Резистивный материал Советский патент 1976 года по МПК H01C7/00 C22C19/00 

Описание патента на изобретение SU501423A1

1

Изобретение отнооится к технологии Н:роизводства радиоэлактроииой аппаратуры и может использоваться для «зго/товления резистивных элементов на кера;мичвоких основаниях, преимущественно для изготовления резисТИ1ВНЫХ элементов толстопленочных интегральных -схем.

Известны рези1стив1ные материалы, преимущественно для изготовления толстопленочных резисторов, содержащие в качестве пр01водящей фазы бинарный сплав металла платиновой группы, например палладия, и металла переходной группы, стекло и органическое связующее.

Цель изобретения - улучщение воспроиз/води;М1Ости номиналов резисторов, повыщение их стабильности и снижание температурного коэффициента сонротивлений (ТКС).

Это достигается тем, что предлагаемый резистивный материал в качестве металла переходной группы содержит никель при следуюп1ем соотношении исходных компонентов,

Никель-палладиевый сплав 20-40 Стекло.40-60

Органическое связующее18-22

Причем материал содержиткомпоненты

бинарного сплава в следующихколичествах,

зес. %:

2

Палладий80-85

Никель15--20

В зависимости от технологического исполнения гибридной интегральной схемы (тип подложки, материал изолирующего слоя, рабочая температура) в составе резистивного материала могут быть использованы свинцовоцинкоборатное или свинцовоборосиликатптое стекла. ВВедение никеля и использование в качестве проводящей составляющей пикель-палладиавой системы в виде твердого раствора позволяет получить следующие характеристики резистИВных элементов: воспроизводимость номиналов не хуже ±10%, темлературный коэффициент сопротивлений -(-50 - ±150) 10 1/град. Введение никеля в проводящую сО|Ставляющую позволяет исключить миграционные эффекты, что повышает воспроизводимость номиналов резистивных элементов. Никель-палладиевая система упорядочивает процесс спекания, уменьшает температурный коэффициент сопротивлений резистивных элементов.

Резистивный материал приготавливают путем Механического перемешивания проводящей составляющей и стекла в органическом связующем. Проводящую составляющую получают электрохимическим, химическим или другими способами в виде твердого раствора. 3 Содержание 1никеля в системе составляет 15-35 вес. % и может варьироваться в процессе приготовления. . Формула изооретения 1. Резистивный материал, преимущественно для изготовления толстопленоч ых резисторов, содержащий в качестве проводявхей фазы бина:рный сплав металла платиновой группы, «апример палладия, И металла переход-К) ной группы, стекло и органическое связующее, отличающийся тем, что, с целью улучщения воспроизводимости номиналов резисторов. 4 . повышеиия их стабильности и снижения ТКС, в качестве металла переходной груипы он содержит иикель при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %: Никель-палладиевый сплав 20-40 Стекло 40-60 Органическое связующее 18-22 2. Резвстив ный материал по п. I, отличающийся тем, что ОН содержит ком1ПО:Нвнты бинарного сплава в следующих количествах, вес. %: Палладий 80-85 Никель 15-20

Похожие патенты SU501423A1

название год авторы номер документа
Резистивный материал 1972
  • Грачев Сергей Дмитриевич
  • Ермолаева Алевтина Ивановна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Лагутин Владимир Иванович
  • Лебедева Людмила Владимировна
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Пушкина Галина Николаевна
  • Таипов Рустем Абдурахманович
SU439851A1
Материал для толстопленочныхРЕзиСТОРОВ 1979
  • Панов Леонид Иванович
  • Федоров Виктор Николаевич
  • Гребенкина Валентина Георгиевна
  • Корнатовский Юрий Антонович
  • Соколовская Ирина Григорьевна
SU834773A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2014
  • Бавыкин Борис Владимирович
  • Малышев Илья Николаевич
  • Симаков Сергей Валерьевич
RU2552631C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ 1992
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Колдашов Д.Н.
  • Журавов В.Д.
  • Ушкова А.П.
  • Андронов Б.Н.
  • Измайлов Ш.З.
RU2026578C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2014
  • Бавыкин Борис Владимирович
  • Малышев Илья Николаевич
  • Симаков Сергей Валерьевич
RU2552626C1
Резистивный материал 1974
  • Бондаренко Эдуард Афанасьевич
  • Соколов Борис Павлович
  • Гараймович Ольга Алексеевна
  • Белозеров Валерий Георгиевич
SU517054A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СОСТАВ ПАСТЫ ДЛЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА 2016
  • Сидоренко Феликс Аронович
  • Кротов Алексей Дмитриевич
RU2658644C2
СТЕКЛО 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Костенич Л.А.
RU2069198C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОЛСТОПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ 2020
  • Васютин Максим Сергеевич
  • Косушкин Виктор Григорьевич
  • Адарчин Сергей Александрович
  • Островский Дмитрий Петрович
  • Бендрышев Юлий Николаевич
RU2755344C1
РЕЗИСТИВНО-ПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ 1997
  • Соколов Александр Евгеньевич
  • Шиков Алексей Юрьевич
RU2117348C1

Реферат патента 1976 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 501 423 A1

SU 501 423 A1

Авторы

Марков Александр Артемьевич

Таипов Рустем Абдурахманович

Химченко Юрий Иванович

Дунаев Анатолий Алексеевич

Даты

1976-01-30Публикация

1974-04-01Подача