Негативный фоторезист Советский патент 1977 года по МПК G03C1/68 

1

Изобретение относится к области радиотехники с применением фоторезистов, способных образовывать рельефное изображение.

Известен негативный фоторезист, состоящий из подложки и слоя, включающего эпоксидированпый циклокаучук в качестве полимерной основы, 2,6-бис- (4-азидобензилиден) -4-метилциклогесанона (ДЦГ) в качестве светочувствительного компонента и растворитель .

Недостатком такого фоторезиста является неспособность к легированию. При его применении необходима дополнительная стадия легирования неорганическими диффузантами, что усложняет технологический процесс.

Цель изобретения - изготовление негативнего фоторезиста, способного к селективному легированию подложки элементом бором.

Для этого предлагают дополнительно вводить в слой известного негативного фоторезиста нолиэфиркарборанадинината при следующем соотношении компонентов, вес. %:

Полиэфиркарборанадипипат6,4-10,5

Эпоксидированный циклокаучук 3,5-6,4

2,6-Бис- (4-азидобензилиден) 4-метилциклогексанон0,64-0,7

РастворительОстальное.

Применение предлагаемого фоторезиста позволяет одновременно с получением рельефа при фотосщивке полимера, легировать кремниевую или германиевую нодложку бором, для

создания п-jU-переходов в полупроводнике. Светочувствительный слой получают следующпм образом. Борсодержащий полимер, применяемый в качестве пленкообразующего компонента фоторезпста, растворяют при перемещивании в неполярном растворителе, напрнмер о-ксилоле, при комнатной температуре. К раствору полиэфиркарборанадииината в о-ксилоле прибавляют раствор эпоксидированного циклокаучука в о-ксилоле. Затем к приготовленному раствору прибавляют 2,6-бис-(4-азидобензилиден)-4-метилциклогексанон в количестве 5 вес. %, считая на вес смеси сухого полимера, в качестве светочувствительного компонента слоя.

В прпмерах приведены составы композиции для получения светочувствительного слоя фоторезиста и растворитель для проявления, после экспонирования, рельефа.

Испытания фоторезиста показывают, что он пригоден для применения в радиотехнической и радиоэлектронной промышленности для создания полупроводниковых приборов.

Пример 1. Состав, вес. %:

Полиэфиркарборанадипинат 6,4-7,0

Эпоксидированный циклокаучук 6,4-7,0

2,6-Бис- (азидобензилиден) -4метилциклогексанон0,64-0,70

о-Ксилол86,55-85,30

Проявитель - ксилол.