Негативный фоторезист Советский патент 1976 года по МПК G03C1/52 

(54) НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ

И-зобретение относится к рдциоэлектрони- ке, Б частности к полупроводниковой технике. Известек il фоторезист, светочувствител|зный слой которого в качестве светочувстзйтельной компоненты содержит ароматичео™ кие даазиды, а в качестве пояшугерной основы - каучуки с кво&аыии связямн. Известен 2j также негативный фоторе- зйст, включаюишй подложку и светочувстйительный слой содержащий в качестве поли мерной основы эпоксидированный циклокаучук, а в качестве светочувствительной компоненты ароматкчсжкйй азид, например 2,6-бис-( 4-аа1адобензиявден) 4 ь5етияцйклогеК саноНс Однако прймекенйв ©того фоторезиста не козБоляет селективно легировать полупровод шковые пластины фосфором. Пень изобретения - селективное легирование пояупр зводниковых пластин йюсфоромдосГЕгается тем, что в качестве ароматического азада слой содержит три- ил-ч яи«арнг«аз д фосфйнокскяа, например окись три-См--а.зицофекил)-к|юсфина, в количестве 0,55,0 вес.%, в пересчете на сухой полимер. Для изготойления негативного фоторезиста эпокскднрованный циклокаучук растворяют при перемешивании в неполярном растворителе, например 9-оксилоле, при комнатной теьйпературе и в полученный раствор в темноте добавляют светочувствительную компоненту. Такое проведение процесса позволяет исключить операцию травления полупроводниковых пластин, которая дает наибольший процент брака при изготовлении полупроводК1ЖОВЫХ элементов. Пример 1. Окись три-( м-азидофенил)фк;фина, 255 нм, (2,О-5,Ог) к эпоксидированный каучук (3,8% эпокси- групп, ЮО-ЮО г) растворяют в о-окси- доле, (ЮОО-ЮОО мл) и полученный светочувствительньЕЙ состав наносят на подложку яентрифугировакием, сушат при 6О С, облучакуг через диапозитивный монтаж УФ.иучЗяЧШ (лаьша ДРШ-250), засвечивают и проявляют обработки проявителемксилолом нлк уайт-с1ШрР том(1ООО-2ОООмл),

Диффузию проводят при 13ОО С в тече ние 4 час на воздухе в пластины р - S i с J 5О ом« см. Полученный р - П переход имел вольт-амперную характеристику, близкую к теоретической, и время жизни 1О мксе Разброс величин поверхностной концентрации на пластинах диаметром 30 мм не превьпиает 20%. Поверхностная концентрация

1О-15 10-18

в зависимости от концентрации ароматического азида и режима диффузии.

Пример 2. Проводят те жэ операции, что и в примере 1, но используют эпоксидированныйциклокаучук, содержащий 2,6% эпоксигрупп.

Пример 3, Поступают, как в примере 1, но применяют окись метил-ди-(м-азидофенил)-фосфина, 52 нм (0,51,0 г).

Пример 4. Проводят опыт, как в примере 3, но используют циклокаучук, содержащий 2,6% эпоксигрупп.

Формула изобретения

Негативный фоторезист, включающий подложку и светочувствительный слой, содержа- щий в качестве полимерной основы эйоксидированный циклокаучук, а в качестве светочувствительной компоненты ароматический азвд, отличающийся тем, что, с целью селективного легирования полупроводниковых пластин фосфором, в качестве ароматического азида слой содержит три- или циаршшавд фосфинокснда, например окись три-(м-азвдофенш1)фосфина, в количестве 0,5-5,0 вес.% в пересчете на сужзй полимер.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1 Патент США № 3679670, кл. 96-98, 1972.

2. Авторское сввдетельство СССР № 211317, кл. G03C1/52, 1968.