Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитны пленках (ЦМП).о Известен способ изготовления запо минающих матриц на ЦМП, осйованный на натяжениитехнологических струн, образовании зева между ними, прокладьгоании в зев проводника адресной обмотки под углом к технологичес ким струнам, закрывании эева, после довательном формовании.струнами проч водника, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам при закрытом зеве, перемещении технологических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке ,компаундом и извлечении технологиче ких струн Cl. Недостаток этого способа заключается в том, что невозможно увеличи разрядность матрицы, так как с увеличением числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними уменьшается расстояние сближения последукщи соседних струн с формуемым проводником, что приводит к необходимости увеличения угла прокладки провода и в свою очередь, к увеличению длины проводника в зеве, а это вызывает дополнительную деформацию сформованных полуволн при подбивке сформованного провода к адресным обмоткам, увеличение толщины сплетенного полот на и нарушение шага между струнами. Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления запоминающих матриц на ЦМП, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними путем расположения технологических струн с превьш1ением по высоте одна относительно другой, прокладывании в зев проводника адресной обмотки и его формовании путем последовательного опускания струн, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам, перемещении технологических струн, отделении адресных обмоток он зоны плетения, заливке компаундом .и извлечении технологических струн 2 Недостатком известного способа является, низкая технологичность изготовления матриц запоминающих устройств, обусловленная невозможностью увеличения разрядности изготавливаемых матриц, так как с увеличением количества технологических струн и 41 уменьшением их диаметра и расстояния между ними необходимо увеличивать угол подъема каждой технологической струны относительно предыдущей, что вызывает неодинаковые растягивающие усилия, прикладываемые к струнам, увеличивающиеся в сторону увеличения угла подъема струн и снижающие упругие свойства технологических струн. Это снижает также и надежность изготавливаемых матриц, так как технологиче :кие струны с большими углами подъема производят формовку проложенного в зев проводника с меньшим усилием, что приводит к Недоформовке петель, сжатию ими технологических струн при подбивке сформованных полуволнк адресным обмоткам, изменению геометрических размеров сплетенного полотна, что, влияет на амплитуду магнитного поля внутри полувитка, а следовательно, и на величину выходного сигнала, уровень помех и степень влияния адресных обмоток друг на друга. Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦМП. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП, основанному на натяжении технологических струн, образовании зева между ними путем расположения технологических струн с превьщ1ением по вы соте одна относительно другой, прокладьгеании в зев проводника адресной обмотки и его формовании путем последовательного опускания струн, перемещении технологических струн, отделении адресньк обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн, разделяют технологд ческие струны на группы и создают превышение их по высоте одна относительно другой в пределах каждой группы, образуют из проложенного в зев проводника адресной обмотки компенсирующие петли под технологической струной каждой группы, имеющей наибольщее превьщ ение по высоте, и располагают их ниже уровня нейтрального положения технологических струн, а формование проложенного в зев проводника адресной обмотки производят одновременно в группах технологических струн все- . ми одинаково расположеннь ми технологическими струнами каждой группы до полной ликвидации компенсирующих петель. На фиг. 1 изображено устройство для изготовления запоминающих матриц на ЦМП по предлагаемому способу;на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1| на фиг. 3« - разрез Б-Б на фиг. 1 на фиг; 35,в,г- стадии формования проложенного в зев проводника. Устройство для изготовления запоминающих матриц на ЦМП содержит технологические струны 1,2,3,4,5, 6,.. ., п , натянутые на раму станка 7 в качестве основы, ремизки 8 и 9 для разведения технологических струн при образовании зева 10 между ними, зажим-разделитель 11, ограничи тель зева 12 в зоне формовки, челнок 13 для прокладывания в зеве 10 прово ника 14 адресной обмотки с компенсирующими петлями 15, адресные обмотки 16 и батан 17. Изготовление запоминающих матриц на ЦМП по предлагаемому способу