Высокочастотная дифракционная решетка Советский патент 1979 года по МПК G02B5/18 

(54) ВЫСОКОЧАСТОТНА Я ДИФРА КЦИОННА Я РЕЙ ЕТКА

Целью изобретения является изготовление Т|Ысокочасготных решеток с расширенной областью концёнтраш1и дифрагированного решеткой излучения.

Указанная цель достигае11 я тем, что над споем пластичного материала размещено не ме нее двух дополнительных слоев из пластичных материалов, причем модули упругости всех слоев от слоя к слою изменяются монотонно.

На фиг. 1 представлена решетка, выполненная на miaciwiHbix слоях с увеличивающимся модулем упругости; ,на фиг. 2 - то же, с уменьшающимся модулем упругости.

На стеклянную -подложку 1 вакуумным на пылением наносят подслой 2 хрома, который необхойм для увеличения адгезии к стеклу последующего слоя. Затем вакуумным напылением наносят слой пластичного материала 3, например алюминия. После этого наносят вакуу: мнымг напылением последующие дополнитель{ные слои пластичных материалов с увеличивающимся модулем упругости, например слой . 4 .меди, а затем слой 5 никеля. Устанавливают заготовку на делительную машину и произво дятнарезанив штрихов решетки алмазным резцом методом пластической деформации матери 1шг Й 5ёх слоев, за исключением подслоя хрома. модулиупругостйотоев начиная от подложки, то они пластически дефор Шруются на разную величину, а именно: СЛОИ с Мёныш1м модулем упругости деформируются больше, вследствие чего часть грани штриха, образованная слоем с меньшим модулем упругости, будет иметь меньший угол наклона к поверхности подложки, чем частъ грани последующего слоя, имеющего больший модуль упругости, и т.д. В зтом случае профиль рабочей грани штриха будет иметь ломаную вогнутую кривую линию и решетка будет иметь расширенную область концентрации дифрагированного излучения в длинноволновую область спектра. Для увеличения дифрагированного

решеткой излучения решетку, после нарезания штрихов, покрывают слоем, повышающим отражение в заданной области спектра.

С целью получения решетки с рас1Ш1ренной,

областью концентрации дифрагированного излучения в коротковолновую область спектра пластичные .слои наносят на стеклянную подложку 1 с уменьшающимся модулем упругости,начи-|ная от подложки, например, никель, медь, алюмккш. Затем нарезают щтрихи решетки алмазным резцом путем пластической деформации всех слоев. В этом случае из-за различной величины деформации слоев профиль рабочей грани 6 штриха будет иметь ломаную выпуклую

кривую линию и решетка будет дифрагировать излучение с расширением области концентрации в коротковолновую область спектра.

На чертеже поз, 7 - вогнутая рабочая грань штриха.

Формула изобретения

Высокочастотная дифракционная решетка,

25 содержащая подложку с нанесенными на нее ; адгезионным подслоем и слоем пластичного

материала, в котором вьшолнены параллельные другу щтрихи, отличающаяся тем, что, с целью расширения области концентрации дифрагируемого излучения, над слоем пластичного материала размерено не менее двух дополнительных слоев из пластичных материалов причем модули упругости материалов всех слоев от слоя к слою изменяются монотонно.

35 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Борисевич Н. А. и др. Инфракрасные фильтры. Минск, 1971, с. 62-64,

2.НатТнатСША N 3045532, кл. 88-14, 40 J964.

3. Оптико-механическая промышленность, |957, N 4, с. 56-60.

Ug.f

; X X X Х; / / Ху XX Х ;;

--/

аг.2