Матричное устройство на полупроводниковых диодах Советский патент 1960 года по МПК G11C5/02 G11C11/36 

Конструкции полупроводниковых схем, в которых полупроводниковые элементы выполнены в виде монолитного блока, состоящего из общих для всего блока изолирующего основания (нодложки), проводящего слоя, являющегося одним из электродов схемы, и полупроводникового материала, известны.

Подобные устройства сложны в производстве и не обеспечивают достаточно высокую плотность монтанса полупроводниковых детален.

В с:писываемом матричпом устройстве эти недостатки устрапепы тем, что отдельные электрически связанные между собой строчные группы полупроводниковых диодов В1 1делены из монолитного блока в виде узких многослойных полосок, закрепленных в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соедпнены полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шнны матрицы.

Для упрощения технологии нрн массовом производстве кодовые шины матрицы выполнены в виде прутков из легкоплавкого припоя, вплавленного в канавки вдоль боковых обрезов строчных блоков.

Конструкция одной строчной грунпы полупроводниковых днодов нзображена на чертеже.

строчная грунна диодов вынолняется в виде многослойно полоски, состоящей нз наложенных друг на друга диэлектрической подложки /, проводящего основания 2 (первый электрод диодов) и полупроводникового материала 3. Вдоль полупроводниковой полоски нанесен второй проводящий слой 4, разделенный на отдельные элементы поперечными изоляцнонными промежутками. Элементы второго проводяпдего слоя образуют вторые электроды дподов, объединяемых в строчную грунпу проводящнм слоем 1, который одновременно выполняет роль строки.

Число диодов в строчиой группе равно числу нщн матрицы (нлп числу разрядов схемы).

Матричную схему составляют из строчных групп, наложенных одня на другую. и1ины матричной схемы образованы отогнутыми концами полосок весьма тонкой фольги, наложенных на вторые электроды диодов и расположенных вдоль строки в соответствии с заданным распределением диодов в матричной схеме. Для исключения короткого замыкания между проводящими основаниями одних строчных групп и полосками фольгИ других строчных групп торцовые стороны строчных полосок покрываются до сборки в матричную схему (пакет) изоляционным лаком. Собранная схема закренляется в обойме, которая поджимает полоски строчных групп друг к другу.

Для упрощения технологии отдельные диоды различных строчных груип могут быть соединены между собой не полосками фольги, а нрутками из легкоплавкого припоя, вплавленного в проточенные вдоль боковых обрезов строчных полосок диэлектрика и полупроводника снециальные канавки. Отсутствие электрического контакта между вторыми электродами диодов, которые не входят в электрическую схему матрицы,, и шинами, а также между шинами и нсрвым проводящим слоем обеспечивается зазорами, оставляемыми в этом случае между проводящими слоями и дном капавок, протачиваемых в боковых обрезах.

П р е д м е т и 3 о б р е т е н и я

1.Матричное устройство иа полупроводниковых диода-х с элементами, выполненными в виде многослойных блоков с общими слоями проводящего и полупроводящего материалов, отличающееся тем, что,, с целью увеличения плотности монтажа деталей и упрощения процессапроизводства., выполненные в виде указанных блоков строчные группы диодов закреплены в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соединены между собой полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины матрицы..

2.Устройство по п. I, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощенпя технологии массового производства, кодовые шины матрицы, соединяющие соответствующие диоды различных строчных блоков, выполнены в виде прутков из легкоплавкого припоя, вплавленного в капявки. вдоль боковых обрезов строчных блоков.