На затворе транзистора 3 потенциал
.равен Епип ПОр Щ «РО овое напряжение транзис ора 5.
При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 2 О (конец импульса) транзи- 5 сторы 2 и 4 закрываются, и потенциалы на левой обкладке конденсатору 6 ,
затворе траийистора повышаются. По.
1&ь1шение потенциала передается на правую обкладку конденсатора 8, что повышает . JQ потенциал на затворе транзистора 1. Посл дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора l протекает лави-, нообразно до тех пор, пока потенциал на левой обкладке конденсатора 8 не станет jg равным ЕЛЦД, а потенциал на затворе тран зистора 1 равным л Повышение потенциала на Затворе Tpflbf зистора 1 через ускоряющий конденсатор 6 передается на верхнюю обкладку конден- 20 сатора 6 и будет равен cjfMMe 2 ц -и -ди и разности потенциалов на обкладЯОЬо
ках кондесатора о.
Транзистор 3 при этом будет открыт. 25 При больших длительностях входного сигнала потенциал нг затворе транзистора 10-будет несколько меньше потенциала на| аатворе транзистора 9 (на верхней обклад ке конденсатора б),.и транзистор 9 будет 30 открыт. Высокий потенциал через него передается на затворы транзисторов 1О и
.J18, обеспечш&ая их олное открывание. Амплитуда выход1у го сигнала будет равна напряжению источнику питания. I ,Во время действия отрицательного itMi/f яупьса на входе 2 О транзистор 9 запирается i из-за понижения потенциала на его затворе. Открытое состояние транзисторов 1О )н 18 поддерживается за счет заряженных паразитных емкостей затвор-исток этих транзисторов. Разряд этих емкостей мал лри малых длительностях импульсов внеш-; |иего генератора, поэтому транзисторы 10; 18 не успевают закрыться и, следовате| ь(но, амплитуда выходного сигнала на выхо-г |де 21 будет постоянной и равной нaпpяжet |ншо источника питания при любой, длительш IpocTH входного сигнала.
: Предмет изобретения
Формирователь импульсов на МОП-тран | зисторах по а.с, № 42О125, о т л и ч a-t to щ и и с я тем, что, с цель 5 стабили- зации амплитуды формируемого импульса при изменении длительности входного сиг-ч нала, в него введен второй формираватель импульсов, выход крторэг6 1одключен к| повторяющему входу дополнительного двухтактного усилителя, а вход - к внешнему .генератору, при этом в выходной двухтакн тный усилитель введен транзистор в двух-п полюсном включении.
.
пит
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Стробируемый усилитель | 1986 |
|
SU1332525A1 |
Симметричный мультивибратор на моп-транзисторах | 1974 |
|
SU500577A1 |
Постоянное запоминающее устройство | 1986 |
|
SU1388950A1 |
Усилитель-формирователь на металло= диэлектрических полупроводниковых транзисторах | 1974 |
|
SU531284A2 |
Емкостное накопительное устройство | 1973 |
|
SU500580A1 |
Формирователь тактовых импульсов | 1975 |
|
SU566355A1 |
Квазистатическое счетное устройство на МДП-транзисторах | 1986 |
|
SU1319255A1 |
Формирователь импульсов на моп-транзисторах | 1978 |
|
SU790335A1 |
Емкостное накопительное устройство | 1975 |
|
SU555540A1 |
Ячейка памяти на МДП транзисторах | 1981 |
|
SU968854A1 |
Авторы
Даты
1975-11-25—Публикация
1973-10-01—Подача