3
смеси. Каждую смесь готовят отдельно при 20° С црпосредственно перед проведением анодирования из препаратов марки чда.
Полученные смеси характеризуются следующими параметрами электроокисления индийсодержащих полупроводниковых соединений (см. табл. 1),
Таблица
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ AB | 2016 |
|
RU2621879C1 |
| Электролит для анодирования алюминия и его сплавов | 1980 |
|
SU956631A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ МДП СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ | 1984 |
|
SU1840172A1 |
| СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AB И СПОСОБ ЕЕ ФОРМИРОВАНИЯ | 2010 |
|
RU2420828C1 |
| Способ получения модифицированного биопокрытия на имплантате из титана (варианты) | 2019 |
|
RU2693468C1 |
| Электролит для анодирования металлов | 1975 |
|
SU555174A1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЦВЕТНОГО ДЕКОРАТИВНОГО ПОКРЫТИЯ С ПОМОЩЬЮ АНОДИРОВАНИЯ | 2015 |
|
RU2620801C1 |
| ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА АВ | 1977 |
|
SU1840202A1 |
| Способ получения наноразмерного пористого анодного оксида алюминия | 2017 |
|
RU2645237C1 |
| Способ получения эластичной алюмооксидной наномембраны | 2017 |
|
RU2678055C2 |
При кош1;ентрац:шх ортофосфорной кислоты, меньших 1,0об. %, процесс анодирования характеризуется невысокой скоростью, а при. отсутствии ее полупроводники вообще не окисляются.
П р и м е р 2. Для получения электролита готовят три смеси компонентов, каждая из которых содержит 4 об. % ортофосфорной кислоты (d 1,69 г/см) и отличается от других концентраПри увеличении концентрации изопропилового спирта выше 70 об. % резко возрастает сопротивление раствора, в результате чего образуется неравномерный по толщине оксид.
При уменьшении концентрации резко снижается скорость окисления и возрастает саморастворение оксида.
Данные таблицы 1 и 2 получены при анодировании полупроводниковых соединений JnAs, JnSb n- типа с концентрацией носителей 10 см . Растворение между полупровощшковыми дисками «г25- 30 мм и катодом, изготовленным из нержавеющей стали, составляет 1,5 см. Растворы не перемешивались, их температура 20° С. Окисление процией изопропилового спирта, равной в каждой смеси последовательно 30, 50 и 70 об. %, а также содержанием глицерина, составляющим дополнительно до 100% часть в каждой смеси. Каждую смесь готовят отдельно так же, как в примере 1.
Полученные смеси характеризуются следующиш .параметрами анодного окисления индийсодержащих полупроводниковых соединений (см. табл. 2) Таблица2
водилось в гальваностатическом режиме при плотности тока 1-2 мА/см в течение 6-10 мин до рабочего напряжения v 300 В. Предложенный электролит позволяет получить равномерные по тол щине ( 5000 А) и стабильные по свойствам беснористые окисные пленки с пробивным напряжением (2 6). 10 Б/см.
Использование этого электролита позволяет уве личить скорость анодирова(шя и повысить Д1и)екгрические свойства анодных окислов, что обеспечивает их применение для пассивации, максировапия и создания МДП--структур на индийсодержащих полупроводниковых соединениях.
Формула изобретения
Электролит для анодного окисления индийсодержащих полупроводниковых соединений, включающий глицерин, отличающийся тем, WO, с целью увеличения скорости анодирования и улучшения диэлектрических свойств покрытия, он дополнительно содержит ортофосфорную кислоту и изопропиловый спирт при следующем соотнощении комп(и е11уов, о б.%:
Ортофосфорная кислота1,0-10,0
ИзопроПнловый спирт30 70
ГлицеринОстаг1ьг{ое
Источники информации, принятые во В1шмание 8 при экспертизе:
