Изобретение касается газоразрядных источников света и может быть использовано при изготовлении разряда ых ламп с парами металлов и/или их соедине шй. Известно, что в лампах с парами металлов и или их соединений давление рабочего вещества в лампе, а следовательно и КПД излучения, определяют температурой наиболее холодной зоны лаглны, которой обычно являются заэлектро.дные области или носик, остающийся после отпайки откачного штенгеля 1. Известен способ изготовления бесштенгельных ламп, в которых заварка токовводов производится после откачки и наполнения разрядной колбы рабочим веществом 2. Однако известный способ изготовления бесштенгельных ламп наиболее просто реализуется тогда, когда в качестве рабочего вещества в лампах используют инертные газы. В лампах же с парами металлов и/или их соединений технология изготовления усложняется. Это связано с тем, что для дозировки рабочего вещества в разрядньш объем лампы при заварке необхо.цимо охлаждать разрядную часть колбы и одновременно нагревать остапьные части (1ожки колбы, технолотческую прибьшь). Наиболее близким по технической сущности к предложенному является способ изготовления разрядных ламп с парами металлов, по которому для повышения температуры заэлектродных областей на керне электрода размещают кварцевую трубку, уш1рающ юся своим концом в рабочую часть злектрода, при этом образуется кольцевой зазор между трубкорг и ножкой, после чего производят заварку токоввсда с одновременным свариваш1ем трубки с ножкой, откачку и наполнение лампы через откачной штенгель, расположенный на разрядной части колбы 3. Однако при изготовлении лалш по такому способу после отпайки штенгеля остается носик, который при достаточно утепленных электродных узлах является на1 более холодной зоной лампы. Разброс размеров носика от лампы к лампе приводит к нежелательнок{у увеличе1шю технологического разброса излучательнь х и электрических характеристик ламт1, а периодическая конденсация рабочего вещества с пос.тедую1дим выбросом в разрядный объем вызьшает временную нестабильность характеристик каждой конкретной naMiUii.
