Изобретение относится к области микроэлек троники, в частности к производству контактных рамок для сборки полупроводниковых приборов и интегральныхсхем. Известен способ изготовления контактных рамок с выводами, включающий операции фор мирования рисунка выводов контактной рамки в однослойной металлической ленте и последующее травление ленты 1. Недостатком известного способа изготовлени контактных рамок в однослойной металлическо ленте является невозможность осуществления контроля полупроводниковых .приборов в процессе-сборки и как.следствие невозможность использования его при сборке дорогостоящих приборов, требующих контроля в тот момент, когда созданы все внутренние присоединения. Цель изобретения - возможность контроля полупроводниковых приборов в процессе сбор ки. Это достигается тем, что в способе изготовления контактной рамки с выводами для присоединения полупроводниковых приборов, вклю чающем операции фоомирования рисунка выводов контактной рамки в однослойной металлической ленте, в местах оснований выводов формируют канавку но. замкнутому контуру рисунка, после чего ее заполняют диэлектриком с последующим травлением металлической лешы в зоне размещения выводов. Способ изготовления контактных рамок с вьтодами заключается в следующем. В однослойной металлической ленте 1 (см. фиг. 1) одновременно с основным рисунком выводов контактной рамки 2 в местах оснований выводов формируют канавку 3 по замкнутому контуру, глубиной не менее глубины основного рисунка выводов контактной рамки, после чего ее заполняют диэлектриком 4 (см. фиг. 2), производят его сушку и травят .металли ес кую ленту в растворе травителя в зоне размещения вьгаодов до исчезновения материала ленты между выводами (см. фиг. 3). Затем контактную рамку с вьгаодами передают на операцию сборки полупроводниковых приборов с последующим контролем (см. фиг. 4). Пример. Для изготовления контактных рамок с изолированными выводами используют
37
алюминиевую и медную ленты толщиной 100 мк Методом чеканки одновременно с основным рисунком вывддов контактной рамки в местах оснований выводов формуют канавку по замкнутому контуру глубиной 60 мкм. После чего канавку заливают полиимидным лаком и производят сушку при 250-300С в течение 1,5 ч. Затем металлическую однослойную травят в растворе травителя в зоне размещения выводов до исчезновения материала ленты между выводами. После чего полученную контактную раМку с выводами передают на операцию сборки полупроводниковых приборов с последующим контролем.
Фо.рмула изобретения.
Способ изготовления контактной рамки с выводами для присоединения полупроводниковых приборов, включающий операщш формирования рисунка вьшодов контактной рамки в однослойной металлической ленте и последующе травление ленты, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности контроля полупроводниковых приборов в продессе сборки, в местах оснований выводов формируют канавку по замкнутому контуру рисунка, после чего ее заполняют диэлектриком с последующим травлением металлической ленты в зоне размещения выводов.
Источники информадии, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР № 384160, кл. Н 01 L 21/306, 1973 (прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ БЕСПРОВОЛОЧНОЙ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВIm:^^-'--- 'sQECCiv-БИ5Л/1.-. | 1971 |
|
SU303677A1 |
Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления | 2019 |
|
RU2702820C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСА ПО РАЗМЕРАМ КРИСТАЛЛА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 2008 |
|
RU2410793C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 1990 |
|
RU2037910C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ ПРИБОРОВ | 2013 |
|
RU2546856C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫВОДНЫХ РАМОК | 2000 |
|
RU2183366C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ С ТЕПЛООТВОДЯЩИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ДЛЯ ВЕРТИКАЛЬНОЙ ТРЕХМЕРНОЙ (THROUGH-SILICON VIAS ) СБОРКИ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | 2013 |
|
RU2546710C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗОБРАЖЕНИЯ | 2014 |
|
RU2559302C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ | 1998 |
|
RU2137249C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОГРАНИЧИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ВСТРЕЧНО-ВКЛЮЧЕННЫХ P-I-N СТРУКТУРАХ | 2016 |
|
RU2622491C1 |
Авторы
Даты
1980-06-25—Публикация
1978-03-03—Подача