Устройство для глубокой очистки деионизованной воды Советский патент 1980 года по МПК C02F1/42 C02F1/42 C02F101/00 C02F103/04 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ Изобретение относится к устройствам для глубокой очистки деионизован ной воды и может быть применено в электронной промышленности в произво стве различных классов полупроводни новых приборов . Современная технология производст ва полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС) включает отмывку деионизованной воды после большинства операций фотолитографии, химической обработки, глубокого травления. Известно устройство для глубокой очистки деионизованной воды, основан ное на применении для очистки ионооб менных смол, в которых очищаемая вода последовательно проходит блоки с катионитовыми и анионитовыми смолами 1 , Известно устройство апя глубокой очистки деионизованной воды, содержа щее блок преварительной фильтрации, блок адсорбции органических веществ, блок очистки на литионитовых и катионитовых смолах, мембранный фильтр 2, Такие устоойства не позволяют получауь деионизовднную воду с удвльнь ДЕИОНИЗОВАННОЙ BOJbl сопротийлением, большим 20 МОм -см, при комнатной температуре. Целью изобретения является улучгаение качества очистки деионизованной воды от ионных примесей. Цель изобретения достигается тем, что устройство снабжено дополнительнъ м блоком очистки, выполненным в виде термостатируемой емкости с размещенными в ней монокристаллическими пластинами полупроводникового материала. Для улучшения активной поверхности пластины полупроводникового материала выполнены с V-образными ,канавками . Глубокая степень очистки воды обусловлена значительной адсорбцией (до см ) ионов различных примесей на аморфизированной ионной имплантациейповерхности полупроводниковых материалов, Переход поверхности из монокристаллического в аморфное состояние возможен при превышении пороговых концентраций имплантируемых ионов и зависит от соотношения массы иона и массы атома мишени энергии иона и температуры мишени. Эффективность очистки пропорциональна площади аморфизированной поверхности поэтому в устройстве приме