5. Шунтирова ие резистора 5 открытым транзистором

10обеснечизает ускоренный разряд емкости .агрузки, что в конечном счете повышает быстродействие устройства.

П р е д е т изобретения

Полупроводниковый ключ, содержащий последовательно соедииепиые входной и выходной э.миттерные повторители, причем база транзнстора выходпого эмнттерного повторителя соединена с общей щиной через управляющий транзистор, база которого подключела к выходу предварительного усилителя, выполненного, иапрнмер, на двух транзиеторах, первый из которых включен по схеме эмиттериого повторителя, второй - по схеме с общим элгиттером. а между эмиттером нервого и базой второго транзистора включен диод, отличающийся тем, что, с целью повышеиня быстродействия, дополпнтельно введен транзистор, коллекто) которого подключен к эмнттеру транзистора выходного эмиттерного повторителя, эл1иттер нодключен к об1ней щиие, а база соединена с базой унравляюн.его транзистора.

I /о

V

--ef

-0 Зьп:

гЛ „-.

т

./ i

XJ а../

f

I

I b

X