ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ Российский патент 1995 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение RU2033648C1

Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления толстопленочных гибридных интегральных схем методом трафаретной печати.

Известна композиция для резистивной пасты, содержащая в качестве токопроводящего материала диоксид рутения и вольфрам, в качестве диэлектрической фазы свинцовоборосиликатное стекло и органическое связующее на основе ланолина [1]
Основными недостатками известной композиции являются ее низкая технологичность, относительно высокая растекаемость, что не позволяет получать в процессе трафаретной печати отпечатки с высокой воспроизводимостью геометрии рисунка. Как следствие, после вжигания пасты формируются резисторы с высоким разбросом номинальных значений сопротивлений (до 40-50%).

Наиболее близок к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является композиция для резистивной пасты, содержащая в качестве токопроводящего материала диоксид рутения и пятиоксид ниобия, в качестве диэлектрической фазы боросиликатное и цинкосвинцовоборосиликатное стекла и органическое связующее на основе растворов этилцеллюлозы в α-терпинеоле при следующем соотношении компонентов, мас.ч:
Токопроводящая фаза: Диоксид рутения 7,5-60,0 Пятиокись ниобия 0,1-30,5
Диэлектрическая фаза:
Боросиликатное стекло 15,0-67,5
Цинкосвинцовобо- росиликатное стекло 0,1-1,5
Органическое связующее 16,7-30,0 [2]
Основным недостатком известной композиции является относительно высокий разброс сопротивления резисторов, который достигает 19-25% Кроме того, для низкоомных резисторов имеет место относительно высокий положительный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (более + 150˙10-61/оС), в то время как для высокоомных резисторов наблюдается относительно высокий отрицательный ТКС (более -150˙10-61/оС)
Целью изобретения является расширение диапазона значений сопротивления с повышенным качеством резисторов.

Цель достигается тем, что паста для изготовления толстопленочных резисторов, содержащая токопроводящую фазу на основе оксидов рутения и ниобия, диэлектрическую фазу на основе двух боросиликатных стекол и органическое связующее на основе раствора этилцеллюлозы в α-терпинеоле, дополнительно содержит оксид хрома 0,005-0,500 мас.ч и диоксид титана 0,005-1,000 мас.ч, а оксиды рутения и ниобия использованы в виде соединения, отвечающего общей формуле Ru1-xNbxO2, где 0,0005≅x≅0,5, при этом компоненты взяты в следующих количественных соотношениях, мас.ч:
Токопроводящая фаза 10-65
Диэлектрическая фаза 10-65
Органическое свя- зующее 24-35
Сущность изобретения иллюстрируется следующими примерами.

П р и м е р 1 (по изобретению). В шаровую мельницу загружают 9,85 г сложного оксида рутения и ниобия общей формулы Ru1-xNbxO2, где х=0,0005, 0,10 г диоксида титана, 0,05 г оксида хрома (III), 75 г этилового спирта, измельчают и перемешивают в течение 20 ч, затем вводят 65 г смеси боросиликатных стекол и продолжают перемешивать в течение 6 ч. Порошкообразную композицию сушат при 60оС в течение 4 ч и просеивают.

Органическое связующее готовят следующим образом.

В круглодонную колбу, снабженную мешалкой и обратным холодильником, загружают 2 г целлюлозы, характеризующейся этоксильным числом по Цейзелю 46,5-49,0% и условной вязкостью 10%-ного раствора в спирто-бензольной смеси (1: 4) в пределах 5-12 с, 40,3 г α-терпинеола, нагревают до 60оС и перемешивают до полного растворения этилцеллюлозы. Затем 37,5 г порошкообразной композиции и 12,5 г органического связующего смешивают на валках пастотерки в течение 30 мин и наносят методом трафаретной печати на тест-платы, сушат в ИК-печи при температуре 150оС и проводят высокотемпературное вжигание в конвейерной печи при температуре 850±2оС.

П р и м е р 2 (по прототипу). В шаровую мельницу загружают 7,5 мас.ч диоксида рутения, 2,5 мас.ч пятиокиси ниобия, 69 мас.ч смеси боросиликатных стекол и перемешивают в течение 24 ч. Затем 39,5 г порошкообразной композиции смешивают с 10,5 г органического связующего, представляющего 5%-ный раствор этилцеллюлозы, характеризующийся этоксильным числом по Цейзелю 46,5-49,0% и условной вязкости 10%-ного раствора в спирто-бензольной смеси (1:4) в пределах 5-12 с, в α-терпинеоле.

Сопротивление резисторов оценивали с помощью термометра Е 6-13 на трех тест-платах, содержащих шесть резисторов одного геометрического рисунка. ТКС резисторов оценивали по формуле
ТКС , где R120 и R20 сопротивление резистора при температуре 20 и 120оС соответственно.

За результат анализа брали среднее значение по результатам шести измерений.

