Накопитель для магнитного запоминающего устройства Советский патент 1979 года по МПК G11C11/06 

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известен накопитель для магнитного запоминающего устройства (МЗУ), содержащий основание, с двух сторон которого расположены ферритовые сердечники, адресные, разрядные шины, а также обмотки считывания. Каждая адресная шина пропущена через столбцы ферритовых сердечников с двух сторон основания в направлении оси Y. Каждая разрядная щина пропущена через два столбца сердечников на- одной стороне основания в направлении оси X. Шина считывания проходит параллельно разрядным щинам 1.

Наиболее близким к изобретению техническим рещением является накопитель для МЗУ, содержащий основание, с двух сторон которого расположены столбцы ферритовых сердечников, разрядные шины, каждая из которых прощивает сердечники в направлении оси X с двух сторон основания, и адресные щины, каждая из которых прощивает два столбца - в направлении: ос Y на одной стороне основания 2. Обмотка считывания проходит параллельно разрядным щинам.

Известные накопители для МЗУ с расположением сердечников на двух сторонах основания характеризуются низкой надежностью из-за больщой. величины отношения считанного сигнала к помехе от полувыбранных сердечников. Это связано с наличием петлеобразных щин выборки на одной стороне основания, охваченных одной обмоткой считывания.

Цель изобрете:ния - повышение надежности.

Это достигается тем, что сердечники каждого столбца, установленные на одной стороне основания, и соответствующие им сердечники столбца, установленные на другой стороне основания, прошиты адресной шиной.

Таким образом, разрядные и адресные шины проходят через соответствуюшие столбцы сердечников с двух сторон основания накопителя.

На чертеже представлена схема описываемого накопителя.

Накопитель содержит основание 1, с двухсторон которого расположены ферритовые сердечники 2. Разрядные шины 3 пропущены в направлении оси X через соответствующие строки сердечников, расположенных с двух сторон основания. Адресные шины 4 пропущены в направлении оси Y через соответствующие столбцы сердечников, расположенных с двух сторон основания. Число разрядных щин в одном разряде равно N, а число адресных щин равно Ж.

После подачи полутока по одной из адресных шин и полутока по, разрядным шинам в каждой секции обмотки считывания индуцируется помеха с (N-1) полувыбранных сердечников от адресного полутока и с (-1) полувыбранных сердечников от разрядного полутока. Суммарная помеха полувозбуждения . в каждой секции обмотки считывания индуцируется с (N + - 2) полувозбужденных сердечников, в то время как в известном накопителе 1 с (N + + М.- 2) сердечников, а в накопителе 2 - с (2N + Л1 - 2) сердечников.

При одинаковой прощивке и однотипных ферритовых сердечниках в описываемом накопителе количество полувозбужденных сердечников, охваченных секцией обмотки считывания, меньше и выще отнощение считанного сигнала к цомехе полувозбуждения, т. е. выше надежности МЗУ.

Испытания и опытная эксплуатация показали высокую надежность МЗУ, содержащего предлагаемый накопитель.

Формула изобретения

Пакопитель для магнитного запоминающего устройства, содержащий основание, с двух сторон которого расположены столбцы ферритовых сердечников, разрядные щины, каждая из которых прошивает сердечники в направлении оси X с двух сторон основания, и адресные щины, отличающийся тем, что, с целью повыщения надежности накопителя, сердечники каждого столбца, установленные на одной стороне основания, и соответствующие им сердечники столбца, установленные на другой стороне основания, прошиты адресной шиной.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Павлов В. И. и др. Конструкция основной оперативной памяти для ЭВМ ЕС- 1030 и ЕС-1050. «Вопросы радиоэлектроники, вып. 5, сер. ЭВТ, 1974.

2.Бостаджан Ю. Г. и др. Основные характеристики и особенности построения оперативной памяти модели 1020 ЕС ЭВМ, «Вопросы радиоэлектроники, вып. 5, сер. ЭВТ, 1974.

T.tj