(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МАГНИТНОЙ
Головки
(резкие переходы с одной поверхности на другую), что является причиной утонения каждого последующего слоя, осажденного методом вакуумного напыления на ступеньках. Ступеньки являются такясе концентраторами внут- 5 ренних напряжений в этих слоях. Все ЭТО. ведет к увеличению сопрот,ивления бмоток или их обрыву, к растрескианию и последующему отшелушиванию иэлектрических слоев. Вышеуказанные tO недостатки приводя г к значительному браку при изготовлении интегральных агнитных головок.
Целью изобретения является увеличение выхода годных магнитных голо- 15 вок при изготовлении. .
Это достигается тем, что по предлагаемому способу перед напылением и формированием обмотки на магнитопровод напыляют тантал, затем алюми- jn НИИ, формируют на них рисунок и по- лучают кзолирующие слои путем плотного и пористого анодирования алюминия, причём формирование рисунка на тантале осуществляют с припуском относи- тельно частей магнитопровода.
На фиг.1-4 изображена последовательность изготовления интегральной магнитной головки по описываемому способу.
П р им е р. Все операции по формированию интегральной магнитной головки проводят на диэлектрической подложке из сапфира. При операциях фот-олитографии и анодирования -применяют фоторезисты Sn-25 иФН-11к. На диэлектрическук) подложку 1(фиг.1) напыляют .пермаллой толщиной 2,5. мкм и методом фотолитографии формируют первую часть магнитопровода 2 (фиг.).. Затем напыляют тантал Толщиной 1000- 40 2000 °А и прово;:1ят фотолитографию по . танталу 3 (фиг.1). Топология тантала повторяет топологию пермаллоя с йрипуском +10 мкм. Напыляют алюминий ТОЛЩИНОЙ 5-6 мм и проводят плотное 45 анодирование по всей поверхностинаглубину до 1,5 мкм. Методом фотолй- . тографии формируют рисунок нижних витков обмотки с витком в зазоре.и проводят сквозное пористое анодирова- JQ ние по рисунку фоторезиста . Таким образом формируют нижние ви.тки обмотки 4 (фиг.2) и диэлектрический слой 5 (фиг.2). Проводят фотолитографию по. анодированному слою алюми- - ния для вскрытия первой части магнитопровода и в месте соединения, со второй частью.Напыляют пермаллой 6 (фиг.3) .толщиной .2,5 мкм и методом фотолитографии формируют вторую часть магнитопровода б (фиг.З). Затем на- 60 пьшяют тантал 7 (фиг.З) и проводят фотолитографию по танталу. Топология тантала повторяет ,топологию пермаллоя с припуском +10 мкм.
Напыляют алюминий, толщиной 4-5 м.к и проводят сплошное пористое анодирование по всему слою алюминия 8 (фиг.З). Методом фотолитографии производят вскрытие переходных контактных площадок с нижней части обмотки на верхнюю. Затем напыляют алюминий толщиной 1-2 мм и методом фотолитографии формируют верхнюю часть об- мотки 9 (фиг.4).
Возможны следующие варианты осу-, ществления способа. Операцию цинкования контактных площадок можно не выполнять, но тогда после формирования верхней части обмотки необходимо провести отжиг в азоте при 200-250 0 в течение 1 ч с целью уменьшения переходного сопротивления в местах соединения нижней части обмотки с верхней. .После операции цинкования контактных площадок возможно также технологический процесс закончить следующим образом: напылять алюминий толщиной 5-6 мкм, провести плотное анодирование по всему слою на глубину до 1,5 мкм, сформировать рисунок верхне части обмотки, провести сквозное пористое анодирование по рисунку фоторезиста и методом фотолитографии по слою анодированного алюминия вскрыть контактные площадки. Использование прёдла.гаемого способа изготовления интегральной магнитной, головки обеспчивает по сравнению с известным резк.ое повышение процента выхода годных головок. Так по известному способу выход годных головок составляет 1-2% а по предлагаемому .способу - 20%.
Формула изйбретен 1я
Способ.изготовления интегральной Магнитной головки, включающий формирование на жесткой диэлектрической Подложке путем, напыления и фотолитографии магнитопровода из пермаллоя обмотки свитком в зазоре и нанесени изолирующих слоев между магнитопроводом и обмоткой, о т л и ч а ю щ ии с я .тем, .что, с целью увеличения выхода годных магнитных головок, приJизготовлении .перед напылением и формированием обмотки на магнитр провОд напыляют .тантал/ затем алюминйй,фоЕ мй{эуют на них рисунок, а изолирующие слои получают путем плотного и пдрибтого анодирования алюминия, причем формирование рисунка на тантале осуществляют с припуском относительно частей магнитопровода.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент США № 3891995, кл. 360-123,опублик. 1975. 2. Патент США № 3662119, кл. 360-123, опублик. 1972.
w
T.
691920
A-A nо6ерну--по 6 7 В
iy s;:;:v:ii: -:;-:J
/
/ V V V /
X / / i / у
z.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНОЙ ГОЛОВКИ | 1991 |
|
RU2010355C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ВАКУУМНОГО МИКРОПРИБОРА | 1988 |
|
SU1729243A1 |
СИСТЕМА УПРАВЛЯЮЩИХ И ОТОБРАЖАЮЩИХ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЭКРАНА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1991 |
|
RU2019863C1 |
Способ изготовления магниторезистивного элемента магнитной головки | 1980 |
|
SU959150A1 |
Способ изготовления многослойных печатных плат | 1978 |
|
SU780237A1 |
Способ изготовления туннельного перехода с двойной изоляцией | 2023 |
|
RU2816118C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 1991 |
|
RU2040131C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ДАТЧИКА | 2011 |
|
RU2463688C1 |
Способ изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрической подложке и устройство терморезистора (варианты) | 2022 |
|
RU2791082C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК | 2012 |
|
RU2494492C1 |
V
(%z
B-6 7 /S
. J sm.
B $S : ::NS
/,/// /V / //,/,/
иг.з
T
Авторы
Даты
1979-10-15—Публикация
1977-08-08—Подача