К особенностям роста кристаллов виннокислого этилендиамина, используемых как материал для изготовления пьезоэлектрических резонаторов, следует отнести большое преобладание скорости роста положительных диэдрических граней - над скоростями роста всех остальных его граней. Поэтому кристаллы виннокислого этилендиамина из точечных затравок развиваются в виде игольчатых образований, не представляющих ценности для практических применений. Для получения кристаллов большого сечения приходится прибегать к применению затравочных криста,ллов также большого сечения.
Обычно в качестве затравок применяют головки кристалла, имеющие положительиые диэдрические грани. Применение такой затравки имеет су)цествениый недостаток, заключаюншйся в том, что значительная область вырос1иег( кристалла около затравки имеет неоднородности, являющиеся следствием явлений ее регенерации. В результате этого большой объем кристалла пе может быть использован. Кроме того, на затравки расходуется большое количество кристалла.
С целью устранения явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера предлагается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразные углубления («карманы) плоского кристаллопосца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастунщх граней кристалла.
Для осуществления предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом,в частности, кристаллов виннокислого этилeпдиaм п a, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных пли почти параллельны.х диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. При этом образуется несколько пластин треугольной формы, каждая из которых может служить затравкой для выращивания кристалла того же сечения.
Полученная таким образом затравка помещается в щелевые отверстия в плоском кристаллоносце, закрытые с нижней стороны и имеющие вид карманов. Затравка должна располагаться в «кармапах кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образовапная пересечением быстрорастущих граней. На чертеже показано устройство кристаллоносца с щелевыми углублениями («карманами) для размещения затравок.
Иэ вершины такой пластинчатой затра вки развиваются криста цлы ёЗльшого поперечного сечения, при..чем размеры поперечника выросшего кристалла определяются размерами осиования затравочной пластины. При этом кристалл развивается как из точечной затравки, а постепенно вырастающие из щели участки кристаллических граней стимулируют рост боковых (пинакоидальных) граней, при обычных условиях практически не растущих. Рост боковых граней продолжается до тех пор, пока основание затравочной пластины яе окажется вписанным в периметр поперечного сечения кристалла.
Предмет изобретения
1. Способ выращивания кристаллов веществ, об чадаюпи х резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов вигнюкислого этнлендиамина, из пластинчатых затравок, отличающий ся тем, что, с целью устранения явлений регенерации, для получения однородных кристаллов большого размера затравку помещают в щелеобразные углубления («карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастуи1,их граней кристалла.
2. Снособ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве затравки применяют пластину, вырезанную из головки кристалла параллельно или почти параллельно диагоиальной плоскости, рассекаюп1ей кристал;г по длине.
