В с |цссГ1ПЮ1ДИ. NieroAax 15Ыра|Ц1 ван11я кгл1ста.|,и)и п:; растворсш, с utvii.-K) ускорения процесса, применяют и качестве исходного образоиаппя pvMocTO ма.кшького криетал.шка вырсзаниую из 1)исталла более крупную tMX) часть. Однако в лптер атуре нот указапим. каки.м образом .To.j/Kiia бпггь 15ыреза ;а эта част1 для но.лучеиия макс11л:алы1() уф(|)(кта, п практически в качестве затравок применяют узкие сте;)Жпи, тгпч кгп; при восстаиов.пепии затравко 11()рмалы- О| 1 Kj)ncT;i. ;/п;чоCKCjii понер;;ноетн )сгенера1и1оиньп ело образуется мутиыл; и внутри niii;)()KoJ зпТ|)авки возникает бо.ПмИое пг) n,Ton;;:;ui и высоте обра3oi:,f i;ic, :;о ;гя1исе криста,;;..
1И)сд,1аг; емь: 1 метод от,1ичаетсл TL-M, что затр::3 а в ;м-1 ie бо,и,:Л(;П пластмнкн иара.ч.ю. :;з .TaBiieiiHiiix крисстал; ОГ});;фимсск1 Х гранен :-;;),та. Это rpaiiM, з;пимаюи).по наибо, 1,т;)И1ИДь в его огра1П чс;:ии. Вырезаниач таким об|1азом з; Т :;;1вка даст минимальное но высоте регоис|КМ1Ис н ;ое образо аи нн наде/киь;и ио 1 ачеств рост крпста.чла. с тем тот Kтoд npH iei;CT:HH затравоч Ого образования максима, (площади ,Н1ак)т чувств;1те.ты:ость криста.1.чов к пзб Поч:1ох;у iiepccbnuciiii.-o, явЛЯЮИиМуСЯ основной ПрНЧИИОП порчи :;рИСТа,1,и1В. ИзбЬТОЧИОе ИС|ЭОс -)Писн1;е особеиио О 1асио в нача.тьньм роста кристаллов, -;oi;ia оло с полижастсн из-за ма.лои иоверх ;осги р; стуи1его крист;1Л.ла.
Кристаллы, вырастаюишс из затравок, 1ии)аллельи1)х главнси1иеи rpaiHi крнстал/ia, имеют иласти ;чатую, в частных случаях .л.;:е. еии:;с-д;-., форм ,лес удобиу о как д.ля нспо.льзоваПИЯ в п;)(И315адстве, так и д.ля иодсчетов, связа.нилях с 1)нредс.лсиием веса криста.л.лов и CKopocTcii их роста.
(люсоб вырлщивлмия моиокриста.ч.юв и:; растворо;. с применением затравок, вырСЗаниых из соответствуюшн.х крнста.л.юв, о т .;i пч а io и и с я тем, что в качество затравки применяют пластинки, вырезанные нз ivpHCTa.b.ia пара/ме/илю одноГ ч:, r.iai.Heniihx )Hеталлограф Н1еекмх rpriHeii его.
