Сегнетоэлектрический материал Советский патент 1980 года по МПК C04B35/00 

Описание патента на изобретение SU729167A1

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используе мым в радиотехнике и радиоэлектрони ке, в частности, для изготовления .конденсаторов. Известны различные сегнетоэлектрические материалы для изготовлени конденсаторов на основе титаната бария. Их основным недостатком явля ется относительно невысокий верхний предел рабочих температур. Наиболее близким техническим решением к изобретению является сегнетоэлектрик PbjBiToO Недостатком этого материала явля ется то, что он имеет низкое значение диэлектрической проницаемости. Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости Это достигается тем, что материал на основе PbgBiTaOg дополнительно содержит LigO при следующем соотношении компонентов, вес.%: Pb-BitaOg 95-98 Li,, О 2-5 Для получения сегнетоэлектрического материала составов, содержащих, вес.%: i.Pb.BlTaOg -95 2.РЬ,,В1ТаОд - 96,5 - - - 3,5 Ы.О - 5 3.Pb,,BiTaO, -98 Li.O - 2 BiaOj, смесь окислов РЬО, Та„0 взятых в стехиометрическом соотношении, отвечающем составу соединения Pbj BiTaO, смешивают с LijO, после чего форм5 ют заготовки и подвергают их обжигу по обычной керамической технологии и затем повторному обжигу под давлением 20-30 кбар, температуре 700-9000С в течение 1-10 мин. Затем на материал наносят электропроводящую пасту и образцы подверггиот измерениям. Полученный материал обладает следующими характеристиками: Диэлектрическая проницаемость,) 200 Тангенс угла диэлектрических по- 2 10 терь1} W Удельное сопротив- 310 ом.см Электрическая прочность более 30 кв/см Температурный коэффициент диэлектрической

проницаемости Удельное сопротивление для температуры ч-ЗОО С

Заметного влияния электрического поля на величину диэлектрической -проницаемости до величины полей в 30 KB/CMне обнаружено .

Формула изобретег ия Сегнетоэлектрический материал на основе PbgBiTaOj, о т п и ч а ю И и и с я тем, что с целью повышения, диэлектрической прортицаемости, он дополнительно содержит при

следующем соотношении компонентов,вес.% Pb.BlTaOg. 95-98 .LljO 2-5

Похожие патенты SU729167A1

название год авторы номер документа
ШИХТА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 1994
  • Фомина Белла Израилевна[By]
  • Мамчиц Эдуард Иосифович[By]
  • Бертош Иван Григорьевич[By]
  • Самойлов Владимир Васильевич[By]
  • Егоров Леонид Ильич[By]
  • Широков Михаил Федорович[By]
  • Вертинская Тамара Григорьевна[By]
  • Полякова Светлана Сергеевна[By]
  • Дроздова Валентина Андреевна[By]
RU2096385C1
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1990
  • Блохина Г.П.
  • Наумова Т.А.
  • Пышков В.П.
  • Тронин А.Л.
RU1767823C
Сегнетоэлектический керамический материал 1977
  • Андреева Нина Александровна
  • Барашкова Евдокия Ивановна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Исупова Евгения Николаевна
  • Макарова Галина Николаевна
  • Панова Татьяна Ивановна
  • Савченко Евгения Петровна
SU697462A1
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала 1976
  • Гринвалд Гунар Жанович
  • Брант Андрей Эрнестович
  • Гаевска Ванда Антоновна
  • Бранте Инта Волдемаровна
  • Гаевскис Антон Петрович
SU555074A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ТЕРМО- И ХЕМОСТОЙКИХ ПОКРЫТИЙ И ПЛАНАРНЫХ СЛОЕВ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ 2011
  • Рудая Людмила Ивановна
  • Шаманин Валерий Владимирович
  • Лебедева Галина Константиновна
  • Соколова Ирина Михайловна
  • Афанасьев Валентин Петрович
  • Большаков Максим Николаевич
  • Марфичев Алексей Юрьевич
  • Чигирев Дмитрий Алексеевич
RU2478663C1
Сегнетоэлектрический материал 2022
  • Шут Виктор Николаевич
RU2786939C1
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 2010
  • Резниченко Лариса Андреевна
  • Разумовская Ольга Николаевна
  • Андрюшин Константин Петрович
  • Вербенко Илья Александрович
  • Павелко Алексей Александрович
  • Таланов Михаил Валерьевич
  • Павленко Анатолий Владимирович
RU2440955C2
ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ С ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ЕМКОСТИ ОТ -30·10град. ДО +30·10град. 1992
  • Камушкина Ирина Борисовна
  • Ненашева Елизавета Аркадьевна
RU2035778C1
Пьезоэлектрический керамический материал 1978
  • Ишук Валерий Максимович
  • Морозов Евгений Михайлович
  • Коваленко Пелагея Михайловна
  • Климов Всеволод Валентинович
  • Новицкий Евгений Захарович
  • Спиридонов Николай Анатольевич
SU791700A1
МНОГОСЛОЙНЫЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ 2009
  • Захаров Юрий Николаевич
  • Панченко Евгений Михайлович
  • Раевский Игорь Павлович
  • Резниченко Лариса Андреевна
  • Пипоян Рубен Арамаисович
  • Раевская Светлана Игоревна
  • Лутохин Александр Геннадиевич
  • Павелко Алексей Александрович
RU2413186C2

Реферат патента 1980 года Сегнетоэлектрический материал

Формула изобретения SU 729 167 A1

SU 729 167 A1

Авторы

Урбанович Станислав Иванович

Никифоров Леонид Григорьевич

Даты

1980-04-25Публикация

1978-05-26Подача