Реостатный датчик скорости распространения волны давления Советский патент 1978 года по МПК G01H5/00 

ропроводящего порошка, например медного, площадью 3 X 0,08 мм и размером частнц, примерно равным 10 мк, контактирующих с высокоомным элементом 1 и размещенных в полости 2, образованной диэлектрическими элементами: по бокам - лавсановой пленкой 3, сверху и снизу - конденсаторной бумагой 4, 5. Полоска электропроводящего слоя 6, например медной фольги, толщиною 0,02 мм, прикрепленной к датчику снаружи полости 2, образует его токовывод, к которому одним своим концом припаян высокоомный элемент 1. Датчик приклеивают к поверхности исследуемого вещества 7, ориентируя при этом его высокоом-ный элемент относительно предполагаемой волны давления, по исследуемому направлению.

При расположении датчика в токопроводящем исследуемом веществе он электроизолируется.

Работает реостатный датчик следующим образом.

Его электросопротивление в начально.1 состоянии определяется электросопротивлением высокоомного элемента 1 с учетом его щунтирования слоем электропроводящего порощка. Соответственно и распределение сопротивленияпо длине датчика определяется известным распределением сопротивления высокоомного элемента по длине с учетом щунтирования элемента слоем электропроводящего порощка.

Динамическое сжатие слоя электропроводящего порощка в волне давления приводит к падению его сопротивления и соответственно к уменьщению сопротивления датчика. Длина сжатой части слоя электропроводящего порощка увеличивается соответственно с распространением волны давления вдоль высокоомного элемента I.

Уменьщение электросопротивления датчика и скорость уменьщения связаны с положением и скоростью распространения волны давления. При это.м на высокоомном элементе 1 возникает разность потенциалов в результате апериодического разряда емкости через него и последовательный, резистор (на чертеже не. показаны). Включение питания осуществляется за несколько мкс до подхода волны давления к датчику.

Повыщение порога чувствительности, и уменьщение инерционности датчика достигается за счет снижения момента инерции слоя электропроводящего порощка.

Формула изобретения

Реостатный датчик скорости распространения волны давления, содержащий высокоомный элемент с известным распределением электросопротивления по его длине, отличающийся тем, что, сцелью повыщения порога чувствительности и уменьщения его инерционности, он содержит слой электропроводящего порошка, контактирующего с высокоомным элементом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Гальперин Л. И. и Шведов К. И. Журнал физической химии , 1963, т. 37, с. 182.

2. Горщков Н. Н. и Сильверстов В. В. Приборы и техника эксперимента. 1976, jY 4, с. 239.