осуществляется следующим образом. Технологические струны 1,2,3,4,5 6,..., г натягивают в качестве основы на раму станка 7 и перемещением ремизок 8 или 9 образуют между струнами зев 10. Перемещением ремизок 8 вверх образуют зев 10 путем разведения четных струн 2,4,6...,п, а перемещением вверх ремизок 9 образуют зев путем разведения нечетных струн 1,3,5(п-1), (фиг. 1 и 2) При зтом разводимые, Например, четные технологические струны образуют превьщ1ение по высоте друг относительно друга не по всей щирине зева, а с расчетным периодом толь ко в пределах определенной группы струн. Струна 2 имеет минимальную высоту подъема; а следовательно, и минимальный угол наклона, струна 4 имеет большую высоту подъема относительно струны 2, а следовательно, и большой угол подъема, струна 6 имеет максимальную высоту подъема в первой группе струн, образующих зев 10. Следующая четная струна начинает вторую группу струн, образующих зев, и имеет высоту и угол подъема аналогичные струне 2 в первой группе стру В последней группе четных технологических струн минимальное превыше ние по высоте имеет струна (ъ-4), большее - (ti-2) и максимальное струна п (фиг. 3 а ) . 1 1Л Деление технологических струн на группы производится из такого расчета, чтобы технологическая струна, имеющая максимальное по высоте превьппение, не потеряла своих упругих механических свойств, т.е. чтобы растягивающие усилия, прикладьгеаемые к ней при ее подъеме ремизкой, не превышали предела упругости материала технологических струн. С помощью челнока 13 прокладывают в образовавшийся зев 10 проводник адресной обмотки 14, располагая-его в зоне формовки между зажимом-разделителем, и образуют из негокомпенсирующие петли 15, располагая каждую из них под максимально разведенной струной каждой группы (фиг. Зс(). Величина компенсирующей петли выбирается таким образом, чтобы она охватила полностью послед- нюю опускаемую струну каждой группы на последнем шаге формовки. После этого перемещают ремизку 8 вниз. При зтом происходит последовательно сближение технологических струн 2,4,6,.. , п -2, п с проложенным в зев проводником 14. При опускании первых струн 2,..., (п-4) каждой группы формуются первые петли адресной обмотки за счет уменьшения каждой из компенсирующих петель 15 навеличину, необходимую дл формовки зтих петель (фиг. 36 ) .. При дальнейшем опускании ремизки 8 струны 2,..., (н-4), сформовавшие первые петли, будут ограничены от дальнейшего продвижения вниз ограничителями зева 12 в зоне формовки, что предохраняет сформованные петли от растяжений и деформаций. На следующем шаге формовки очередные петли адресной обмотки формируются струнами 4, . . ., (п-2). Величина компенсирующих петель 15 при этом уменьшается на величину, необходимую для их формования (фиг. 3 в), и полностью охватьшает последние опускаемые струны 6,...,п каждой группы при дальнейшем продвижении ремизки 8 вниз (фиг. 3 ). В процессе продвижения ремизки 8 вниз технологические струны каждой группы, сформовавшие очередные петли адресной обмотки, удерживаютря от дальнейшего продвижения ограничителем зева 12 в зоне формовки. После формовки проложенного в зев проводника адресной обмотки всеми четными струнами они занимают положение, аналогичное нечетным струнам (фиг. 2). Сформованный полувиток адресной обмотки с помощью батана 17 передвигается к адресным 16 за зажим-разделитель 11 о Для формовки следукяцего полувитка адресной обмотки перемещают ремизку 9 вверх образуют зев 10 каждой группы нечетньск технологических струн и компенсирующие петли 15 из проложенного в образовавшийся зев 10 проводника 14 адресной обмотки под каждой максимально разведенно нечетной струной в группе, после .чего ремизку 9 опускают до полной формовки проложенного в зев пpoвoд ника каждой технологической струной Испбльзование предлагаемого спосо ба изготовления запоминающих матриц на ЦМП позволяет по сравнению с известными осуществлять изготовление матриц большой разрядности за счет разделения технологических струн на группы и создания превышения струн по высоте одна относительно другой в пределах каждой группы, чтС снижает растягивающие усилия на технологические струны и позволяет формовать идентичные петли адресных обмоток всеми технологическими струнами, а создание компенсирунадих петель из проложенного в эев проводника снижает растягивающие и деформирующие усилия на формуемый проводник и, следовательно, пoвыпlaet технологичность и надежность изготовления матриц. Кроме того, формование адресной обмотки одновременно несколькими струнами каждой группы позволяет ускорить процесс изготовления запоминающих матриц на ЦМП.

(put. 2

v

Л-S -- n-j ;5

П-5 n-3 IS

n-ii n-2 fj

ti-5 n-3 n-1