1
Изобретение относится к области оптической технологии изготовления асферических поверхностей на оптических деталях.
Известен способ получения асферических поверхностей путем нанесения на заготовку разделительного асферизующего слоя из моноокиси кремния в вакууме 1.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому способу является способ получения асферических поверхностей путем нанесения на подложку ело-, ев моноокиси кремния переменной толщины через маску электронно-лучевым методом 2. Этот способ заключается в том, что наносится асферизующий сло моноокиси кремния термическим испарением в вакуумной камере в два этапа: вначале на заготовку, нагретую до 300-400С, осаждается равномерный подслой моноокиси кремния, а затем через маску осаждается разнотолщинный слой моноокиси кремния при обычной-;, температуре заготовки около 30 С.
Однако известные способы обладают следующими недостатками: требуют специального нагрева заготовки, удлиняющего технологический процесс; при термическом испарении моноокись кремния трудно стабилизируется по показателю преломления, что приводит к дополнительным ошибкам геометрической толщины асферизующих слоев, т.е. снижению качества асферической поверхности; кроме TorOjтакие способы обладают недостаточно высокой прочностью. Цель изобретения - повышение качества и прочности асферизующих слоев.
Это достигается тем, что в качес.тве окисла кремния используют кварц, а нанесение слоев ведут дискретно с толщиной каждого слоя 0,1-0,2 мкм с
интервалами, равными времени осаждения одного слоя.
Такой режим позволяет уменьшить поверхностные и внутренние напряжения в слоях и благодаря этому сохранить
правильную форму асферической поверх ности, а также исключить растрескивание и отклонение.
Данный режим нанесения слоев обеспечивает достаточную производительность, так как позволяет получать полный асферизующий слой, например, в 1 мкм за время 30 минут.
Использование изобретения позво.т:ит повысить процент выхода годных изделий
при вакуумной асферизации и улучшить
качественные показатели асферических поверхностей.
Формула изобретения
Способ получения асферических поверхностей путем нанесения на подложку слоев окисла кремния переменной толщины через маску электронно-лучевым методом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества
и прочности слоев, в качестве окисла кремния используют кварц, а нанесение слоев ведут дискретно с толщиной каждого слоя 0,1-0,2 мкм с ин.тервалами, равными времени осаждения одного слоя.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1.Авторское свидетельство СССР 268621, кл. С 03 С 17/06, 1968.
2.Авторское свидетельство СССР 381622, кл. С 03 С 17/30, 1971.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ получения асферических поверхностей | 1981 |
|
SU1004286A1 |
Устройство для асферизации оптических деталей | 1982 |
|
SU1104191A1 |
Способ изготовления шаблона | 1982 |
|
SU1064352A1 |
Способ получения покрытия на подложке | 1990 |
|
SU1758678A1 |
Способ нанесения покрытий в вакууме | 2017 |
|
RU2654991C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПЛАТ С МНОГОУРОВНЕВОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ КОММУТАЦИЕЙ | 2009 |
|
RU2398369C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ | 1986 |
|
RU2037474C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaSb | 2019 |
|
RU2710605C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОПЕРЕХОДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА | 2015 |
|
RU2589464C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs | 2013 |
|
RU2547004C1 |
Авторы
Даты
1977-12-25—Публикация
1976-04-05—Подача