Изобретение относится к радиационной дефектоскопии, в частности, может быть использовано в рентгенотелевидении, рентгено-(гамма)-графии, нейтронографии и других методах радиационной дефектоскопии.
Известен способ радиационной дефектоскопии, по которому контролируемую деталь облучают источником излучения и регистрируют ее изображение на экране преобразователя с использованием многосетчатых масок, устанавливаемых перед детектором излучения.
Известен также способ радиационной дефектоскопии, по которому контролируемую деталь облучают источником излучения и регистрируют ее изображение на экране преобразователя, причем между источником излучения и экраном преобразователя помещают сетчатую маску со сквозными прорезями.
Наиболее существенным недостатком известных способов является малая чувствительность, что не позволяет обнаружить дефекты с контрастной чувствительностью ниже порога контрастной чувствительности преобразователя.
Целью изобретения является повышение чувствительности способа.
С этой целью между источником излучения и экраном преобразователя помещают маску с прорезями, соответствующими по размерам ожидаемым дефектам, причем толщину маски выбирают так, чтобы контраст ее теневого изображения был не выше порога контрастной чувствительности преобразователя, а контраст суммарного теневого изображения маски и ожидаемого дефекта был выше порога контрастной чувствительности преобразователя.
Способ поясняется чертежом.
Между источником 1 проникающего излучения и экраном преобразователя 2 помещают контролируемый объект 3 с дефектами 4 и 5 (утолщениями) и 6 и 7 (газовыми включениями). Вблизи поверхности объекта 3 размещают маску 8 с прорезями 9 и промежутками 10 между ними. Толщину маски 8 выбирают так, чтобы контраст ее теневого изображения был не выше порога контрастной чувствительности преобразователя 2, а контраст суммарного теневого изображения маски и ожидаемого дефекта был выше порога контрастной чувствительности преобразователя 2. Размеры прорезей выбирают равными размерам ожидаемых дефектов. При совмещении на экране 2 изображения дефекта 4, 5, 6 или 7 с изображением прорезей 9 маски 8 получают увеличение контраста изображения дефекта, если размеры изображения дефекта и прорези в плоскости экрана одинаковы.
Предлагаемый способ позволяет обнаруживать дефекты в материалах, лежащие за пределами контрастной чувствительности преобразователя, и может быть использован при любой геометрии просвечивания и применим при других методах дефектоскопии, в особенности в рентгенотелевидении, а также в нейтронографии, электронографии, ксерорентгенографии и др. (56) В. В. Третьяков и др. Прикладная рентгенотехника. М. : Медицина, 1967, с. 27.
Патент ФРГ N 1066413, кл. 57 а 7/13, 1959.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ рентгенотелевизионного контроля автомобильных шин | 1988 |
|
SU1562802A1 |
РАДИАЦИОННБ1Й ДЕФЕКТОСКОП | 1970 |
|
SU286323A1 |
СПОСОБ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОМОГРАФИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2020 |
|
RU2745304C1 |
СПОСОБ РАДИАЦИОННОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ВНУТРЕННЕЙ СТРУКТУРЫ ОБЪЕКТОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2001 |
|
RU2199109C2 |
Рентгенотелевизионный интроскоп | 1978 |
|
SU873063A1 |
Рентгенотелевизионный интроскоп | 1976 |
|
SU586373A1 |
СПОСОБ РАДИОГРАФИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ СВАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ПЕРЕМЕННОГО СЕЧЕНИЯ | 1988 |
|
SU1526381A1 |
СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ СКРЫТОГО ИСТОЧНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2339023C2 |
СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ | 2007 |
|
RU2350931C1 |
СПОСОБ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОМОГРАФИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2505800C2 |
СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ, по которому контролируемую деталь облучают источником излучения и регистрируют ее теневое изображение на экране преобразователя, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, между источником излучения и экраном преобразователя помещают маску с прорезями, соответствующими по размерам ожидаемым дефектам, причем толщину маски выбирают из условия, чтобы контраст ее теневого изображения был не выше порога контрастной чувствительности преобразователя, а контраст суммарного теневого изображения маски и ожидаемого дефекта был выше порога контрастной чквствительности преобразователя.
Авторы
Даты
1994-02-15—Публикация
1970-11-30—Подача