Элемент памяти Советский патент 1986 года по МПК G11C11/40 

/ / /f / / /

/ /, ff, / / y, p

ттд

Изобретение относится к области радиоэлектроники и предназначено для построения устройств отображения визуальной информации, запоминающих устройств ввода-вывода информации. Известен элемент памяти, содержа1ций подвижную проводящую пластину, расположенную на диэлектрической. подложке. Хранение информации таким элементом осуществляется за счет заряда, образованного в диэлектрике. Однако этот заряд обладает нестабильностью, вследствие чего время хранения информации практически неуправляемо (может колебаться от долей секунд до нескольких десятков часов). Другим недостатком являются ограниченные функциональные возможноети, обусловленные, в частности, тем что выборка элементов в матричном устройстве отображения визуальной информации Joжeт осуществляться либо по принципу полувыборки, либо индивидуально . Первый сцособ выборки характерен жесткими требованиями к разбросу параметров элементов, а индивидуальная выборка существенно усложняет как ус ройство управления матрицей, так и саму матрицу. Известен также электростатический элемент, содержащий полупроводникову подложку, на поверхности которой установлена подвижная проводящая пластина. Он обладает теми же недостатка ми, что и первый элемент. Наиболее близким из известных эле ментов по технической сущности является элемент памяти, содержащий полу гхроводниковую подложку п-типа, на ко торой -расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину. Такой элемент обладает ограниченными функциональными возможностями, что обусловлено необходимостью индивидуальной выборки в устройстве отобра жения визуальной информации и запоми наюшем устройстве, построенных на ег основе. Кроме того, одномерное устро ство отображения информации, наприме шкала, построенное на базе известных элементов, имеет большое число управ ляющих выводов, что существенно усложняет конструкцию отсчетного устройства . 2 Целью изобретения является расширение функциональных возможностей элемента памяти. Достигается это тем, что элемент памяти содержит области полупроводни-ка р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке , и металлические электроды, расппложенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины соединен с полупроводниковой подложкой п-типа. Такое выполнение увеличивает функциональные возможности элемента и расширяет область его применения, так как предлагаемый элемент представляет собой по существу разряд регистра сдвига с индикацией. На чертеже представлена конструкция устройства. Элемент содержит металлические электроды - неподвижные проводящие пластины 1, 2 и подвижную 3, распо-. ложенные на слое диэлектрика 4, покрывающего полупроводниковую подложку 5 п-типа, в которой размещены области 6 и 7 полупроводника р-типа. Подвижная пластина 3 своим концом соединена с полупроводниковой подложкой 5, на обратной стороне которой установлена неподвижная проводящая пластина 8. Принцип работы элемента заключается в следующем. При приложении напряжения соответствующей величины и полярности к пластине 1 и р-области 6 полупроводнику р-типа разряд неосновных носителей из этой области переместится в участок полупроводника, расположенный под пластиной 1, а при приложении разности потенциалов к пластинам 1 и 2, указанный заряд переместится под пластину 2 и зарядит подвижную пластину 3. Величина напряжения U (емкости С), образованная подвижной пластиной 3 и полупроводниковой подложкой 5, определяется емкостью С и величиной заряда Q под пластиной 2 и составляет U - U Q/C, где Ujj - пороговое напряжение соответствующей МДП-структуры., Под действием сил электростатического притяжения подвижная пластина 3 притянется к поверхности слоя диэлектрика 4. Если требуется запомнить состояние включенного элемента, то к области 7 полупроводника р-типа и пластине 8 прикладывается напряжение. достаточное для удержания пластины на поверхности слоя диэлектрика 4. Силы электростатического притяжения обратно пропорциональны квадрату зазора, если пластина 3 находится в своем исходном состоянии (не притянута к слою диэлектрика 4), приложение указанного напряжения удержания не меняет состояния подвижной пластины 3. При снятии напряжения с области 6 полупроводника р-типа и пластин 1,2 элемент .находится во включенном состоянии под действием напряжения,приложенного к области 7 полупроводника р-тшта и пластине 8. При этом область полупроводника р-типа в элементе может отсутствовать и образование заряда неосновных носителей осущестяляется путём освещения участка полупроводника вблизи пластины 1 или 2 (или непосредственно путем освещения этой пластины, если она прозрачна) и подачи напряжения на пластины 1 (2) и 8, под действием которого в полупроводнике под пластиной 1(2) образуется объединенная область. Пластины 1 и 2, область 6 полупроводника р-типа совместно со слоем диэлектрика 4 и полупроводниковой подложкой 5 образуют прибор с зарядовой связью ЗП 3 С, а подвижная пластина 3 совместно с областью 7 полупроводника р-типа, слоем диэлектрика 4 и подложкой 5 - статический элемент памяти, выполняющий, кроме того, модуляцию фазы (или амплитуды) светового потока.

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке п-типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины 'соединен с полупроводниковой подложкой п-типа.