Способ определения толщины покрытий на поликристаллических основаниях Советский патент 1979 года по МПК G01B15/02 

1

Изобретенне относится к рентгенографическим методам определения толщин покрытий па поликристаллических основаниях и может быть использовано ири измерении толщин покрытий на металлах или других поликристаллических основаниях, полученных вакуумного испарения, химического осаждеиия или гальваническим способом.

Известен снособ рентгенографического определения толщин покрытий, основанный на законе поглощения реитгеновских лучей в материале покрытия 1.

Недостаток способа заключается в том, что нельзя измерить тонкопленочные покрытия.

Наиболее близким по технической сущности к предложенному является способ определения толщины покрытий на поликристаллических основаниях, заключающийся в том, что направляют рентгеновский пучок под углом к контролируемому объекту, регистрируют интенсивности излучений, рассеянных от основания с покрытием - /по и от основания без покрытия -/о, и ио их отнопгеиию судят о покрытия 2.

В случае тонкого иокрытия, поглоп;ен11е реитгеновских лучей в нем настолько мало, что R результате измерения интенсивностей /о и /по они иолучаются почти одипаковыми, что дает малую точность.

Целью изобретеиия является повыщеиие точности измерения.

Цель достигается за счет того, что направляют рентгеновский пучок на контролируемый объект под углом, который определяется из условия 2 /о//по 5. Результат измерения имеет мииимальную погрещность нрн - - 3,5.

410

Влияние дефокусировки из-за нарущения условий по Брэггу-Брентано нес щественно, так как расчет толщины покрытий ведут по отнощению интенсивностей двух одинаково расфокусированных линий.

Способ осуществляется следующим образом.

Для определения толщины иокрытия по предлагаемому методу берут подлол ку без покрытия и устанавливают ее в держателе рентгеновского аииарата иод углом а к первичиому лучу, составляющему нссколько градусов. Затем определяют иитенсивиость выбранной линии--/о. После этого в держатель аипарата устанавливают подложку с покрытием и определяют интенсивность той же линии - /по. Если отношение интенсивностеи

оказывается

по

в пределах 2-5, то вычисляют толщину покрытия.

Если отношение интенсивностеи выходит за указанные пределы, то изменяют угол а и повторяют съемку.

Использование предложенного способа определения толщины покрытий позволите высокой точностью измерять покрытие, толщина которых на порядок меньще полупоглощаемого слоя.

Формула изобретения

Способ определения толщины покрытий на поликристаллических основаниях, заключающийся в том, что направляют рентгеновский пучок под углом к контролируемому объекту, регистрируют интенсивности излучений, рассеянных от основания с покрытием - /по и от основания без покрытия - /о и по их отношению судят о толщине покрытия, отличающийся тем, что, с целью повьпнения точности, направляют рентгеновский пучок на контролируемый объект под углом, который определяется из условия

2 /о//по 5.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Уманский Я. С. Рентгенография металлов и полупроводников. «Металлургия, 19G9, с. 144.

2.Мамедов К. П., Геллер П. Х.,.Мехтиев К. М. Рентгенодифрактометрическое определение толщины тонких покрытий на металлах. - «Заводская лаборатория, 1960, т. 26, вып. 4, с. 445-447.