Устройство для измерения комплексных параметров материалов Советский патент 1979 года по МПК G01R27/04 

Описание патента на изобретение SU684467A1

Изобретение относится к радиоизмерительной технике. Известно устройство для измерения комплексных параметров материалов, содержащее саерхвь-сокочастотный генератор, подключепкый через отрезок стандар ного волновода к измерительному резон&тору, выполненному в виде отрезка прямоугольного волновода, на входном конце которого включен фильтр типов волн, а другой конец закорочен подвижным с образцом исследуемого материала 1, Однако известное устройство не обеспечивает высокой точности измерения KON плексной магнитной проницаемости материалов с большими потерями в диапазоне сверхвысоких частот, а также не обеспечивает измерения комплексной диэлектрической проницаемости. Цепь изобретения - повышение точнооти измерения комплексной магнитной про ницаемости материалов с большими потерями в диапазоне сверхвысоких частот, а также измерение комплексной диэлектрической проницаемости. Для этого в устройстве для измерения комплексных параметров материалов, содержащем сверхвысокочастотный renepaTops подключенный через отрезок ставдартного волновода к измерительному резонатору, выполненному в виде отрезка прямоугольного волновода, на входном конце которо го включен фильтр типов волн, а конец закорочен подвижным поршнем с образцом исследуемого материала, отре зок прямоугольного волновода выполнен с размером широкой стенки, равным удвоенному размеру широкой стенки отрезка стандартного волновода, а фильтр типов волн образован симметричным скачком поперечного сечения в месте соединения отрезка стандартного волновода и отрезка прямоугольного волновода. Образец исследуемого материала размешают несимметрично относительно плоскости .симметрии отрезка прямоугольного волновода, п аллельно его узким стенкам. Образец устанавливают на подвижном порш не через дополнительно введенную четверт волновую диэлектрическую прокладку. На фиг. 1 приведена структурная схема устройства; на фиг, 2 - конструкция измерительного резонатора. Сверхвысокочастотный генератор 1 под ключен через отрезок 2 стандартного волновода к измерительному резонатору 3, выполненному в виде отрезка 4 прямоугольного волновода, на входном конце которого включен фильтр типов волн 5, образованн{)1Й симметричным скачком поперечного сечения в месте соединения от резка 2 стандартного волновода и отреэка 4 прямоугольного волновода. Другой конец отрезка 4 прямоугольного волновода закорочен подвижным поршнем 6 с образцом 7 исследуемого материала, при этом этот отрезок выполнен с размером широкой стенки, равным удвоенному размеру широкой стенки отрезка 2 стандартного волновода. Образец 7 исследуемого материала размещают несимметрично от носительно плоскости симметрии отрезка 4 прямоугольного волновода, параллельгно его узким стенкам, причем при измере нии комплексной диэлектрической проницаемости образец устанавливают на подвия ном поршне 6 через четвертьвольновую диэлектрическую прокладку 8. Устройство работает следующим образом. Сигнал сверхвысокочастотного генер.тора 1, отраженный от измерительного резонатора 3, поступает через направленный ответвитель 9 на детектор 1О. Ввиду квадратично1Х) детектора его ток, иэмеряемый микроамперметром 11, пропорционален отраженной мошности. Изменение отраженной мощности при перемешении поршня 6 носит резонансный характер. Вещественную и мнимую составляющие магнитной проницаемости и определяют следующим образом. Перемещая поршень с помещенным на нем образцом ис- , следуемого материала, по показаниям мик роамперметра 11 получают резонансную кривую, Тогда и вычисляют по характеристикам резонансной кривой и величинам, характеризующим размеры и положение образца исследуемого материала на поршне. Для определения вещественных и мнимых составляющих диэлектрической 74 цаемо(;ти и f проводят аналогичную процедуру измерений с тем опличием, что образец 7 помешают на поршне через чет вертьволновую диэлектрическую прокладку с малыми потерями в диапазоне СВЧ, . Устройство по сравнению с прототипом характеризуется более высокой точностью измерения комплексной магнитной проницаемости материалов с большими noTeps ми в диапазоне СВЧ и позволяет измерять комплексную диэлектрическую проницаемость. Формула из обретения 1,Устройство для измерения комплексных параметров материалов, содержащее сверхвысокочастотный генератор, подключенный через отрезок стандартного волновода к измерительному резонатору, выполненному в виде отрезка прямоугольного волнбвода, на входном конце которого включен фильтр типов волн, а другой конец закорочен подвижным порщнем с образцом исследуемого материала, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения комплексной магнитной проницаемости материалов с большими потерями в диапазоне сверхвы соких частот, отрезок прямоугольного волновода выполнен с размером широкой стенки, рзвным удвоенному размеру широкой стенки отрезка стандартного волновода, а фильтр типов волн образован сик метричным cji:a4KOM поперечного сечения в месте соединения отрезка стандартного волновода и отрезка прямоугольного БС: новода, при этом образец исследуемого материала размещают несимметрично GT-носительно плоскости симметрии отрезка прямоугольк. волновода, параллельно его узким стенкам, 2.Устройство по п, 1, отличающееся тем, что, с целью измерения комплексной диэлектрической проницаемооти, образец исследуемого материала устанавливают на подвижном поршне через дополнительно введенную четвертьволновую диэлектрическую прокладку. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР № 221772, кл, О 01 R 27/04, 1967,

