Травитель для полупроводниковых материалов Советский патент 1977 года по МПК H01L21/306 

(54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

1

Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов преимущественно для травления кремния.

Известен травитель для получения углублений на вскрытой поверхности кремния на глубину 90О-10ООА , содержащий HNOj : HF : ;CHjCODH 6;l:2 ij.

Однадо этот травитель содержит фтористовод(Ч одную кислоту, поэтому нельзя получить углубления более 4ООО А, т.е. одновременно полностью стравливается защитный слой ,.

Наиболее близким по техническому решению к предлагаемому является травитель для полупроводниковых материалов, например кремния, содержащий фтористоводородную кислоту, азотную кислоту и азотнокислое серебро 2.

Однако этот травитель не позволяет получить полировашгую поверхность, и кроме того, растравливание в стороны (увеличение диаметра) составляет порядка 1О%,

Цель изобретения - уменьшение растра&ливания углублений.

Поставленная цель достигается тем, что компоненты травителя взяты в следующем

соотношении, вес.НГ; , 1:(5-7): :(0,1-2,5).

Пример. Вскрытие окон диаметром 60 мкм в защитном слое S-tOg осуществляют методом контактной фотолитографии. Для эт-ого на поверхность наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинонди- азида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин., в сушильном шкафу при 85 С в течение 15 мин. Э спонирование осуществляют при освещс :ности 600О лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125%-ном растворе NaOHB течение ЗО-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70°С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры до 170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин. Вскрытие окон проводят в травителр следующего состава:

9:1:0

ЩРHFНгО

при 6 С в течение 35 мин. После вскрытия окон защитный слой фоторезистора удаляют в в концентированнойНгЗО при 50 С. После уд ления слоя фоторезиста тщательно промывают, сушат и проводят контроль геометрических размеров отверстий, полученных в окис - ном слое с помощью микроскопа ММУ-3, Диаметр отверстий, полученных ,6O мкм,

Для получения углублений на поверхности кремния образцы подвергают травлению в

травителе следующего состава;

HF :HN03:AgN03 l : 5 - 7 : 0,1 - 2,5

(все компоненты марри ОСЧ или ХЧ). ГлуПолучение выпрямляющего контакта в уг- зо лублениях рекомендуется наносить сразу после вытравливания. Формула изобретения Травитель для полупроводниковых материалов, например, кремния, содержащий фтористоводородную кислоту, азотную кислоту и азотнокислое серебро, отличающий -40

бину вытравливания углублений контролируют с помощью микроскопа МИИ-4, Также с помощью этого микроскопа проводят контроль толщины защитной пленки , оставщейся после травления.

Как видно из представленной таблицы, наибольщая глубина углублений 10 мкм, при этом заиштный слой5102практически, не стравливается, что получается при использовании травителя следующего состава: HFHNO.AgN05 1:6:0,3. с я тем, что, с целью уменьшения растравливания, компоненты травителя взяты в следующих соотношениях, вес.ч: HF . Ag NO| l:{5-7) : (0,1-2,5) Источники инфор 1ади:И| принятые во внимание при экспертизе: 1.Патент Японии № 48-2511, 99 (5) А, опубл. 1973 г. 2.Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов Энергия М. 1968г, стр. 86 (прототип).