(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-л СТРУКТУР
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ получения светодиодов на арсениде галлия | 1976 |
|
SU680085A1 |
| Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии | 2016 |
|
RU2668661C2 |
| Способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое | 2015 |
|
RU2610388C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-AlGaAs МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ | 2020 |
|
RU2744350C1 |
| Способ выращивания в вертикальном реакторе многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек | 2017 |
|
RU2698669C2 |
| Способ получения полупроводниковых приборов на основе соединений типа а в | 1976 |
|
SU599659A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-GaAlAs МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ | 2012 |
|
RU2488911C1 |
| ПОДЛОЖКА ДЛЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2009 |
|
RU2449421C2 |
| Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев | 2016 |
|
RU2638575C1 |
| Способ получения p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии | 2020 |
|
RU2749501C1 |
1
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в полупроводниковой электронике при изготовлении приборов с р-«-переходом.
Известен способ получения р-л-перехода в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.
Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р-п-персхода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.
Известен способ получения р-л-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.
Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине. Кроме того, этот метод не дает возможности получения многослойных р-п-р-«-переходов в едином процессе.
Цель изобретения - получение многослойных р-п-р-п-структур с контролируемым распределением примеси по толщиIie.
Для этого по предлагаемому способу выращивание осуществляют перекристаллизацией в постоянном градиенте температур, а среднюю температуру расплава периодически изменяют соответственно выще и ниже
точки инверсии амфотерной примеси.
Сущность способа получения эпптаксиальных р-я-структур поясняется на примере выращивания р-«-структуры на основе AL-Gai-xAs.
Готовят поликристаллическую таблицу состава AlxGai.xAs () с определенной концентрацией кремния. На подложку из арсенида галлия наносят слой растворителя, например галлия, на который накладывают таблетку Al.. Пакет помещают в реакционную зону с вертикальным температурным градиентом. После вывода установки на режим при постоянной средней температуре выще инверсии за счет
градиента температур происходит зонная перекристаллизация поликристаллической таблетки AlxGai-.vAs в монокристаллический слой ALx-Gai-.x-As «-типа проводимости.
Мосле выращивания слоя «-типа необходимой толщины температуру снижают и далее выращивание р-слоя осуществляют также за счет градиента температуры при средней температуре ниже точки инверсии. При выращивании многослойных р-п-р- «-структур для получения последующего слоя л-типа проводимости среднюю температуру вновь увеличивают выше температуры инверсии, после выдержки в течение времени, необходимого для образования слоя л-типа заданной толщины, среднюю температуру снижают ниже температуры инверсии и выращивают эпитаксиальный слой р-типа.
4 Ф о р м у Л а изобретения
Способ получения р-л-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью получения многослойных р-п-р-л-структур с контролируемым распределением примеси по толщине, выращивание осуществляют перекристаллизацией в постоянном градиенте температур, а среднюю температуру расплава периодически изменяют соответственно выше и ниже точки инверсии амфотерной примеси.
