Резистивный материал Советский патент 1979 года по МПК H01B1/06 H01C17/00 

Описание патента на изобретение SU693443A1

Изобретение относится к радиоэлект,ронике и может быть использовано при производстве переменных композиционных резисторов. Известен резистивный материал на основе сажи Иполиимида величина сопротивления которого регулируется количеством токопроводящего наполнителя сажи 1J. Однако получение высокоом- ных номинальных сопротивлений при использовании этого материала затруднено. Наиболее близким к изобретению является резистивный материал, содержащий сажу и полимерное связующее L J. Однако этот материал имеет недоста точно высокую электропроводность в слу чае небольшого процентного содержания сажи. Целью изобретения является увеличен электропроводности материала. Для этого известный резистивный ма териал, содержащий сажу и полимерное связующее, содержит в качестве полиме кого связующего смесь политетрафторэтилена, полипиромеллитамидокислоты и диметилформамида при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%: Сажа«4-5 Политетрафторэтилен 5-10 Полипиромеллитамидр- кислота12-14 Диметилформамид72.-7 Q В примерах приведены соотношения компонентов резистйвного материала с минимальным средним и максимальным содержанием их. Пример 1.5г сажи, О г политетрафторэтилена, 14 г полиамид о- кислоты и 71 г диметилформамида тщательно перемешивают в быстроходных смесителях в течение 2 ч. Полученную композицию фильтруют, вакуумируют и наносят методом полива или другими способами на подложку в виде стеклотекстолита или керамики. Производят предварительную подсушку слоя при 15О С в течение 24 мин и вырубку ре6зистивных элементов (в случае стеклотекстолитовой подложки). Затем HiaHocHt серебряную контактную суспензию и окончательно попимеризуют резистивные элементы при 2ОО-22О°С в течение 3 ч 5О мий, Указанный состав обеспечивает получение резистивных слоев от 1 до 10 мОм со следующими характеристиками: среднее значение коэффициента влагостойкости за 10 сут испытаний при t 4С)°С HW а 95-98% до + 4%у среднее значение коэффициента апектр старения при 1-70СиРг ном 500 чиспытаний др--7%; среднее значение ТКС«1О7® с в ни- 155°С тервале температур от 25 до ±609; среднее значение коэффициента износоустойчивости за 250 тыс. циклов вращения подвижной системы до ± 5%. Пример 2. 4,5 г сажи, 7,5 г политетрафторэтилена, 13,0 г полиамидо кислоты и 75,0 г диметилформамйда тща тельно в течение 2 ч перемешивают в быстроходных смесителях. Полученную композицию фильтруют, вёкуумируют и наносят методом полива или другими спо собами на подложку в виде стеклотексто лита или керамики. Производят предварительную подсушку резистивного слоя в течение 24 мин при 15О С и вырубку резистивных элементов (в случае стекло текстолитовой подложки). Затем наносят серебряную контактную суспензию и полимеризуют резистивные элементы при 200-22О°С в течение 3ч 50 мин. Указанный состав 1 омпозиции обеспе- чивает получение номинальных с&против- лений резистивных слоев от ЗОО кОм до 1 мОм со следующими характеристиками: среднее значение коэффициента влагостойкости за 10 сут испытаний при t 4О°С и W 95-98% до ± 2%; среднее значение коэффициента электр 70°С и Р«е.„.. за 500 старения при испытаний до - 5%; средне е значение ТКС 1О / С в интервале температур от25до155Сf 210; среднее значение коэффициента износоустойчивости за 25 О тыс. циклов вра- щения i 3%. Пример 3, 4г сажи, 5 г поли тетрафторэтилена, 12 г полиамидокислОт и 79 г диметилформамйда тщательно в 34 течение 2 ч перемешивают в быстроходных смесителях. Полученную композицию фильтруют, вакуумируют и наносят методом полива или другими способами на подложку в виде стеклотекстолита или керамики. Производят предварительную подсушку ре- в течение 24 мин при зистивного слоя 15О с и вырубку резистивных элементов (в случае стеклотекстопитовой подложки). Затем наносят серебряную контактную сусленз1по и полимеризуют резистивные элементы при 200 - 22О С в течение 3 ч 50 мин. Указанный состав композиции обеспе-. чивает получение номинальных сопротивлений резистивных слоев от 100 до 300 ЗОО кОм со следующими значениями основных параметров: среднее значение коэффициента влагоза 10 сут испытаний при стойкости t и W 95-98% до4О,08%; среднее значение коэффициента электростарения под электрической нагрузкой при t 70°С и до-5,3%; среднее значение коэффициента износоустойчивости за 250 тыс. циклов подвижной системы до ± 4%; среднее значение С в ин155°Стервале температур от - 25 до не превышает ±2ОО. Таким образом, применение трехком- понентной полиимидной композиции с использованием в качестве диэлектрического наполнителя политетрафторэтилена позволяет осуществить получение и плавную регулировку высокоомных номинальных сопротивлен ия в диапазоне от 10О кОм до 10 мОм; значительно повысить износоустойчивость резистивных слоев переменных резисторов с 50 до 250 тыс. циклов вращения подвижной системы. Формулаизобретения Резйстивный материал, содержащий сажу и полимерное связующее, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения электропроводности, он содержит в качестве полимерного связующего смесь политетрафторэтилена, попипиромелл итамидокислрты и диметилформамйда при следующем соотношении исходных компонентов, .вес.%: Сажа.4-5 Политетрафторэтилен5-10 5.. Полипиромеллитамндокисуюта12-14Диметилформамия72-78 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе бОЗД З6 1. Патент Англии№ 972007, кл, СЭР, 1963. 2. Авторское свидетельство СССР № 479786, кл. С 08 JP 29/16, 1974 s (прототип).

