Резистор Советский патент 1979 года по МПК H01C7/00 

(54) РЕЗИСТОР « ;;;- -//. /:--J. 6 ЯЫМ удельным сопротивлением и создаю текстуру обеспечивающую анизотропию электропроводности пленки. Сопротивление резистора R р обусло лено сопротивлением феррнтного покрыти R-b и сопротГОдением контактных перет. е.Лр«Яф- В,. ходов R R . может в зависимости Ввпвчвна Ф от условий синтеза и после дуюшей технологичесвГой обработки изменяться в широком диапазоне (до десятков Мом). Термостабилизааия сопротивления происходит за счет величины R , которая превосходит Т ф . Повьйпение R достигается путем образЬвання в Зоне контактного перехода феррит-алюмюгай 1чэйЕого слря окиси алюминия ДВ о ..Необходимым условием образ6 BaHka Agj Oj яйляется получение ферри 00Й njteMKH, обргащенйой кислородом, и возможность протекания твердофазовой окислительной реакиии Евжду киспородЬм феррита и агаоминием. - 4 Вследствие твердофазных процессов, протекаюшюс в приконтактных зонах, поверхностное сопротивление резистора в целом стабилизируется. Формула изобретения Резистор, выполненный в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электропроводящего покрытия и контакт ных площадок, отличаюшийс я тем, что, Ф целью расширения диапазона номиналов резистора, электропроводящее покрытие выполнено из феррита. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1,Патент США № 3833410, кя. 117-227, 1974: 2.Микроэлектроника. Теория, конструирование и производство. Под ред. Н. П. Богоропицкого М., Сов. радио , 1966, с. 246-247.