Способ гальванического осаждения Советский патент 1980 года по МПК C25D21/12 G11C11/00 

1

Изобретение относится к гальванике и можег быть использовано для осаждения на проволочную подложку-катод многокопонентных магнитоанизотропных цилиндрически магнитных пленок (ЦМП), применяемых в цифровых вычислительных машинах в качестве запоминающей среды.

Наиболее близким но технической сущности и достигаемому результату к предложенному является способ гальванического осаждения цилиндрических магнитных пленок, включающий погружение щшиндрической подложки-катода в ванну с электролитом и пропускание через нее тока. Согласно данному способу одинаковые концы анода и подложкикатода, погруженных в ванну с электролитом, присоединяют к плюсу и минусу соответственно источника тока электроосаждения, причем анод и подложку-катод также подключают идентично обеими концами к источнику вспомогательного тока и источнику тока подмагничивания соотвегстненно через переменные резисторы и амперметры. При этом вспомогательный ток, протекающий по аноду, расположе1шому параллельно катоду, обуславливает падение напряжения той же величз ны и знака, что и падение напряжения, создаваемое на катоде током подмагннчивания 1 .

Однако налшо е трех независимых источников тока в.Щ1яет ipoaecc электроосаждения, ведет к нестабильности работы устройства и снижению однородности химического состава и надежности получаемых пленок.

Целью изобретения является повышение качества осаждаемых пленок.

Поставленная цель достигается тем, что катод и анод подсоединяют к источнику тока противоположными концами, а другае концы соединяют между собой через переменный резистор и амперметр, причем сопротивление анода выбирают больишм сопротивления катоДа.

На чертеже изображена схема устройства для осуществления способа.

Схема устройства содержит ванну 1, наполненную электролитом 2, цилиндрическую подложку-катод 3, анод 4, источник тока 5, переменный резистор 6 и амперметр 7, пе