Аналоговое запоминающее устройство Советский патент 1979 года по МПК G11C27/00 

(54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

выходы которых подсоединены к затвору и подложке первого МДП-транзистора соответственно, введены четвертый и пятый ключи, выполненные соответственно на втором и третьем МДПтранэисторах. При этом сток.первого ДЦП-транзистора соединен со стоками второго и третьего МДП-транзистора, исток второго МДП-транзистора соединен со входом устройства, а эатвор со вторыми выходами второго и третьего Ключей, исток третьего МДПтранзистора соединен с другим входом усилителя, а затвор - с третьим выходом блока управления.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства.

Оно содержит первый ключ, выполненый на первом МДП-транзисторе 1,, накопительный элемент, например конденсатор 2, усилитель 3, развязывающие элементы 4,5 второй 6 и третий 7 ключи, блок управления 8, четвертый и пятый, ключи, выполненные соответственно на МДП-транзисторах 9 и 10.

Устройство работает следующим образом.

В режиме выборки выходные сигналы блока управления 8 открывают транзистор 9 и закрывают транзистор 10, этими же сигналами открываются ключи 6 и 7 , которые передают на затвор и подложку транзистора 1 отпирающие его напряжения. При этом транзистор

1открывается, и входной сигнал через открытые транзисторы 9 и 1 поступает на конденсатор 2.

В режиме хранения информации клюfH б и 7 разомкнуты, транзистор 9 закрыт, транзистор 10 открыт и выходное напряжение усилителя 3, равное нешряжению на конденсаторе 2, фиксируется через элементы 5 и 4 на затворе и подложке, а через транзистор 10 - на стоке закрытого транзистора 1. Благодаря равным потенциалам выводов транзистора 1 между ними отсутствуют разряжающие конденсатор

2паразитные токи.

Таким обраэом, устранен ток разряда конленсатора, обусловленный

разностью потенциалов стока и истока основного МДП-транзистора и, следовательно, увеличено время хране ния информации, в аналоговой форме.

Формула изобретения

Аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент, например конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной н левого потенциала другая обкладка конденсатора подключена к одному из входов усилителя, первый ключ, выполненный на первом МДП-транзисторе,-исток которого соединен с другой обкладкой конденсатора, выход усилитля подсоединен к другому его входу и через развязывающие элементы к затвору и подложке первого КДП-транзистоп блок управления, первый и второй выходы которого соединены соответственно со входами второго и третьего ключей, первые выходы которых подсоединены к затвору и подложке первого МДП-транзистора соответственно, о тличающееся тем, что, с целью увеличейия времени хранения информации устройства, в него введены четвертый и пятый ключи, выполненные соЬтветст.венно на втором и третьем ВДП-транзисторах, причем сток

Первого МДП-транзистора соединен

со стоками второго и третьего МДПтранзисторов, исток второго МДПтранзистора соединен со входом устройства, а затвор - со вторыми выходами.второго и третьего ключей, исток третьего МДП-транзистора соединен с другим входом усилителя, а затвор - с третьим выходом блока

.управления.

Источники Информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 586500, кл.С 11 О 27/00, 3.05.76.

2.Заявка № 2449771/18-24, по которой принято решение о вьвдаче авторского свидетельства.