Сплав на основе кобальта Советский патент 1975 года по МПК C22C19/00 

Описание патента на изобретение SU495378A1

1

Изобретение относится к области металлургии, в частности к изысканию сплава на основе кобальта, который может быть использован в электротехнической и электронной промышленности для получения резисторов с сопротивлением, не зависящим от температуры в интервале 80-350° iK, и низкотемпературных нагревательных элементов.

В настоящее время для резисторов и нагревательных элементов применялись такие сплавы, как константан, манганин, нихром. В последнее время появились сообщения о попытках получения новых высокоомных резистивных материалов на базе таких, например, интерметаллических соединений, как моноалюминид никеля.

Известен сплав на основе кобальта следующего химического состава, вес.%:

Германий42,5

КобальтОстальное

Удельное электросопротивление сплава составляет 1,85Х10 омХм и весьма слабо,зависит от температуры винтервалеминус 173- нлюс 27° С. В интервале плюс 27-плюс 177° С удельное электросопротивление этого сплава практически не зависит от температуры.

С целью получения удельного электросопротивления, не зависящего от температуры в интервале минус 190-плюс 100° С, предлагаемый сплав имеет следующий химический состав, вес. %:

Германий41,1-41,4

КобальтОстальное

Сплав имеет удельное электросопротивление не менее 1,75X10- омХм и не зависит от температуры в интервале минус 190-плюс 1QO°C.

Сплав кобальт - германий, содержащий 58,7 вес. % кобальта и 41,3 вес. % германия, был приготовлен из кобальта марки К-О (99,98% Со) и полупроводникового германия (99,99% Ge). Сплавление проводили в индукционной печи в атмосфере аргона с использованием тиглей ЛиОз.

Для выращивания монокристаллов способом Чохральского была использована установка с графитовым нагревателем, допускающая частичное тепловое экранирование растущего слитка. Материалом тиглей служила окись алюминия (А120з), практически не взаимодействующая с расплавом. В процессе роста кристалла (со скоростью близкой к 1 мм/мин) тигель и затравка вращались в противоположных направлениях со скоростями 20-30 и 60-80 об/мин соответственно. В качестве затравок использовали поликристаллические стержни диаметром 3-4 мм того же состава, что и расплав.

Монокристаллические слитки длиной 80- 100 мм, диаметром 20-25 мм получали в результате образования шейки перед выходом на диаметр. Для выращивания кристаллов в определенном направлении на электроэрозионном станке вырезали ориентированные затравки. Слитки, вытянутые на поликристаллических затравках, росли в направлениях, близких к 212. Указанные выше условия вырашивания обеспечивали при этом практически плоский фронт кристаллизации. Получены были лгонокристаллы и в направлении 001 в тех же условиях.

Удельное электросопротивление монокристаллического Coi,75Ge составляет 1,75-10

омХм для направления 100 и 2,6-10 омХ XM - для 001. При этом в обоих случаях в пределах ошибки измерений (±3%) электросопротивление не зависит от температуры.

Формула изобретения

Сплав на основе кобальта, содержащий германий, отличающийся тем, что, с целью получения удельного электросопротивления, не зависящего от температуры в интервале минус 190-плюс 100° С, он имеет следующий химический состав, вес.%:

Германий41,1-41,4

КобальтОстальное

Похожие патенты SU495378A1

название год авторы номер документа
Способ радиального разращивания профилированных монокристаллов германия 2016
  • Каплунов Иван Александрович
  • Колесников Александр Игоревич
  • Третьяков Сергей Андреевич
  • Айдинян Нарек Ваагович
  • Соколова Елена Ивановна
RU2631810C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРОЙНОГО СОЕДИНЕНИЯ ЦИНКА, ГЕРМАНИЯ И ФОСФОРА 2023
  • Ульянов Сергей Николаевич
  • Подзывалов Сергей Николаевич
  • Трофимов Андрей Юрьевич
  • Грибенюков Александр Иванович
  • Юдин Николай Николаевич
  • Зиновьев Михаил Михайлович
  • Лысенко Алексей Борисович
RU2813036C1
НАГРЕВАТЕЛЬ УСТРОЙСТВА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 2013
  • Алимов Олег Михайлович
  • Аношин Константин Евгеньевич
  • Ежлов Вадим Сергеевич
RU2531514C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 2013
  • Алимов Олег Михайлович
  • Аношин Константин Евгеньевич
  • Ежлов Вадим Сергеевич
RU2534103C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ С ЦИКЛИЧЕСКОЙ ДВОЙНИКОВОЙ СТРУКТУРОЙ 2002
  • Кибизов Р.В.
  • Лебедев А.П.
RU2208068C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1999
  • Ремизов О.А.
  • Джей Юн Квон
RU2193079C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ 2012
  • Ежлов Вадим Сергеевич
  • Мильвидская Алла Георгиевна
  • Молодцова Елена Владимировна
  • Колчина Галина Петровна
  • Меженный Михаил Валерьевич
  • Резник Владимир Яковлевич
RU2482228C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2003
  • Смирнов Ю.М.
  • Колесников А.И.
  • Каплунов И.А.
RU2241792C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм МЕТОДОМ ОТФ 2008
  • Голышев Владимир Дмитриевич
  • Цветовский Владимир Борисович
  • Быкова Светлана Викторовна
RU2381305C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ 2005
  • Каплунов Иван Александрович
  • Колесников Александр Игоревич
  • Смирнов Юрий Мстиславович
RU2304642C2

Реферат патента 1975 года Сплав на основе кобальта

Формула изобретения SU 495 378 A1

SU 495 378 A1

Авторы

Кренцис Радий Павлович

Фролов Александр Александрович

Мейзер Константин Иванович

Гельд Павел Владимирович

Даты

1975-12-15Публикация

1974-10-09Подача