Магнитный запоминающий элемент Советский патент 1978 года по МПК G11C11/08 

I

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах со структурой 2Д.

Известны магнитные запоминающие элементы.

Характерным недостатком большинства из них является необходимость ручной сборки матриц элементов. Существует несколько технологий, в рамках которых матрица изготавливаетс rjJynnoBbiM методом.

Известен запоминающий элемент, приспособленный к групповому изготовлению на многоотверстной ферритовой пластине с печатными обмотками .

Известен также запоминающий элемэнт, выполненный; на 3-х отверстиях, прошитых через первое и третье отверстия числовой обмоткой и через второе отверстие - разрядной обмоткой.

Недостатком элемента является амплитудное различие выходных импульсов напряжения Ч и О 2 .

Наиболее близким по технической сути к предложенному является магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из материала с прямоугольной петлей гистерезиса с шестью отверстиями, расположенными в ряд и прошитыми двумя обмотками выборки соответственно через первое и шестое, третье и четвертое отверстия в противоположных направлениях, и разрядную обмотку.

Недостатком этого элемента является амплитудное различие импульсов

о 3 .

и

Цель изобретения - повьндение надежности элемента путем применения фазового различия Ъ напряжениях i и - достигается тем, что разрядная обмотка прошита через.второе и пятое отверстия в одинаковых направлениях .

На фиг. 1 графически изображен магнитный запоминающий элемент; иа фиг. 2 - используемые магнитные состояния.

Магнитный запоминанмций элемент {фиг.1) выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, содержащем 3-8 отверстий, расположенных в ряд и прошитых первой обмоткой выборки 9 через 3 и 8 отверстия в противоположных направлениях, разрядной обмотки через 4 и 7 отверстия в одинаковых направлениях, второй обмоткой выборки 11 через 5 и 6 отверстия в противоположных направлениях.

Подача тока 3j в обмотку 9 приводит к надежному стиранию информации, так как элемент переходит в магнитно

С

показанное на

состояние

фиг.2, В разрядной обмотке 10 навоUi

дится импульс напряжения

О UQ ТОЙ ИЛИ другой полярности в зависимости от предьздущего магнитного состояния или О (фиг.2). Запись информации выполня,ется в следующем такте при совместном действии тока 321Г1Одаваемого в обмотку 11 и одного из токов 3po.C)pi

подаваемого в обмотку 10. Ток Пр,(Лр; нарушает баланс в магнитопроводе элемента и изменение магнитного потока центральной перемычки замыкается 13 основном вокруг левых (правых) трех отверстий и элемент попадает в

О

(1- М .

состояние

Предложенный элемент может хранить троичную информацию. Третье состояние возникает при отсутствии токов 3po,:}pj в момент действия тока.

При использовании элемента в запоминающем устройстве ток DJ может быть числовым током, ток 3 может быть числовым, разрядным или общим. Ток Э может быть постоянным током

смещения, в этом случае амплитуда

и. должна быть соответственно

тока

увеличина

изобретения

Фо 5мула

Магнитный заиомин. элемент, содержащий пластину из материала с прямоугольно потлей гистерезиса с шестью отверстиями, расположе 1ными в ряд и ПРО111ИТ1ЛМИ обмотками выборки соответственно через первое и шестое, третье и четвертое отверстия в противоположных направлениях, и разрядную обмотку, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью повьпиения надежности элемента, разрядная обмотка прошита через второе и пятое отверстия в одинаковых направлениях.

Источн1 ки информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Заявка № 2155895/24 от 10.07.7 по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.

2 Авторское свидетельство СССР № 225926, кл. q 11 С 11/14, 1974.

3. Заявка № 2057955/18-24 от 9.09.74, по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.

ф р о-о р о

/

/

/

V

/

/

/

/

.Ф Р 9

т) ГЛ

, 2|h

fffffoU®ii0ff®H®Uoifttt

IJ/U,I jl I2&lp

- с

fffft®HoHoHof|oH©fffff

1, I 1

fffiloH0H0ff®H®iMt(tl