Способ изготовления полупроводниковых приборов,преимущественно на основе монокристаллического кремния Советский патент 1982 года по МПК H01L21/00 

таточно высокийуровень примесей металлического типа, которые в процессе химобработки осаждаются на поверхности пластин и при последующих термических операциях остаются на поверхности, вызывая поверхностные утечки, дрейфы порогового напряжения полупроводникового прибора, кроме того окисные пленки, выращенные на кремниевых пластинах, прошедшие очистку в растворах реактивов имеют высокую дефектность (пористость) и неравномерность по толщине. Неудовлетворительная электрическая стабильность окисной пленки SiOij так как растворы реагентов,, использу мые при очистке пластин кремния сами являясь источниками металлических примесей,не обеспечивают достаточное удаление с поверхности пластин данных примесей. Высокий процент брака по пробивному напряжению между актив ными областями полупроводникового прибора, так как после очистки пластин кремния с рельефом на поверхности остаются всевозможные примеси, создающие поверхностные утечки, инве рсионные слои и тем самым снижающие пробивные напряжения. Высокое содержание примесей, остающиеся на поверхности пластин кремния после их обработки в химреактивах, приводит к высокому встроенному заряду, что не позволяет снизить пороговое напряжение полупроводникового прибора (например МДП-транз.истор), Цель изобретения - улучшение элек трофизических параметров полупроводниковых приборов. Указанная цель достигается тем, что способ изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно на основе монокристаллического кремния включающий химическую очистку прасти кремния в травильных растворах, гидромеханическую очистку пластин, термическое окисление пластин кремния, формирование активных областей Ри п-типа проводимости, перед операциями термического окисления пластин кремния и формирования активных областей Р -.и п-типов проводимости осуществляют дополнительную очистку пластин кремния в парах водного раст вора соляной кислоты, причем дополнительную очистку проводят гтри темпе ратуре проведения операций термического окисления кремния и формирова924 иия активных областей р- и п-типов проводимости соответственно. Пример. Полупроводниковые пластины кремния с удельным сопротивлением 20 ом«см с ориентацией (100)обезжири8ают в кипящем перекисно-аммиачном растворе (Н(, , 9 3:7) в течение 15 мин, отмывают в проточной деионизованной воде, обрабатывают в концентрированной азотной кислоте при 90-100 С в течение 10 мин, отмывают в проточной деионизованнрй воде, повторно обрабатывают в кипящем перекисно-аммиачном растворе в течение 15 мин, отмывают в проточной деионизованной воде, обрабатывают гидромеханическим способом с помощью мягких беличьих флейц и сушат на центрифуге. Отмытые пластины кремния помещают в кассету-лодочку и загружают в зону кварцевой трубы с температурой процесса первого окисления, равной (). При данной температуре пластины кремния выдерживают в потоке пара в течение 10 мин. Предварительно раствор соляной кислоты заливают в парогенератор, который нагревают с помощью ИК нагрева и доводят данный раствор до температуры АО°С, Образующийся при этом пар захватывают инертным газом (путем продувки через парогенератор, инертным газом служит аргон) и поступает в зону реакции кварцевой трубы с находящимися в ней кремниевыми пластинами. За это время поверхность пластин очищается от оставшихся загрязнений, а затем при этой же температуре, не выгружая пластины кремния из зоны реакции, проводят первое окисление по стандартной технологии в среде сухой - влажный - сухой кислород. Выращивают маскирующую окисную пленку толщиной 0,2 мкм. После отмывки пластин по стандартной технологии, загружают пластины кремния в реакционную камеру, снова проводят очистку пластин кремния в потоке пара водного раствора соляной кислоты в течение 8 мин в едином процессе перед операцией Разгонка активной примеси. Пары водного раствора соляной кислоты захватываются потоком инертного газа (путем его продувки через парогенератор) и поступают в ЗОНУ реакции. Очистку пластин кремния и разгонку примеси осуществляют в соответствии с требования