Способ получения асферических поверхностей Советский патент 1977 года по МПК C03C17/30 

Описание патента на изобретение SU585133A1

1

Изобретение относится к области оптической технологии изготовления асферических поверхностей на оптических деталях.

Известен способ получения асферических поверхностей путем нанесения на заготовку разделительного асферизующего слоя из моноокиси кремния в вакууме 1.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому способу является способ получения асферических поверхностей путем нанесения на подложку ело-, ев моноокиси кремния переменной толщины через маску электронно-лучевым методом 2. Этот способ заключается в том, что наносится асферизующий сло моноокиси кремния термическим испарением в вакуумной камере в два этапа: вначале на заготовку, нагретую до 300-400С, осаждается равномерный подслой моноокиси кремния, а затем через маску осаждается разнотолщинный слой моноокиси кремния при обычной-;, температуре заготовки около 30 С.

Однако известные способы обладают следующими недостатками: требуют специального нагрева заготовки, удлиняющего технологический процесс; при термическом испарении моноокись кремния трудно стабилизируется по показателю преломления, что приводит к дополнительным ошибкам геометрической толщины асферизующих слоев, т.е. снижению качества асферической поверхности; кроме TorOjтакие способы обладают недостаточно высокой прочностью. Цель изобретения - повышение качества и прочности асферизующих слоев.

Это достигается тем, что в качес.тве окисла кремния используют кварц, а нанесение слоев ведут дискретно с толщиной каждого слоя 0,1-0,2 мкм с

интервалами, равными времени осаждения одного слоя.

Такой режим позволяет уменьшить поверхностные и внутренние напряжения в слоях и благодаря этому сохранить

правильную форму асферической поверх ности, а также исключить растрескивание и отклонение.

Данный режим нанесения слоев обеспечивает достаточную производительность, так как позволяет получать полный асферизующий слой, например, в 1 мкм за время 30 минут.

Использование изобретения позво.т:ит повысить процент выхода годных изделий

при вакуумной асферизации и улучшить

качественные показатели асферических поверхностей.

Формула изобретения

Способ получения асферических поверхностей путем нанесения на подложку слоев окисла кремния переменной толщины через маску электронно-лучевым методом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества

и прочности слоев, в качестве окисла кремния используют кварц, а нанесение слоев ведут дискретно с толщиной каждого слоя 0,1-0,2 мкм с ин.тервалами, равными времени осаждения одного слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Авторское свидетельство СССР 268621, кл. С 03 С 17/06, 1968.

2.Авторское свидетельство СССР 381622, кл. С 03 С 17/30, 1971.

Похожие патенты SU585133A1

название год авторы номер документа
Способ получения асферических поверхностей 1981
  • Первеев Анатолий Федорович
  • Голубева Галина Ивановна
  • Муранова Галина Анатольевна
  • Степуро Анатолий Васильевич
SU1004286A1
Устройство для асферизации оптических деталей 1982
  • Шапочкин Борис Алексеевич
  • Сергеев Виктор Николаевич
  • Комраков Борис Михайлович
  • Клочков Александр Матвеевич
  • Голубева Галина Ивановна
  • Мацкевич Леопольд Леонидович
  • Подлесов Виктор Михайлович
  • Бажинов Владимир Викторович
SU1104191A1
Способ изготовления шаблона 1982
  • Кривутенко Анатолий Иванович
  • Папченко Валерий Павлович
SU1064352A1
Способ получения покрытия на подложке 1990
  • Сухарев Юрий Георгиевич
  • Магунов Роберт Леонидович
  • Бойко Виталий Аркадьевич
  • Дудкин Алексей Васильевич
  • Цацко Владимир Ильич
SU1758678A1
Способ нанесения покрытий в вакууме 2017
  • Скоморовский Валерий Иосифович
  • Прошин Владимир Александрович
  • Кушталь Галина Ивановна
RU2654991C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПЛАТ С МНОГОУРОВНЕВОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ КОММУТАЦИЕЙ 2009
  • Сергеев Вячеслав Евгеньевич
  • Тулина Лидия Ивановна
RU2398369C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ 1986
  • Алексеев В.А.
  • Лебедевич Е.И.
  • Синельников С.П.
  • Усоев Г.С.
  • Черенков М.Г.
  • Ямнов А.Л.
  • Ямпольский В.И.
RU2037474C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaSb 2019
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Хвостиков Владимир Петрович
  • Хвостикова Ольга Анатольевна
  • Сорокина Светлана Валерьевна
RU2710605C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОПЕРЕХОДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА 2015
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Шварц Максим Зиновьевич
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Калюжный Николай Александрович
RU2589464C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs 2013
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Хвостиков Владимир Петрович
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостикова Ольга Анатольевна
RU2547004C1

Реферат патента 1977 года Способ получения асферических поверхностей

Формула изобретения SU 585 133 A1

SU 585 133 A1

Авторы

Голубева Галина Ивановна

Клочков Александр Матвеевич

Шапочкин Борис Алексеевич

Белозерова Татьяна Ивановна

Афанасьев Константин Николаевич

Даты

1977-12-25Публикация

1976-04-05Подача