(Л
с
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНОГО МАТЕРИАЛА | 1991 |
|
SU1810025A1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СЛОЁВ ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПОДЛОЖКУ ПУТЁМ ОСАЖДЕНИЯ В ПЛАЗМЕ НИЗКОЧАСТОТНОГО ИНДУКЦИОННОГО РАЗРЯДА ТРАНСФОРМАТОРНОГО ТИПА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2582077C2 |
| КОМБИНИРОВАННЫЙ ИНДУКЦИОННО-ДУГОВОЙ ПЛАЗМОТРОН И СПОСОБ ПОДЖИГА ИНДУКЦИОННОГО РАЗРЯДА | 2014 |
|
RU2558728C1 |
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПЛАЗМОТРОН | 2010 |
|
RU2477026C2 |
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИНДУКЦИОННЫЙ ПЛАЗМОТРОН | 2001 |
|
RU2233563C2 |
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ЕМКОСТНЫЙ ПЛАЗМОТРОН | 1993 |
|
RU2027324C1 |
| Высокочастотный факельный плазмотрон, для нагрева дисперсного материала | 1983 |
|
SU1094569A1 |
| Источник ионов | 2020 |
|
RU2749668C1 |
| Индуктор для высокочастотного плазматрона (варианты) | 2021 |
|
RU2780005C1 |
| МНОГОСТУПЕНЧАТЫЙ ПЛАЗМОТРОН | 2017 |
|
RU2650197C1 |
о
СА) О Ы 00 О
Изобретение относится к электротехнике, а именно к конструированию ВЧ-плазмотроноа, и может быть использовано при создании подогревателей газа с чистым потоком для ведения различных технологическихпроцессЬв.проведения плазмохимических реакций и т.п.
Известны индукционные высокочастотные плазмотроны. Недостатком этого типа плазмотронов является то, что мощность, выделяемая в индукцирнном разряде, имеет минимум на ос1Л разрядной камеры и увеличивается в направлении к ее стенке. Такое распределение объясняется конфигурацией ВЧ-поля и обуславливает большие тепловые потоки на стенки камеры. Это уменьшает КПД плазмотрона и приводит к необходимости конструирования сложных водоохлаждаемых камер.
Известны также ВЧ-плазмотроны с емкостным разрядом дугового типа, содержащие разрядную камеру и кольцевые электроды, охватывающие концевые участки камеры и подсоединенные к ВЧ генератору.
Однако, в цепи питания плазмотрона появляется реактивная составляющая мощности, обусловленная наличием емкости, образованной внешними электродами. Это ухудшает cosf цепи и уменьшает КПД плазмотрона.
Целью изобретения является увеличение cosf устройства и повышение КПД ВЧплазмотрона. Это достигается тем, что плазмотрон снабжен индуктором, размещенным на камере между электродами и подсоединенным к ВЧ-генератору.
На чертеже показано предлагаемое устройство.
На разрядной камере 1 размещены кольцевые электроды 2 и индуктор 3. С одного конца разрядной камеры размещена система подачи плазмообразующего газа 4,
ВЧ-плазмотрон по вышеприведенной схеме имеетвысокий КПД ввода жидкости в струю плазмы и минимальные тепловые нагрузки на стенки разрядной камеры за счет теплоизолирующего действия потока газа вдоль стенок камеры.
Плазмотрон может работать на л.юбых газах, в любой среде и обладает хорошей устойчивостью при-расходах до 1000 л/мин. Длина разрядной зоны регулируется изменением расстояния между электродами и может достигать величины 1000 мм и более.
Повышение КПД предлагаемого устройства обусловлено следующим:
а)введение в цепь питания катушки индуктивности повышает мощность, вводимую в плазму, а, следовательно, и КПД установки.
б)расположение катушки на разрядной камере приводит к дополнительному нагреву плазмы в зоне катушки за счет ее электромагнитного высокочастотного поля.
Включение катушки индуктивности в цепь питания ВЧ-плазмотрона оказывает стабилизирующее действие на частоту 84генератора,
(56) Фарнасов Г.А. и др. Плазменная плавка. М.: Металлургия, 1968, с. 62.
Гончар Н.И. и др. Безэлектродный плазмотрон с емкостным разрядом дугового типа. - ЖТФ. 1975, N2 3, с. 657.
О N
О
о к д ч-генератору О1
