Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используе мым в радиотехнике и радиоэлектрони ке, в частности, для изготовления .конденсаторов. Известны различные сегнетоэлектрические материалы для изготовлени конденсаторов на основе титаната бария. Их основным недостатком явля ется относительно невысокий верхний предел рабочих температур. Наиболее близким техническим решением к изобретению является сегнетоэлектрик PbjBiToO Недостатком этого материала явля ется то, что он имеет низкое значение диэлектрической проницаемости. Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости Это достигается тем, что материал на основе PbgBiTaOg дополнительно содержит LigO при следующем соотношении компонентов, вес.%: Pb-BitaOg 95-98 Li,, О 2-5 Для получения сегнетоэлектрического материала составов, содержащих, вес.%: i.Pb.BlTaOg -95 2.РЬ,,В1ТаОд - 96,5 - - - 3,5 Ы.О - 5 3.Pb,,BiTaO, -98 Li.O - 2 BiaOj, смесь окислов РЬО, Та„0 взятых в стехиометрическом соотношении, отвечающем составу соединения Pbj BiTaO, смешивают с LijO, после чего форм5 ют заготовки и подвергают их обжигу по обычной керамической технологии и затем повторному обжигу под давлением 20-30 кбар, температуре 700-9000С в течение 1-10 мин. Затем на материал наносят электропроводящую пасту и образцы подверггиот измерениям. Полученный материал обладает следующими характеристиками: Диэлектрическая проницаемость,) 200 Тангенс угла диэлектрических по- 2 10 терь1} W Удельное сопротив- 310 ом.см Электрическая прочность более 30 кв/см Температурный коэффициент диэлектрической
проницаемости Удельное сопротивление для температуры ч-ЗОО С
Заметного влияния электрического поля на величину диэлектрической -проницаемости до величины полей в 30 KB/CMне обнаружено .
Формула изобретег ия Сегнетоэлектрический материал на основе PbgBiTaOj, о т п и ч а ю И и и с я тем, что с целью повышения, диэлектрической прортицаемости, он дополнительно содержит при
следующем соотношении компонентов,вес.% Pb.BlTaOg. 95-98 .LljO 2-5
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ШИХТА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1994 |
|
RU2096385C1 |
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1990 |
|
RU1767823C |
Сегнетоэлектический керамический материал | 1977 |
|
SU697462A1 |
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала | 1976 |
|
SU555074A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ТЕРМО- И ХЕМОСТОЙКИХ ПОКРЫТИЙ И ПЛАНАРНЫХ СЛОЕВ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ | 2011 |
|
RU2478663C1 |
Сегнетоэлектрический материал | 2022 |
|
RU2786939C1 |
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2010 |
|
RU2440955C2 |
ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ С ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ЕМКОСТИ ОТ -30·10град. ДО +30·10град. | 1992 |
|
RU2035778C1 |
Пьезоэлектрический керамический материал | 1978 |
|
SU791700A1 |
МНОГОСЛОЙНЫЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ | 2009 |
|
RU2413186C2 |
Авторы
Даты
1980-04-25—Публикация
1978-05-26—Подача