Разброс номинальных значений сопротивления резисторов одного геометрического рисунка рассчитывали по формуле
δ 100% где среднее значение сопротивления резисторов одного геометрического рисунка;
Ri сопротивление i-го резистора;
N количество резисторов испытуемой серии.

Полученные результаты представлены в таблице.

Таким образом, предлагаемое техническое решение по сравнению с прототипом позволяет получать резисторы в широком диапазоне номинальных значений сопротивления от 10 Ом/□ до 1 Мом/□ с ТКС в пределах ±100˙10-61/оС и снизить разброс номинальных значений резисторов одного геометрического рисунка в 4-10 раз.

Похожие патенты RU2033648C1

название год авторы номер документа
ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩАЯ ПАСТА 1990
  • Зайдман С.А.
  • Довбня В.А.
  • Ермолаева Л.Р.
  • Динисламова Л.А.
RU2024081C1
СТЕКЛО 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Костенич Л.А.
RU2069198C1
АЛЮМИНИЕВАЯ ПАСТА ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2013
  • Булгакова Александра Александровна
  • Витюк Сергей Владимирович
  • Власенко Максим Михайлович
  • Гаранжа Светлана Борисовна
  • Куцевалова Лидия Егоровна
  • Пономаренко Мария Александровна
  • Шалько Нина Ивановна
RU2531519C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ 1992
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Колдашов Д.Н.
  • Журавов В.Д.
  • Ушкова А.П.
  • Андронов Б.Н.
  • Измайлов Ш.З.
RU2026578C1
СТЕКЛО ДЛЯ СИТАЛЛОЦЕМЕНТА 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Костенич Л.А.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Левин В.Ф.
RU2069199C1
Резистивная паста 1982
  • Дубинина Маргарита Петровна
  • Безруков Владимир Ильич
  • Голоденко Меланья Ефимовна
  • Писляков Александр Викторович
  • Воропаев Альберт Григорьевич
  • Бронников Анатолий Никифорович
  • Батура Зинаида Евсеевна
SU1073806A1
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК 1994
  • Писляков А.В.
  • Васильев А.А.
RU2098806C1
СТЕКЛО 1995
  • Петрова В.З.
  • Чиликина Т.Д.
  • Воробьев В.А.
  • Чиликина М.В.
RU2081069C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ПАСТ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Морозова Т.М.
  • Колдашов Д.Н.
RU2044350C1
Резистивная паста 2017
  • Легошин Алексей Иванович
RU2669000C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 033 648 C1

Реферат патента 1995 года ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и используется для изготовления толстопленочных резисторов, обладающих широким диапазоном значений сопротивления. Сущность изобретения: паста для изготовления толстопленочных резисторов, содержащая токопроводящую фазу на основе оксидов рутения и ниобия, диэлектрическую фазу на основе двух боросиликатных стекол и органическое связующее на основе раствора этилцеллюлозы в α -терпинеоле, дополнительно содержит в токопроводящей фазе оксид хрома 0,005 - 0,500 мас.ч. и диоксид титана 0,005 - 1,000 мас.ч., а оксиды рутения и ниобия использованы в виде соединения, отвечающего общей формуле Ru1-xNbxO2, где 0,0005 ≅ x ≅ 0,5, при этом компоненты взяты в следующих количественных соотношениях, мас.ч.: токопроводящая фаза 10 - 65, диэлектрическая фаза 10 - 65, органическое связующее 24 - 35. Изобретение позволяет получить резисторы с диапазоном номинальных значений сопротивлений от 10 Ом/см2 до 1 МОм/см2 с температурным коэффициентом в пределах ± 100·10-6 1/C°, с разбросом номинальных значений сопротивления резисторов ниже в 4 - 10 раз. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 033 648 C1

ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, содержащая токопроводящую фазу на основе оксидов рутения и ниобия, диэлектрическую фазу на основе двух боросиликатных стекол и органическое связующее на основе раствора этилцеллюлозы в α-терпинеоле, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона значений сопротивлений, она дополнительно содержит в составе токопроводящей фазы оксид хрома в количестве 0,005 0,500 мас.ч. и диоксид титана в количестве 0,005 1,000 мас.ч. а оксиды рутения и ниобия использованы в виде соединения общей формулы Ru1-xNBxO2, где 0,0005 ≅ x ≅ 0,5, при этом компоненты взяты в следующих количественных соотношениях, мас.ч.

Токопроводящая фаза 10 oC 65
Диэлектрическая фаза 10 oC 65
Органическое связующее 24 oC 35

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2033648C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Резистивная композиция 1981
  • Тризна Юрий Павлович
  • Панов Леонид Иванович
  • Федоров Виктор Николаевич
  • Соколовский Валентин Романович
  • Соколовская Ирина Григорьевна
SU957284A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

RU 2 033 648 C1

Авторы

Лисицкий В.В.

Измайлов Ш.З.

Шориков Ю.С.

Румянцева Е.А.

Даты

1995-04-20Публикация

1989-12-29Подача