Известны, резистивные материалы на ос.нове стеклообразуюших окислов Si О Na О, . , СаО, РЬ О, Зг.им материалам присущи температурная нестабильность, повышенная э. д. с. шумов и недостаточное удельное сопротивление (не более 30-40 ком/кв). Кроме того, структура покрытия неоднородна из-за неоднородного распределения окисной и проводящей фаз. Это, в свою очередь, вызывает большой разброс резисторов по номиналам и, как следствие, малы,й процент выхода год ных в производстве, что значительно удорожает их себестоимость. С целью расширения диапазона номиналов и получения низких значений ТКС, пред лагаемый материал содержит составные части в следующих количествах (вес. %): 5,3-30,0 3,8-10,7 9,2-16,7 В результате термической обработки все компоненты материала образуют стеклообразную фазу. Это происходит до нанесения резистивного покрытия. Предварительное тщательное перемешивание компонентов и обработка при температуре плавления шихты позволяют достичь высокой гомогенизапии материала. Из полученного данным способом материала образуют известными методами резистрвные элементы необходимой толщины и формы, после чего обработкой их при температурах выше 350°С в восстановительной газовой среде в течение заданного времени получают необходимый номинал сопротивления этих элементов. Во время термической обработки стеклообразных резистивных элементов в восстановительной среде водород, обладая большой проникающей способностью, однородно распределяется по объему элементов и восстанавливает окислы свинца до металла в той
степени, какая необходима для получения заданной электропроводности элементов. При этом свинеп, находясь в атомарной или коллоидальной форме, хорошо распределяется по объему резистивного элемента, что обеспеч.ивает высокий выход годных резисторов в номинал и повышенную их надежность. Таким образом, регулируя температуру резистивных элементов и продолжительность отжига в водороде или другой вос становительной газовой среде, можно с высокой воспроизводимостью получать необходимое электросопротивление этих элементов.
При выходе элементов из номинала в более низкоомную область их можно нодбгнать в номинал отжигом в окислительной среде.
В пленочном варианте резистивный материал и вышеописанная технология позвол5ь ют получать удельны.е сопротивления покрытий от 5-10 ом/кв до 100 50 ком/кв и ТКС от (2-3)-10-4 до )-10-4 градПомимо этого на одном и том же материале можно перекрывать большой диапазон номиналов сопротивлений - от нескольких ом до десятков и сотен мегом.
Резистивный материал дает возможность получать из одного и того же материала резисторы, с широким диапазоном номиналов сопротивлений при малой стоимости и сравнительно низких значениях ТКС, может npi меняться для изготовяе.ния толстопленочных и тонкопленочных резисторов широкого назначения .
Формула изобретения
Резистивный материал на основе стекло-образуюших окислов SiO , , CaO,
РЬ О, Na О и , о т л и ч а ю ш и йс я тем, что, с целью расширения диапазона ном.иналов и получения низких значений ТКС, он содержит указанные компоненты в следующих количествах (вес, %);
54,5-71,5 ОД-1,7 0,,3
5,3-30,0 3,8-10,7
9,2-16,7