Похожие патенты SU693443A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления резисторов 1975
  • Антонян Абрам Исакович
  • Чопоров Дмитрий Яковлевич
  • Боголюбова Людмила Павловна
  • Просвирнина Нина Егоровна
  • Фиалков Абрам Самуилович
  • Тян Леонид Семенович
  • Александров Юлиан Викторович
  • Самойлов Виктор Сергеевич
  • Казанова Галина Федоровна
SU577569A1
Резистивный материал 1979
  • Тужикова Тамара Михайловна
  • Домочацкая Галина Петровна
  • Рогова Антонина Васильевна
  • Аулова Надежда Васильевна
  • Арсеньева Эльвира Давыдовна
SU834780A1
Резистивный материал 1977
  • Тихомиров Эдуард Анатольевич
  • Куликова Тамара Федоровна
  • Тырин Юрий Анатольевич
  • Мартынов Вадим Борисович
SU711638A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2014
  • Бавыкин Борис Владимирович
  • Малышев Илья Николаевич
  • Симаков Сергей Валерьевич
RU2552631C1
Резистивная паста 1981
  • Кошкина Лидия Петровна
  • Климанова Наталья Владимировна
  • Терешкова Надежда Семеновна
  • Просвирнина Нина Егоровна
SU970485A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2014
  • Бавыкин Борис Владимирович
  • Малышев Илья Николаевич
  • Симаков Сергей Валерьевич
RU2552626C1
РЕЗИСТИВНАЯ ПАСТА 1991
  • Колесникова Т.И.
  • Черных В.Е.
  • Рандина Л.П.
  • Алмаева Н.П.
  • Галдилов В.С.
  • Горбачев С.Г.
SU1825204A1
Резистивная паста 1981
  • Кошкина Лидия Петровна
  • Климанова Наталья Владимировна
  • Терешкова Надежда Семеновна
  • Просвирнина Нина Егоровна
  • Рублевская Татьяна Николаевна
SU970486A1
Резистивная паста 1979
  • Кошкина Лидия Петровна
  • Климанова Наталья Владимировна
  • Терешкова Надежда Семеновна
  • Просвирнина Нина Егоровна
SU886064A1
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Лисицкий В.В.
  • Измайлов Ш.З.
  • Шориков Ю.С.
  • Румянцева Е.А.
RU2033648C1

Реферат патента 1979 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 693 443 A1

SU 693 443 A1

Авторы

Антонян Арам Исаакович

Боголюбова Людмила Павловна

Просвирнина Нина Егоровна

Каменская Галина Николаевна

Даты

1979-10-25Публикация

1977-12-22Подача