Изобретение относится к области измерения электрических переменных величин и может быть использовано, например, в микроэлектронике для из мерения сопротивления проводящих пл нок в процессе изготовления интегра ных микросхем. Известно устройство для измерени сопротивления проводящих пленок, со тоящее из диэлектрической подложки с адгезионным подслоем металла и -ра положенными на нем токоведугцими элек тродами, соединенными с измерительной схемой . В процессе осаждения на токойедуиие электроды тонкой проводящей пленки контролируется электрическое сопротивление осаждаемой пленки. Однако в результате перегибов осажденной пленки на границе токоведущих электродов в этих местах возникают механические напряжения и неравномерность толщины осажденной пленки по длине, что искажает истинное значение сопротивления пленки и снижает точность измерения сопротивления. Целью изобретения является повышение точности измерения сопротивления проводящих пленок. Это достигается тем, что между токоведугцими электродами компланарно с ними размевдеи слой диэлектрика, Осаждаемая поверх токоведущих электродов устройства пр 5воля1аая пленка не имеет перегибов, равномерна по то.Л1цине, вследствие чего точность тантала, ниобия и нихрома повсяиается на 50%, На чертеже показано предлагаемое устройство для измерения сопротивления проводящих пленок, разрез. Устройство содержит ситалловую подложку 1, а на ней - адгезионный подслой титана 2 с токоведущкг аыиоминиевыми и никелевыми электродакж 3 и 4, соответственно между кото1 ми компланарно с ними р азмещ,ен слой диэлектрика 5. окиси алк гания. Устройство работает следупвцо образом. На поверхность токоведуздего электрода 4 и слоя диэлектрика 5 осаждается тонкая пленка металла, например тантала, ниобия или нихрома. Токоведущий электрюд 4 в процессе осаждения пленки металла соединен с измерительной схемой, например с цифровым омметрюм, в результате чего осуществляется контроль толщины и измерение
сопротивления осаждаемых металлических пленок.
Формула изобретения
Устройство для измерения сопротивления проводящих пленок, включающее в себя диэлектрическую подложку с адгезионным подслоем металла и расположенными на нем токоведущими
электродами, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, между токоведущими электродами компланарно с ними размещен слой диэлектрика.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Авторское свидетельство СССР ( 386350, кл. Q 01 I 27/00, 10.07.70.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для измерения сопротивления проводящих пленок | 1978 |
|
SU785790A1 |
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2004 |
|
RU2287875C2 |
АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОТРИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2360321C2 |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ВАРИКОНД | 2013 |
|
RU2550090C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
ПОКРЫТИЕ ДЛЯ СУРОВЫХ СРЕД И ДАТЧИКИ С ТАКИМ ПОКРЫТИЕМ | 2006 |
|
RU2359266C2 |
ПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР | 2017 |
|
RU2649403C1 |
ЯЧЕЙКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ | 2005 |
|
RU2282203C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА С НИЗКИМ УДЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ К ПАССИВИРОВАННОЙ НИТРИД-ГАЛЛИЕВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ | 2020 |
|
RU2748300C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ | 2023 |
|
RU2826900C1 |
XX
Авторы
Даты
1978-09-15—Публикация
1977-04-06—Подача