/о - радиус затравочного кристалла, R - радиус выращиваемого кристалла, / - путь, пройденный фронтом кристаллизации при соответствующем значении d, К - длина конусообразного перехода.
Формула изобретения
1. Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки путем определения значения диаметра зоны плавления на фронте кристаллизации с помощью телевизионной камеры и воздействия сигнала диаметра зоны плавления на механизм «растяжения-сжатия зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения качества выращиваемых кристаллов, по совокупности сигналов телевизионной камеры и значению диаметра зоны плавления онределяют угол раскрытия зоны плавления, по величине которого регулируют энергию, подводимую к зоне плавления.
2. Способ по п. 1, отличающийся ТеМ, что при выполнении конусообразного neijexoда между затравочным и вырапишаемым кр)1сталлами диаметр зоны плавления на фронте кристаллизации изменяют согласно следующей функции
+ ()с08.
где d - диаметр зоны плавления.
Го - радиус затравочного кристалла, R - радиус выращиваемого кристалла, / - путь, пройденный фронтом кристаллизации при соответствующем значени) d, К- длина конусообразного перехода.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1.Авт. св. № 210844, М. Кл. В 01J 17/10, 1967.
2.Авт. св. № 347073, М. Кл. В 01J 17/10, 1968.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ выращивания кристаллов методом Вернейля и установка для его осуществления | 1990 |
|
SU1820925A3 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ БЕСТИГЕЛЬНЫМ МЕТОДОМ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2009 |
|
RU2426824C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ АМОСОВА | 2004 |
|
RU2261297C1 |
| СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ КИРОПУЛОСА | 2014 |
|
RU2560395C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2320791C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МЕТОДОМ ОТФ CdZnTe, ГДЕ 0≤x≤1, ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм | 2009 |
|
RU2434976C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА НА ЗАТРАВОЧНОМ КРИСТАЛЛЕ, ОСТАЮЩЕМСЯ В РАСПЛАВЕ, В АВТОМАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ | 2009 |
|
RU2423559C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЕЩЕСТВ, ИМЕЮЩИХ ПЛОТНОСТЬ, ПРЕВЫШАЮЩУЮ ПЛОТНОСТЬ ИХ РАСПЛАВА | 2015 |
|
RU2600381C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм МЕТОДОМ ОТФ | 2008 |
|
RU2381305C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ-СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2006 |
|
RU2338815C2 |
