Т а б л II ц а I
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Раствор для травления силицидов металлов | 1991 |
|
SU1795985A3 |
| ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ СНЯТИЯ ПЛЕНОК ТИТАНА | 1973 |
|
SU391613A1 |
| Раствор для химического травления ниобия и его сплавов | 1980 |
|
SU922179A1 |
| Способ селективного формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур | 1974 |
|
SU521802A1 |
| Способ изготовления МДП-интегральных схем | 1980 |
|
SU928953A1 |
| Способ изготовления шаблона | 1982 |
|
SU1064352A1 |
| Способ получения защитного покрытия на поверхности стеклянных изделий | 1981 |
|
SU1006402A1 |
| СОСТАВ МЭ-4 ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ОКАЛИНЫ С ПОВЕРХНОСТИ ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ И ИХ СПЛАВОВ | 1996 |
|
RU2096526C1 |
| Способ формирования изолированных внутренних областей | 1989 |
|
SU1715124A1 |
| Фотошаблон | 1974 |
|
SU516210A1 |
СВ-1017 (ТУ-6-14-934-73) Вода Каждый из составов был опробован при травлении участков пленки титана, маскированного слоем алюминия, толщиной 0,04- 0,45 мкм при рабочей температуре 20±2°С в течение 15-20 с. Полученные результаты приведены в табл. 2. Т а б .1 и ц а 2 Скорость травления, мкм/мин Травитель 1 «0,06+0,07 i Поверхность А1 пасси2: -0,16I То же 3 -0,16-0,18 I 0,007 Как видно из табл. 2, наиболее качественные характеристики травления показывает Травитель 2. При травлении титана пленка алюминия практически не подтравливается, так как в этом травителе алюминий пассивируется. Поверхность окисла в местах травления титана чистая. Элементы полупроводниковых структур и токоведущне дорол ки чисты. Таким образом, предлагаемый травитель по сравнению с известными работает при комнатной температуре, плен-ка алюминия им практически не подтравливается. При изго15
ПО
84 товлении микросхем с большей степенью интеграции, когда токоведущие дорожки выполняют узкими порядка 3-5 мкм, боковое подтравливание приобретает решаюш,ее воздействие. Применение предлагаемого травителя обеспечивает увеличение выхода годных и надежность микросхем. Формула изобретения Травитель, преимущественно для титана, содержащий фтористоводородную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения селективных свойств травителя, он дополнительно содержит фтористый аммоний, перекись водорода и поверхностно-активное вещество при следующем соотнощении компонентов в растворе, вес. ч. Фтористоводородная кислота2,5-25 Фтористый аммоний36-75 Перекись водорода20-160 Поверхностно-активное вещество2-5 Вода15-110 Источники информации, принятые во вни-, мание при экспертизе. 1.АвторскоесвидетельствоСССР Л 391613, кл. Н 01 L 27/306, 1970. 2.Р1ванов-Есипов Н. К. Технология микросхем, «Высщая щ.кола, М., 1972, с. 93.
