Способ электронолитографии Советский патент 1981 года по МПК B05D1/38 

Изобретение относится к области электроники и микроэлектроники. Известен способ электронолитографии путем нанесения на подложку поли метилциклосилоксанов методом центрифугирования, которые затем облучают электронным лучом. При этом облученные участки пленки сшиваются, с образованием пространственного полимера. Изображения, полученные в пленке, проявляются с использованием метода фракционного растворителя. Чувствительность такого рода полиме ров составляет 10 Кл/см- разрешающая способность 0,4 мкм при диаметре электронного луча 0,1 мкм и толщина пленки чувствительного сло 0,2-0,3 мкм fl. Однако при таком способе недостаточна разрешагацая способность полимеров, что приводит к искаженной передаче, электронного изображения, необходимо использование канцерогенных органических.растворителей при нанесении пленки чувствительного слоя и проявлении изображения и, кро ме того, после облучения кремнийорга нические соединения не выдерживают действия минеральных кислотi Наиболее близким к предлагаемому является способ электронолитографии, в котором в качестве чувствительного слоя используют трифенилсиланол. На холодную подложку наносят с помощью вакуумного термического испарения пленку трифенилсиланола, которую затем облучают электронным лучом. В результате облучения участки пленки подвергаются полимеризации и теряют способность сублимировать в вакууме. Необлученные участки пленки трифенилсиланола удаляются рейспарением в вакууме .. Чувствительность этого вещества 10 - 10 Кл/смЗ. разрешающая способность 0,03 мкм при толщине слоя 0,01 мкм. Недостатком этого способа является низкая чувствительность веществ, применяемых в качестве чувствительного слоя, а также то, что после облучения электронным лучом применяемые кремнийорганические соединения не выдерживают действия плавиковой кислоты, а также действия травителей, применяемых для травления. Цель изобретения - повышение чувствительности чувствительного слоя к