Способ получения маскирующего покрытия фотошаблона Советский патент 1980 года по МПК C23C13/00 

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАСКИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ

ФОТОШАБЛОНА 1 мкм на установке РМЗ.279.014 на стеклянные подложки размером 7рх70мм ионно-плазменным распылением наносят пленку хрома толщиной 0,04-0,045 мкм По предлагаемому способу задаетс режим осаждения: ускоряющее напряже ние на мшаени 4+0,1 кВ, плотность ВЧ мощности на мишени 25 Вт/см , ск рость осаждения хрома 5+0,5 нм/сек. Время осаждения 15 сек. Полученная пленка имеет следующи параметры, 0,04 мкм; Толщина Оптическая 2 ед.ГОСТа; плотность 95% от плотност Плотность объемного матер ала; Размер крис0,025+0,01 мкм; таллов Плотность дене более 0,15 с фектов Усилие проца500-600 Г. рапывания Увеличение скорости распыления хрома обеспечивает получение пленки с мелкокристаллической структурой, обладающей меньшей дефектностью по сравнению с пленкой, полученной вестным способом. Увеличение ускоряющего напряжения на мишени увеличивает энергию конденсГации атомов хрома, что приводит к увеличению оп тической плотности пленки на единицу толщины, увеличению плотности хрома в пленке и к увеличению связи пленки хрома с подложкой, Таким образом, полученное маскирующее покрытие при малой толщине пленки имеет достаточную оптическую плотность, высокую стойкость к царапинам и истирайию и малую дефектность, что позволяет снизить дефектность и повысить разрешающую способность и износостойкость фотошаблона. Формула изобретения Способ,.получения .маскирующего покрытия фотошаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности фотошаблона, повышения его разрешающей способности и износостойкости, распыление хрома проводят со скоростью 2,5-5 нм/сек при ускоряющем напряжении на мишени 3,5-5 кВ. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Данилин B.C. Вакуумная техника в производстве интегральных схем. М., Энергия, 1972. 2.-Микроэлектроника, вып.1 (41), серия 3, Металлические пленки в полупроводниковом производстве .; М,, 1975 (прототип).