Электрорадиографическая пластина Советский патент 1977 года по МПК G03G5/02 

Описание патента на изобретение SU568930A1

Она состоит из алюминиевор подложки /, тонкого имерсионного слоя 2, нанесенного из расплава цинк-никель, электрохимическим способом осажденного слоя 3 никеля, прослойки 4 тяжелого металла с высоким коэффнциентом теплового расширения, напыленного в вакууме слоя 5 толщиной 1-2 мкм трехселенистого мышьяка и верхнего слоя 6 аморфного селена.

Слой металлического кадмия или индия наносится гальваническим способом на алюминиевую подложку, предварительно покрытую имерсионным слоем и слоем никеля толщиной 2-3 мкм.

Электролитическое кадмирование или индирование производится в кислотах или в цианистых электролитах. Для обеспечения высокой холодоустойчивости электрорадиографической пластины толЩИна слоя кадмия или индия должна быть не меньше 40 мкм. Прл меньших толщинах слоя кадмия или индия холодоустойчивость лластины понижается. Так .как слой металлическо го кадмия или ИНДИЯ одновременно является ,и усиливающим экраном, поэтому для Обеспечеиия необходимого рЗДиографического контраста и усиливающего действия при жестком облучении его толщина должна быть в пределах 40-100 мкм.

Электролитическое .кадмирование или иадирование позволяет получить слон кадмия или индия € однородной (поверхностью, ;поэтому отпадает необходимость локрььзать его промежуточным металлически-м слоем никеля, как это делается при изготовлении электрорадиографических пластин с усиливающими экранами из свинца или олова. Это существенно упрощает технологию изготовления лласт.ин. На (поверхность слоя кадмия иля и-ндия при температуре подлож.ки 100-150° С напыляется тонкий ( мкм) промежуточный слой трехселенйстого мышьяка, который повышает кристаллизационную стойкость аморфного селена. На поверхность подслоя трехселвнистого мышьяка при температуре подложки 70-90° С напыляется слой селена толщиной 200-400 мкм в зависимости от требуемой фоточувстВИтельности.

Указанная комиозидня электрорадиографической пластины позволяет повысить их холодоустойчивость до минус 40° С, в то время как холодоустойчивость пластин с экранами из олова или свинца, а также и без прослойки тяжелого металла, не превышает минус 5--10° С. Фоточувствительность и Другие сенситометрические параметры предлагае.мых пластин не уступают аналогичным параметрам пластин с усиливающим экраном из олова или свинца.

Формула изобретения

Электрорадиографическая пластина, включающая подложку-основу из алюминиевого сплава, имерсиопный слой цинка-никеля, тонкий слой никеля, экранирующий слой, выполненный ИЗ тяжелого -металла, слой кристаллизационного стойкого аморфного трехселенистого мышьяка и слой аморфного селена, о гл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения холодоустойнивости цластины до -40° С и упрощения технологии ее изготовления, в качестве тяжелого металла используют кадмий или ИНДИЙ, а слой аморфного трехселенистого мышьяка расположен непосредственно на поверхности экранирующего слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Патент США № 2859350, кл. G 03g 5/02, 1958.

2.Авторское свидетельство СССР JY 463365, кл. ОШ G 5/02, 1972.

Похожие патенты SU568930A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин и устройство для его осуществления 1980
  • Бальчюнас Юозас Юозович
  • Гальвидис Норберт Михайлович
  • Кулемин Леонид Геннадьевич
  • Монтримас Эдмундас Адольфович
  • Таурайтис Алоизас Сергеевич
SU918926A1
Электрофотографический многослойный материал 1980
  • Кулемин Леонид Геннадьевич
  • Тамошюнас Стасис Ионович
SU911446A1
Способ изготовления радиационночувствительного материала 1970
  • Роберт Уильям Холман
  • Гэри Уолтер Куртц
SU459902A3
НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ОПТИЧЕСКОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1999
  • Лапин Ю.К.
RU2151432C1
Носитель оптической записи 1981
  • Петретис Бронюс Миколович
  • Кубилюс Андрюс Витаутович
  • Баубинас Ромас Вацловович
SU997094A1
Способ формирования электростатического изображения на промежуточном электрофотографическом носителе 1980
  • Монтримас Эдмундас Адольфович
  • Таурайтене Сигуте Альфонсовна
SU911449A1
ВСЕСОЮЗНАЯ Iшштш-]:х:;г:гилй1 1971
  • Иностранец Энтони Фрэнк Липани
  • Соединенные Штаты Америки
  • Иностранна Фирма Рэнк Ксерокс Лимнтед
SU300036A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО МНОГОСЛОЙНОГО ТРЕХМЕРНОГО КОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОДА ЛИТИЙ-ИОННОЙ БАТАРЕИ, КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ, ОТРИЦАТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОД И ЛИТИЙ-ИОННАЯ БАТАРЕЯ 2011
  • Кривченко Виктор Александрович
  • Рахимов Александр Турсунович
  • Суетин Николай Владиславович
  • Пилевский Андрей Александрович
  • Евлашин Станислав Александрович
  • Иткис Даниил Михайлович
  • Семененко Дмитрий Александрович
RU2459319C1
Электрофотографический носитель записи информации 1981
  • Кулемин Леонид Геннадьевич
  • Тамошюнас Стасис Ионович
SU987567A1
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ДВУХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ 2006
  • Константинов Петр Борисович
  • Концевой Юлий Абрамович
  • Сопов Олег Вениаминович
  • Чернокожин Владимир Викторович
RU2342231C2

Иллюстрации к изобретению SU 568 930 A1

Реферат патента 1977 года Электрорадиографическая пластина

Формула изобретения SU 568 930 A1

SU 568 930 A1

Авторы

Балтушис Валентинас Стасио

Варанецкас Иозас Пранович

Монтримас Эдмундас Адольфо

Каминскас Альбинас Ионо

Ракаускас Юлюс Казио

Шимкунене Зофия Ионо

Даты

1977-08-15Публикация

1975-08-22Подача