Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин и устройство для его осуществления Советский патент 1982 года по МПК G03G5/08 G03G15/00 

(5) .СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ ПЛАСТИН И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к электрофотографии , конкретно к изготовлению эяектрофотографических слоев. Известен способ изготовления селе новых электрофотографических пластин заключающийся в напылении селена на подложку. Устройство для изготовления электрофотографических пластин по извест ному способу представляет собой вакуумную камеру с испарителями селе на 1. Недостатком известного способе Яв ляется низкое качество выпускаемых электрофотографических пластин, проявляющее в большой утомляемости при их эксплуатации, недостаточной плотг ности получаемых копий. Цель изобретения - повышение качества селеновых электрофотографичес ких пластин. Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления се леновых электрофотографических пластин, заключающемуся в напылении на подложку селена, перед напылением слоя селена производят нанесение подслоя с переменной концентрацией паров трехселенистого мышьяка. Устройство для изготовления электрофотографимеских селеновых пластин, содержащее вакуумную камеру с испарителями трехселенистого мышьяка, имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенисТым мышьяком и испарителем с селеном для получения зоны переменной концентрации паров трехселенистого мышьяка. На чертеже показана принципиальная схема устройства для изготовления селеновых электрофотографических пластин. Способ изготовления электрофотог графических пластин реализуется при передвижении подложки-основы 1 над испарителями 2 и 3 в вакуумной камере t с системой вертикальных перегородок 5 путем конденсации паров крис таллизационно стойкого трехселенисто го м 1шьяка 6, смеси его с селеном 7, образовавшегося в вакуумной камере в области щели 8 системы перегородок, отделяющих испарители с. напыляемыми полупроводниками, причем концентраци селена по направлению передвижения подложки постоянно увеличивается от нуля до 100. За один технологический цикл очищенную известным способом дюралюмини евую подложку-основу 1 предварительно нагревают до 3 5-360 К, затем подают в.вакуумную камеру непрерывного действия Ц и с постоянной скоростью {последовательно передвигают над испа рителем с трехселенистым мышьяком 2, а затем с селеном k. Эти испарители в вакуумной камере отделены системой перегородок 5, выполненной в виде вертикально расположенных пластин, высота которых линейно возрастает в направлении движения пластин. В результате этого цикла на подложке напыляются три слоя: первый подслой трехселенистого мышьяка толщиной 0,5-3 мкм, промежуточный слой толщиной 1-5 мкм, состоящий из смеси трехселенистого мышьяка и селена, в котором концентрация избыточного селена увеличивается от нуля в контакте с подслоем до 100 и верхний слой аморфного селена 0-80 мкм испаряемого из расплава нагретого до 530-560 К. Необходимые параметры промежуточного слоя обеспечиваются системой перегородок 5, состоящей из 5-6 вертикально расположенных пластин на расстоянии 50-70 мм друг от друга, высота которых линейно возрастает в направлении движения кассет с подложками 1, а высота щели 8, между верхней мастью вертикальных пластинок 5 и подложкой-основой 1 , уменьшается от 30-30 мм со стороны испарителя трехселенистого мышьяка, т.е. в начале щели, до 10-20 мм - в его конце. Щель с переменной высотой необходима .для получения промежуточного слоя с заданным градиентом распределения отдельных компонент напыляемых полупроводников, так как локальная скорость испарения и давление паров в зоне испарителя с трехселенистым мышьяком много меньше, чем в зоне испарителя с селеном. Предлагаемый способ и устройство позволяют получить селеновые электрофотографические пластины высокого качества. Формула изобретения 1.Способ изготовления селеновых электрофотографических пластин, заключающийся в напылении на подложку селена, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пластин, перед напылением слоя селена производят нанесение подслоя с переменной концентрацией паров трехселенистого. мышьяка. 2.Устройство для изготовления селеновых электрофотографических пластин по П.1, содержащее вакуумную камеру с испарителями трехселенистого мышьяка, отличающееся тем, что, с целью повышения качества электрофтографических пластин, оно имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенистым мышьяком и испарителем с селеном для получения переменной концентрации паров трехселенистого мышьяка. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Электрофотография и магнитография. Вильнюс, 1965, с.108-119.