Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей Советский патент 1957 года по МПК C30B25/02 C30B29/06 

Предметом изобретения является способ получения монокристаллов кремния и германия путем доращива}1г.л из газовой фазы монокристалли ческоГ Галенки с заданным переменным содержанием примесей.

Мзвсстные снособы получения монокристаллической нленки германия еще далеко не совершенны ввиду трудностей регулировки коннентрации и распределения примесей.

В этом нанравленин oпиcывae HзIй способ но.|учения монокристаллических пленок германия и является нерспективным.

Сун1ность способа заключается в следуюн;ем.

Пленки германия и кремния, образу1они еся в результате восстановле1Н1Я водоро;1,ом их хлористых соединений (GeCl и SiC.j) при высокой температуре, кристаллизуются на подложке из монокрнста.т.-|а германия или кремния; при этом в газовую фазу вводятся желаемые примеси в газообразных хлористых соединений, которые также восстанавливаются водородом и кристаллизуются вместе с германием или кремнием.

Таким образом, имеется возможность получать монокристаллическую пленку с зада1Н1Ы распределением прнмесей.

Данным способом был по,7учен монокрнсталлнческий слой германия с дырочнок проводимостью толаишой до 40 MU на пластинке чистого германия толщиной в несколько десятых миллиметра.

Такие пластины пригодны для вплавления в них индия и получе 1ия триодов типа Г - П Р.

П р е д м е т и з о б р е т е н и я

Способ получения монокристаллов германия и с заданным содержанием примесей, о т л н ч а ю aui и с я тем, что, с це,1ью унроп;ения п ускорения процесса производства .момокрнста.тлов (для полупроводниковых приборов н других целей), на готовые монокристаллы германия илн кремния доращивают кристаллизацией из газовой фазы монокристалличе1 кую пленку германия илн с заданнъп переменным содержанием примесей.