Похожие патенты SU684467A1

название год авторы номер документа
Способ измерения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающих материалов 2020
  • Галдецкий Анатолий Васильевич
  • Богомолова Евгения Александровна
  • Алексеенков Владимир Иванович
  • Васильев Владимир Иванович
  • Коломин Виталий Михайлович
  • Немогай Ирина Куртовна
RU2744158C1
РЕЗОНАНСНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЛИЖНЕПОЛЕВОГО СВЧ-КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ 2013
  • Усанов Дмитрий Александрович
  • Горбатов Сергей Сергеевич
  • Кваско Владимир Юрьевич
  • Фадеев Алексей Владимирович
RU2529417C1
Устройство для измерения распределения сверхвысокочастотного поля в полупроводниковом образце 1980
  • Конин Александр Михайлович
  • Приходько Александр Владимирович
  • Репшас Константинас Константино
SU930160A1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2014
  • Никулин Сергей Михайлович
  • Хилов Владимир Павлович
  • Малышев Илья Николаевич
RU2548064C1
Устройство для измерения диэлектрической проницаемости материалов 1988
  • Тимофеев Сергей Владимирович
SU1552081A1
Устройство для измерения шумовых параметров полупроводниковых образцов 1980
  • Конин Александр Михайлович
  • Приходько Александр Владимирович
SU987539A1
Зонд для измерения диэлектрической проницаемости диэлектрических пластин методом СВЧ-спектроскопии 2023
  • Дроздовский Андрей Викторович
  • Устинов Алексей Борисович
  • Семенов Александр Анатольевич
RU2803975C1
Способ измерения удельного сопротивления материалов в полосе сверхвысоких частот и устройство для его осуществления 2018
  • Крылов Виталий Петрович
  • Чирков Роман Александрович
  • Забежайлов Максим Олегович
  • Миронов Роман Александрович
  • Суханов Игорь Евгеньевич
  • Титов Николай Сергеевич
RU2688579C1
Способ измерения относительной комплексной диэлектрической проницаемости материала с потерями 2022
  • Крылов Виталий Петрович
  • Подольхов Иван Васильевич
  • Шадрин Александр Петрович
  • Забежайлов Максим Олегович
RU2789626C1
Устройство для измерения концентрации и подвижности носителей тока в полупроводниках 1981
  • Виткус Альгирдас Мечисловович
  • Лауринавичюс Альбертас Казевич
  • Малакаускас Повилас Зенонович
  • Пожела Юрас Карлович
SU1038891A1

Иллюстрации к изобретению SU 684 467 A1

Реферат патента 1979 года Устройство для измерения комплексных параметров материалов

Формула изобретения SU 684 467 A1

SU 684 467 A1

Авторы

Соколов Владимир Макарович

Шепелев Владимир Андреевич

Даты

1979-09-05Публикация

1977-10-11Подача