Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств Советский патент 1978 года по МПК H01F1/10 

S6 Продолжение табл. 4 43,55 3,072,91 3,88 2,910СТ. 53,53 2,002,91 3,88 4,ОО.ост. 63,20 3,00 1,10.2,00 2,ООост,, 74,32 6,004,90 2,50 О,50 ост. Состав 1 известный и приведен дл сравнения. Тридцатую часть лития еводили в состав в виде фторида лития. Помол проводили с дистиллированной водой в вибромельниде М-10 в те чение 1 Ч-, После помола шахту сушил брикетировали и обжигали tia воздухе при температуре в течение 3 ч Второй помол проводили после дро ления брикетов при тех же условиях, что и первый После сушки готовили пресс-порош на 3-10% ном водио,м растворе поливи ,нилового спирта.

Электромапп-ггные параметры экспериментальных образцов Далее из пресс-порошка прессовали на прессе Тор-1 кольцевые сердечники с размерами О,5x0,34x0,12мм. Обжиг сердечников проводили также на воздухе при 820°С в течение 1-2 ч. В табл.2 приведены результаты измерений электромагнитных параметров и результаты проверки стабильности сигнала dV,. Коэрцитивная сила Н.,остаточная индукция В J, Jкоэффициенты прямоугольности В / Б и квадратности Н /Н. измеряли в поле, равном 5Н. Импульсные параметры: амплитуды сигналов неразрушенной единицы UV, разрушенного нуля dV ,а также длительность сигнала на уровне 0,1 измеряли при подобранном оптимальном токе считывания 3. (при соотношении w i-i р с 0/6) и длительности переднего фронта тока считывания i 70 НС (здесь Э ток разрушения). ток записи. Стабильность сигнала dVj,- при повороте сердечников вокруг оси токопровода оценивали по количеству сердечников, не соответствующих техническим требованиям при повторной разбраковке иа автомате. Таблиц.а 2 56 Как видно из данных,приведенных в табл. 2, добавка двуокиси кремния не ухудшает электромагнитные парамет ры, но позволяет стабилизировать амплитуду сигнала разрушенного нуля dVz сердечников при изменении их по ложения на токопроводе (поворот вокруг оси токопровода), в результате чего отсутствуют сердечники с нестабильными сигналами clv. Таким образом, сердечники из пред ложенного материала обеспечивают высокую надежность работы запоминающих устройств, изготовленных на их основе и требуют меньших затрат при их изготовлении.

Формула изобретения

Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств, содержащий

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1,Авторское свидетельство СССР № 367467, кл. Н 01 F 1/10, 1971.

2.Авторское свидетельство СССР № 513395, кл, Н 01 F 1/34, 1969. окись желеёа, окись лития, окись марганца, окись циркония и окись висмута, отличающийся тем, что, с целью стабилизации амплитуды сигнала разрушенного нуля при повороте сердечников вокруг оси токопровода, он дополнительно содержит двуокись кремния при следующем соотношении компонентов, вес.%: 3,2-4,5 Окись лития 2,0-6,0 Окись марганца 2,0-5,0 Окись висмута 1,0-5,0 Окись циркония 0,1-4,0 Двуокись кремния Остальное. Окись железе