воляет получить мелкокристаллическую структуру пленок лто уменьшает эффективность преобразования радиоактивного иапу-. чения в свет, а также увеличивается поглощение света в пленке и приводит, следовательно, к уменьшению светоаыхода и разрешения. Цель изобретения - j величение. световыхода и разрешающей способности детекторов Согласно изобретению, указанная цель достигается использованием в качестве материала подложки .кристалла, близкого до постоянной решетки к материалу пленки и обладающего плоскостями спайности, по которым кристалл скалывают. На поверхность скола, служащую подложкой, осаждают, причем при осаждении подложку поддерживают при оптимальной для данного материала пленки температуре. Способ поясняется чертежом. В лодочку 1, нагреваемую пропусканием электрического тока, помешают испаряемую навеску 2 материала (1активированного шелоч ногалоидного спинтиллятора). Пары материала осаждаются на подложке, образуя пленку 4. Температуру подложки устанавливают нагревателем 5. В качестве подложки исполь- зуют сколотую пластинку кристалла, близкого до постоянной решетки к данному сцинтилляДля изготовления тонкопленочного детектора на основе Cs3(T8) наиболее подходящим материалом подложки является фтористый литий, поскольку до постоянной решетки кристалл Li ,0,279 А )близок к кристаллу (,5667). Кроме того, LiF прозрачен в ультрафиолетовой области, куда простирается спектр высвечивания Cs JCTC)Кристаллы L1 F обладают плоскостями спайности, по которым они могут быть расколоты. Из кристалла Li F изготавливают скалыванием до плоскостям спайности пластинку толщиной 1 мм, KOTopyid используют в качестве подложки. В лодочку помещают СгЯ(Т), вырезанную из заводсткого кристалла. Установку откачивают до вакуума 10 мм рт. ст., подложку нагревают до Тд (эту температуру поддерживают на всем протяжении напыления), лодочку нагревают до соотве тствующейт температуры и производят осаждение СзЗ (.ТС) на подложку. В таблице проводится.равнение пленок Cs 3 (Тй.), полученных предложенным способом и другими способами JSj и по их световыходу Ь .-отношению к апьфа-частицам и разрещениюТ при энергии альфа-частиц ,5 МэВ. За единицу , световыхода L . принят световыход массивI --. . / гчп ного кристалла СьЗ(Т).
Как видно из сравнения данных, пленки, полученные предложенным способом, не уступает по световыходу диффузионным и превосходят выбранные в качестве прототипа. Что же касается разрешения Т J пленок, изготовленных предложенным способом (7%), то оно лучше, чем у лпевки-прототипа (12%) у диффузионной (9%), и равно разрешению массивного кристалла. Фоомупа изобретения Способ изготовления тонкопленочных детекторов ядерных излучений на основе активированных щеяочногалоидных сцннтилдяторов путем термического испарения навески материала саинтиплятора и осаждения ее в виде пленки на подложку, поддерживаемую при оптимальной для данного сцинтигоштора Температуре, отличающийся тем, что, с цепью увеличения световыхо.да и улучшения разрешающей способвоств детекторов, в качестве материала подложки использзгют кристалл, близкий до поотояняой решетки Е даввому соивтиппятору и обяадаюшиЗ ппоскостями саайвоств, проиэ водят ,скол лр плоскости спайности, и осаждение пленки осуществляют на поверхности скола этого кристалла. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.Монокристаллы и техника, выпЛ (Ю) Харьков, с.SO. 2.Предринт ФТИ АН СССР № 479, 1974, С.13. 3. Г едпринт ФТИ АН СССР hfe 479, 1974, с.11
