Она состоит из алюминиевор подложки /, тонкого имерсионного слоя 2, нанесенного из расплава цинк-никель, электрохимическим способом осажденного слоя 3 никеля, прослойки 4 тяжелого металла с высоким коэффнциентом теплового расширения, напыленного в вакууме слоя 5 толщиной 1-2 мкм трехселенистого мышьяка и верхнего слоя 6 аморфного селена.
Слой металлического кадмия или индия наносится гальваническим способом на алюминиевую подложку, предварительно покрытую имерсионным слоем и слоем никеля толщиной 2-3 мкм.
Электролитическое кадмирование или индирование производится в кислотах или в цианистых электролитах. Для обеспечения высокой холодоустойчивости электрорадиографической пластины толЩИна слоя кадмия или индия должна быть не меньше 40 мкм. Прл меньших толщинах слоя кадмия или индия холодоустойчивость лластины понижается. Так .как слой металлическо го кадмия или ИНДИЯ одновременно является ,и усиливающим экраном, поэтому для Обеспечеиия необходимого рЗДиографического контраста и усиливающего действия при жестком облучении его толщина должна быть в пределах 40-100 мкм.
Электролитическое .кадмирование или иадирование позволяет получить слон кадмия или индия € однородной (поверхностью, ;поэтому отпадает необходимость локрььзать его промежуточным металлически-м слоем никеля, как это делается при изготовлении электрорадиографических пластин с усиливающими экранами из свинца или олова. Это существенно упрощает технологию изготовления лласт.ин. На (поверхность слоя кадмия иля и-ндия при температуре подлож.ки 100-150° С напыляется тонкий ( мкм) промежуточный слой трехселенйстого мышьяка, который повышает кристаллизационную стойкость аморфного селена. На поверхность подслоя трехселвнистого мышьяка при температуре подложки 70-90° С напыляется слой селена толщиной 200-400 мкм в зависимости от требуемой фоточувстВИтельности.
Указанная комиозидня электрорадиографической пластины позволяет повысить их холодоустойчивость до минус 40° С, в то время как холодоустойчивость пластин с экранами из олова или свинца, а также и без прослойки тяжелого металла, не превышает минус 5--10° С. Фоточувствительность и Другие сенситометрические параметры предлагае.мых пластин не уступают аналогичным параметрам пластин с усиливающим экраном из олова или свинца.
Формула изобретения
Электрорадиографическая пластина, включающая подложку-основу из алюминиевого сплава, имерсиопный слой цинка-никеля, тонкий слой никеля, экранирующий слой, выполненный ИЗ тяжелого -металла, слой кристаллизационного стойкого аморфного трехселенистого мышьяка и слой аморфного селена, о гл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения холодоустойнивости цластины до -40° С и упрощения технологии ее изготовления, в качестве тяжелого металла используют кадмий или ИНДИЙ, а слой аморфного трехселенистого мышьяка расположен непосредственно на поверхности экранирующего слоя.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1.Патент США № 2859350, кл. G 03g 5/02, 1958.
2.Авторское свидетельство СССР JY 463365, кл. ОШ G 5/02, 1972.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU918926A1 |
Электрофотографический многослойный материал | 1980 |
|
SU911446A1 |
Способ изготовления радиационночувствительного материала | 1970 |
|
SU459902A3 |
НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ОПТИЧЕСКОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1999 |
|
RU2151432C1 |
Носитель оптической записи | 1981 |
|
SU997094A1 |
Способ формирования электростатического изображения на промежуточном электрофотографическом носителе | 1980 |
|
SU911449A1 |
ВСЕСОЮЗНАЯ Iшштш-]:х:;г:гилй1 | 1971 |
|
SU300036A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО МНОГОСЛОЙНОГО ТРЕХМЕРНОГО КОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОДА ЛИТИЙ-ИОННОЙ БАТАРЕИ, КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ, ОТРИЦАТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОД И ЛИТИЙ-ИОННАЯ БАТАРЕЯ | 2011 |
|
RU2459319C1 |
Электрофотографический носитель записи информации | 1981 |
|
SU987567A1 |
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ДВУХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ | 2006 |
|
RU2342231C2 |
Авторы
Даты
1977-08-15—Публикация
1975-08-22—Подача